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Memoria(10402)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MTFC64GJVDN-3F PESO | - |  | 3268 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Vassoio | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 169-LFBGA | MTFC64 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 169-LFBGA (14x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 512Gbit | FLASH | 64G x 8 | MMC | - | |||||
 | MT47H64M16HR-25E XIT:H TR | - | | 2001 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-FBGA (8x12,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 1 Gbit | 400 CV | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| MT29F256G08AUCABK4-10:A | - | | 8434 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | - | - | MT29F256G08 | FLASH-NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 100 MHz | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | Parallelo | - | ||||
 | MT46V64M8P-5B:F | - | | 6242 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT46V64M8 | SDRAM-DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 5 (48 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 512Mbit | 700 CV | DRAM | 64Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
 | MT40A1G8SA-062E:R TR | 6.0000 | | 6270 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-FBGA (7,5x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MT40A1G8SA-062E:RTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | 1,6GHz | Volatile | 8Gbit | 19 ns | DRAM | 1G x 8 | Parallelo | 15ns | |
 | MT46H16M32LFB5-6 IT:C | - | | 1858 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-VFBGA | MT46H16M32 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 166 MHz | Volatile | 512Mbit | 5 ns | DRAM | 16Mx32 | Parallelo | 15ns | ||
 | MT29F32G08CBADAWP:D TR | - | | 9907 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F32G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 32Gbit | FLASH | 4G×8 | Parallelo | - | ||||
| EDFA332A3PB-JD-FD | - | | 9957 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | EDFA232 | SDRAM-LPDDR mobile3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.260 | 933 MHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 512Mx32 | Parallelo | - | ||||
| MT41K1G4RH-107:E TR | - | | 1743 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT41K1G4 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (9x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 933 MHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 1G x 4 | Parallelo | - | |||
 | RC28F128P33TF60A | - | | 9910 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | StrataFlash™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 64-TBGA | RC28F128 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 64-EasyBGA (10x13) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 300 | 52 MHz | Non volatile | 128Mbit | 60 ns | FLASH | 8Mx16 | Parallelo | 60ns | |||
| MT41K2G4RKB-107:P TR | 24.1650 | | 9585 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | TwinDie™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT41K2G4 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (8x10,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | MT41K2G4RKB-107:PTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 933 MHz | Volatile | 8Gbit | 20 ns | DRAM | 2G×4 | Parallelo | 15ns | |
| MT41K256M16HA-125 M AIT:E | - | | 4803 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (9x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 800 MHz | Volatile | 4Gbit | 13,75 ns | DRAM | 256Mx16 | Parallelo | - | ||
| MT53E128M16D1DS-053 IT:A TR | - | | 8662 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | MT53E128 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 3 (168 ore) | 557-MT53E128M16D1DS-053IT:ATR | OBSOLETO | 2.000 | 1.866 GHz | Volatile | 2Gbit | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | - | |||||
| MTFC128GAOANAM-WT | - | | 4466 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Interrotto alla SIC | MTFC128 | - | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 1.520 | |||||||||||||||||||
 | MT55L256V32PT-6IT | 14.9900 | | 47 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | SRAM-ZBT | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Volatile | 8Mbit | 3,5 ns | SRAM | 256K×32 | Parallelo | - | |||
 | MTFC2GMDEA-0M PESO | - | | 5737 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Vassoio | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-WFBGA | MTFC2G | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-WFBGA (11,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0036 | 1.520 | Non volatile | 16Gbit | FLASH | 2G×8 | MMC | - | ||||
| MT41K512M8DA-107 IT:P TR | 5.7000 | | 9214 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (8x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | MT41K512M8DA-107IT:PTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 933 MHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 512Mx8 | Parallelo | 15ns | |
 | MT41K256M16TW-093IT:P | - | | 6635 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (8x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.368 | 1.066GHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 256Mx16 | Parallelo | - | ||
| MT44K32M36RB-093F:A TR | - | | 3003 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 168-TBGA | MT44K32M36 | RLDRAM 3 | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-BGA (13,5x13,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1.066GHz | Volatile | 1.125Gbit | 7,5 ns | DRAM | 32Mx36 | Parallelo | - | ||
| MT62F3G32D8DV-023 IT:B TR | 74.6400 | | 2363 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 95°C | - | - | SDRAM-LPDDR mobile5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-023IT:BTR | 2.000 | 4.266GHz | Volatile | 96Gbit | DRAM | 3G×32 | Parallelo | - | ||||||||
| MT29F2T08EMLEEJ4-R:E TR | 42.9300 | | 4484 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 132-VBGA | FLASH-NAND (TLC) | 2,6 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-R:ETR | 2.000 | Non volatile | 2 bit | FLASH | 256G x 8 | Parallelo | - | |||||||||
| MT62F1G64D4EK-023FAAT:B | 63.8550 | | 6443 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Scatola | Attivo | - | Montaggio superficiale | 441-TFBGA | SDRAM-LPDDR mobile5 | 1,05 V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D4EK-023FAAT:B | 1 | 4.266GHz | Volatile | 64Gbit | DRAM | 1G x 64 | Parallelo | - | ||||||||
| MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR | - | | 5276 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | - | - | MT29F256G08 | FLASH-NAND (SLC) | 2,5 V ~ 3,6 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 83 MHz | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | Parallelo | - | ||||
 | MT28FW512ABA1HJS-0AAT TR | - | | 5260 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT28FW512 | FLASH-NOR | 1,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.600 | Non volatile | 512Mbit | 105 n | FLASH | 32Mx16 | Parallelo | 60ns | |||
| MT53B384M64D4EZ-062 PESO:B TR | - | | 6517 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53B384 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1,6GHz | Volatile | 24Gbit | DRAM | 384Mx64 | - | - | |||
 | M29F800DB55N1 | - | | 3913 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29F800 | FLASH-NOR | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-TSOP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 8Mbit | 55 ns | FLASH | 1Mx8, 512Kx16 | Parallelo | 55ns | |||
 | MT53D1024M32D4NQ-046 AAT:D TR | - | | 3683 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 2.000 | 2.133GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 1G x 32 | - | - | ||||
| M29W200BB70N6 | - | | 1616 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29W200 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 2Mbit | 70 ns | FLASH | 256K x 8, 128K x 16 | Parallelo | 70ns | |||
| MT41K512M8DA-125:P | - | | 6238 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (8x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.440 | 800 MHz | Volatile | 4Gbit | 13,5 ns | DRAM | 512Mx8 | Parallelo | - | ||
 | MT29F4G16ABAEAH4-IT:E | - | | 2176 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F4G16 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 256Mx16 | Parallelo | - |
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