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Memoria(10402)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | SIC programmabile | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT42L64M32D1TK-18 AAT:C TR | - |  | 5224 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 134-WFBGA | MT42L64M32 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,3 V | 134-FBGA (10x11,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 533 MHz | Volatile | 2Gbit | DRAM | 64Mx32 | Parallelo | - | |||||
 | MT53D512M32D2NP-046 AAT:D TR | - | | 1412 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 2.000 | 2.133GHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 512Mx32 | - | - | |||||
| MT29F1T08EELKEJ4-ITF:K | 36,9000 | | 1779 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT29F1T08EELKEJ4-ITF:K | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | JS28F640P30BF75A | - | | 2729 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | StrataFlash™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | JS28F640P30 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | Non volatile | 64Mbit | 75 ns | FLASH | 4Mx16 | Parallelo | 75ns | |||
 | N25Q128A23BF840FTR | - | | 5095 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | N25Q128A23 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 108 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI | 8ms, 5ms | ||||
 | MT48LC16M16A2P-7E IT:G | - | | 6730 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.080 | 133 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 14ns | |||
 | MT57W1MH18CF-4 | 30.4500 | | 587 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | SRAM: sincronizzato | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (13x15) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 MHz | Volatile | 18Mbit | 450 CV | SRAM | 1Mx18 | HSTL | - | ||||
| MT29F8T08ESLEEG4-QD:E | 211.8900 | | 4696 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT29F8T08ESLEEG4-QD:E | 1 | ||||||||||||||||||||||
| MT60B2G8HB-48B:A | 16.5750 | | 4524 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 82-VFBGA | SDRAM-DDR5 | - | 82-VFBGA (9x11) | - | 557-MT60B2G8HB-48B:A | 1 | 2,4GHz | Volatile | 16Gbit | 16 nn | DRAM | 2G×8 | Parallelo | - | ||||||||
| N25Q064A11EF640E | - | | 2468 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | N25Q064A11 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 490 | 108 MHz | Non volatile | 64Mbit | FLASH | 16M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||||
 | MT53E384M32D2DS-046 AUT:E TR | 13.5900 | | 1483 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | MT53E384 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | MT53E384M32D2DS-046AUT:ETR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 2.133GHz | Volatile | 12Gbit | DRAM | 384Mx32 | - | - | |||
 | MT41K512M16HA-107G:A | - | | 7600 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (9x14) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 933 MHz | Volatile | 8Gbit | 20 ns | DRAM | 512Mx16 | Parallelo | - | |||
 | MT58L128L32P1T-7.5CTR | 4.7500 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | Standard SRAM | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | Volatile | 4Mbit | 4nn | SRAM | 128K×32 | Parallelo | - | ||||
 | NAND08GW3C2BN6E | - | | 6298 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | NAND08G | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | -NAND08GW3C2BN6E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 8Gbit | 25 ns | FLASH | 1G x 8 | Parallelo | 25ns | |||
 | MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR | - | | 5715 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29F256G08 | FLASH-NAND (TLC) | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | 333 MHz | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | Parallelo | - | |||||
| MT29F6T08ETHBBM5-3R:B | - | | 4359 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | - | - | MT29F6T08 | FLASH-NAND | 2,5 V ~ 3,6 V | - | - | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 333 MHz | Non volatile | 6Tbit | FLASH | 768G x 8 | Parallelo | - | ||||||
 | MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G | - | | 3953 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 162-VFBGA | MT29RZ2B1 | FLASH-NAND, DRAM-LPDDR2 | 1,8 V | 162-VFBGA (10,5x8) | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.440 | 533 MHz | Non volatile, volatile | 2Gbit (NAND), 1Gbit (LPDDR2) | FLASH, RAM | 256 MB x 8 (NAND), 32 MB x 32 (LPDDR2) | Parallelo | - | |||||
| MT41J128M8DA-093:J | - | | 3076 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | MT41J128M8 | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 100 | ||||||||||||||||||
 | M28W640HST70ZA6E | - | | 9518 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-TFBGA | M28W640 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-TFBGA (10,5x6,39) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 816 | Non volatile | 64Mbit | 70 ns | FLASH | 4Mx16 | Parallelo | 70ns | ||||
 | M25P32-VMW6TGBA TR | - | | 1542 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | M25P32 | FLASH-NOR | Non verificato | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SO O | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | 75 MHz | Non volatile | 32Mbit | FLASH | 4M x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | ||||
| MT48LC16M16A2P-7E IT:G TR | - | | 2792 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 14ns | |||
| M29W256GL70ZA6F TR | - | | 3995 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-TBGA | M29W256 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-TBGA (10x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | Non volatile | 256Mbit | 70 ns | FLASH | 32Mx8, 16Mx16 | Parallelo | 70ns | ||||
| MT25TU256HBA8ESF-0SIT TR | - | | 1938 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | ||||||||||||||||||
| MT29F512G08CKCABK7-6:A TR | - | | 8439 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | - | - | MT29F512G08 | FLASH NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 166 MHz | Non volatile | 512Gbit | FLASH | 64G x 8 | Parallelo | - | ||||
| MT46H64M32LFCX-5 IT:B | - | | 3402 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-VFBGA | MT46H64M32 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 2Gbit | 5 ns | DRAM | 64Mx32 | Parallelo | 15ns | ||||
 | MT29F1G08ABAFAWP-AAT:F | 2.9984 | | 8103 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F1G08 | FLASH-NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MT29F1G08ABAFAWP-AAT:F | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 1Gbit | 20 ns | FLASH | 128Mx8 | Parallelo | 20ns | ||||
| N25Q128A31EF840E | - | | 8034 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | N25Q128A31 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.920 | 108 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 32M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||||
| MT42L128M32D1LF-18 PESO:A TR | - | | 9284 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 168-WFBGA | MT42L128M32 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,3 V | 168-FBGA (12x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 533 MHz | Volatile | 4Gbit | DRAM | 128Mx32 | Parallelo | - | |||||
| MT53E128M32D2FW-046 AAT:ATR | 8.7450 | | 3095 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | 557-MT53E128M32D2FW-046AAT:ATR | 2.000 | ||||||||||||||||||||||
| MT29F256G08EFEBBWP:B | - | | 6333 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F256G08 | FLASH-NAND (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | Parallelo | - |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
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