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Memoria(10402)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT48LC16M16A2P-7E AIT:G TR | - |  | 3549 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 14ns | ||
 | MT48LC4M32B2P-6:G TR | - | | 4137 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT48LC4M32B2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 167 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,5 ns | DRAM | 4Mx32 | Parallelo | 12ns | ||
 | MT44K64M18RB-107E:A | 64.4550 | | 3877 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 168-TBGA | MT44K64M18 | RLDRAM 3 | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-BGA (13,5x13,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.190 | 933 MHz | Volatile | 1.125Gbit | 8 nn | DRAM | 64Mx18 | Parallelo | - | ||
 | MT29F4G08ABBDAH4:D TR | 5.6000 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F4G08 | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 512Mx8 | Parallelo | - | ||||
| MT53D768M64D4SQ-053 PESO ES:A TR | - | | 8332 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | MT53D768 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 2.000 | 1.866 GHz | Volatile | 48Gbit | DRAM | 768Mx64 | - | - | ||||||||
 | M28W320FCB70ZB6E | - | | 1695 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 47-TFBGA | M28W320 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 47-TFBGA (6,39x6,37) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.380 | Non volatile | 32Mbit | 70 ns | FLASH | 2Mx16 | Parallelo | 70ns | |||
 | MTFC16GAKAEDQ-AIT | - | | 9464 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100 LBGA | MTFC16 | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,9 V | 100 LBGA (14×18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | Non volatile | 128 Gbit | FLASH | 16G x 8 | MMC | - | |||||
 | MTFC2GMXEA-WT | - | | 1904 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Vassoio | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-WFBGA | MTFC2G | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-WFBGA (11,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 16Gbit | FLASH | 2G×8 | MMC | - | ||||
| MTFC4GMTEA-1F PESO | - | | 7114 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Vassoio | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-WFBGA | MTFC4 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-WFBGA (11,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 32Gbit | FLASH | 4G×8 | MMC | - | |||||
 | MT29F4G08BABWP-ET TR | - | | 1143 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F4G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 512Mx8 | Parallelo | - | ||||
 | MT25QL512ABB8ESF-0SIT TR | 10.8000 | | 7 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | MT25QL512 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 133 MHz | Non volatile | 512Mbit | FLASH | 64Mx8 | SPI | 8 ms, 2,8 ms | |||
| MT52L256M64D2QA-125XT ES:B | - | | 3592 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | - | - | - | MT52L256 | SDRAM-LPDDR mobile3 | 1,2 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.190 | 800 MHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 256Mx64 | - | - | |||
 | MT46H64M32LFCM-5IT:A | - | | 9268 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-VFBGA | MT46H64M32 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (10x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 2Gbit | 5 nn | DRAM | 64Mx32 | Parallelo | 15ns | ||
| MT46H16M32LFCM-6 IT:B TR | - | | 4842 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-VFBGA | MT46H16M32 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (10x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 166 MHz | Volatile | 512Mbit | 5 nn | DRAM | 16Mx32 | Parallelo | 15ns | ||
 | MT46H16M16LFBF-75:A | - | | 7292 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-VFBGA | MT46H16M16 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-VFBGA (8x9) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 256Mbit | 6 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| MT42L128M64D2LL-25 PESO:A | - | | 3815 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 216-WFBGA | MT42L128M64 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,3 V | 216-FBGA (12x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.008 | 400 MHz | Volatile | 8Gbit | DRAM | 128Mx64 | Parallelo | - | |||
 | MT53D1024M32D4NQ-053 PESO ES:D TR | - | | 3887 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1.866 GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 1G x 32 | - | - | |||||
 | MT49H32M18CSJ-25E IT:B | - | | 6589 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | MT49H32M18 | DRAM | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FBGA (18,5x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1.120 | 400 MHz | Volatile | 576Mbit | 15 ns | DRAM | 32Mx18 | Parallelo | - | ||
| MT41DC11TW-V88A | - | | 4776 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | MT41DC | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | ||||||||||||||||
 | MT28F320J3BS-11 INCONTRATO | - | | 5900 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-FBGA | MT28F320J3 | FLASH | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (10x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 4 (72 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 32Mbit | 110 n | FLASH | 4Mx8, 2Mx16 | Parallelo | - | |||
| MT29F8T08EULCHD5-T:C TR | 167.8050 | | 6803 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | 557-MT29F8T08EULCHD5-T:CTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
| MTFC4GLGDQ-AIT Z | - | | 9244 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100 LBGA | MTFC4 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 LBGA (14×18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MTFC4GLGDQ-AITZ | OBSOLETO | 980 | Non volatile | 32Gbit | FLASH | 4G×8 | MMC | - | |||||
 | MT29F16G08AJADAWP:D TR | - | | 7397 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F16G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 16Gbit | FLASH | 2G×8 | Parallelo | - | |||||
 | MT53B2DBDS-DC | - | | 2016 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.360 | Volatile | DRAM | |||||||||||
| MT41K512M16TNA-125:ETR | - | | 3160 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (10x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 800 MHz | Volatile | 8Gbit | 13,5 ns | DRAM | 512Mx16 | Parallelo | - | ||
 | PC28F256M29EWLBTR | - | | 5209 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | PC28F256 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (11x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | Non volatile | 256Mbit | 100 n | FLASH | 32Mx8, 16Mx16 | Parallelo | 100ns | ||||
| M36W0R6050L4ZSE | - | | 7123 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFBGA | M36W0R | FLASH | 1,7 V ~ 1,95 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | -M36W0R6050L4ZSE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 384 | Non volatile | 64Mbit | 70 ns | FLASH | 4Mx16 | Parallelo | - | ||
 | PC28F512P33BFD | - | | 8900 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-TBGA | PC28F512 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 64-EasyBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | 52 MHz | Non volatile | 512Mbit | 95 ns | FLASH | 32Mx16 | Parallelo | 95ns | ||
 | MT46V32M8P-6T IT:G TR | - | | 9051 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT46V32M8 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 167 MHz | Volatile | 256Mbit | 700 CV | DRAM | 32Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
| MT29F4G01ABBFDM70A3WC1 | 3.5200 | | 2794 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Morire | MT29F4G01 | FLASH-NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | Morire | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 1 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 4G×1 | SPI | - |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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