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Memoria(10402)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F4T08GMLCEJ4-QM:C | 78.1500 |  | 4940 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT29F4T08GMLCEJ4-QM:C | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT46V32M16TG-6T:C | - | | 5539 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT46V32M16 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP | - | RoHS non conforme | 4 (72 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 167 MHz | Volatile | 512Mbit | 700 CV | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| MT47H512M4THN-25E:H | - | | 8328 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 63-TFBGA | MT47H512M4 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 63-FBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 2Gbit | 400 CV | DRAM | 512M x 4 | Parallelo | 15ns | ||
| MT46V64M8TG-75:D TR | - | | 2844 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT46V64M8 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP | - | RoHS non conforme | 4 (72 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 512Mbit | 750 CV | DRAM | 64Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
| MT29F2G16ABAFAWP:F | - | | 8708 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | MT29F2G16 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Non volatile | 2Gbit | FLASH | 128Mx16 | Parallelo | - | ||||||||
 | MT53E512M32D2FW-046 AAT:D | 19.1100 | | 6041 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Scatola | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 200-TFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR4 | - | 200-TFBGA (10x14,5) | scaricamento | 557-MT53E512M32D2FW-046AAT:D | 1 | 2.133GHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 512Mx32 | Parallelo | - | ||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C | 56.5050 | | 9598 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Scatola | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 556-TFBGA | SDRAM - Cellulare LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V | 556-WFBGA (12,4x12,4) | scaricamento | 557-MT53E1G64D4HJ-046AAT:C | 1 | 2.133GHz | Volatile | 64Gbit | 3,5 ns | DRAM | 1G x 64 | Parallelo | 18ns | |||||||
 | MT35XL256ABA2GSF-0AAT | - | | 1659 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MT35XL256 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.440 | 133 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 32Mx8 | Autobus Xccela | - | |||||
 | MT53E768M32D4DT-053 AAT:E TR | 29.2650 | | 6307 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-VFBGA | MT53E768 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | MT53E768M32D4DT-053AAT:ETR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1.866 GHz | Volatile | 24Gbit | DRAM | 768Mx32 | - | - | ||
 | MTFC8GLDDQ-4M IT | - | | 1441 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100 LBGA | MTFC8 | FLASH-NAND | 1,65 V ~ 3,6 V | 100 LBGA (14×18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | MMC | - | ||||
| EDF8164A3PF-GD-FR TR | - | | 1083 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | - | EDF8164 | SDRAM-LPDDR mobile3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 800 MHz | Volatile | 8Gbit | DRAM | 128Mx64 | Parallelo | - | |||
| MT53E768M32D2FW-046 AIT:C TR | 20.7300 | | 3312 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | 557-MT53E768M32D2FW-046AIT:CTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
| MT53B512M32D2GZ-062AIT:B | - | | 1767 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | MT53B512 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (11x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 1,6GHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 512Mx32 | - | - | ||||
| M58LT128KSB8ZA6E | - | | 8359 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-TBGA | M58LT128 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 64-TBGA (10x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | Non volatile | 128Mbit | 85 ns | FLASH | 8Mx16 | Parallelo | 85ns | |||
| N25Q256A13E1241FTR | - | | 2715 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | N25Q256A13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 108 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 64M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
| MT62F1G32D2DS-023 PESO ES:C | 22.8450 | | 9532 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | -25°C~85°C | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR mobile5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023WTES:C | 1 | 3,2GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 1G x 32 | Parallelo | - | ||||||||
 | MT29F2G08ABCWP:CTR | - | | 7671 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F2G08 | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 2Gbit | FLASH | 256Mx8 | Parallelo | - | ||||
 | M25P80-VMC6G | - | | 1124 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 8-UDFN | M25P80 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-UFDFPN (MLP8) (4x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 490 | 75 MHz | Non volatile | 8Mbit | FLASH | 1M x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||
| MT29C8G96MAZBADJV-5 PESO | - | | 8727 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 168-VFBGA | MT29C8G96 | FLASH-NAND, LPDRAM mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 8 Gbit (NAND), 4 Gbit (LPDRAM) | FLASH, RAM | 512 MB x 16 (NAND), 128 MB x 32 (LPDRAM) | Parallelo | - | ||||
 | MTFC4GLGDM-AIT ATR | - | | 6962 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-TFBGA | MTFC4 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-TFBGA (11,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | MTFC4GLGDM-AITATR | OBSOLETO | 8542.32.0071 | 2.000 | Non volatile | 32Gbit | FLASH | 4G×8 | MMC | - | |||
| MT49H16M18CBM-25:BTR | - | | 9843 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | MT49H16M18 | DRAM | 1,7 V ~ 1,9 V | 144μBGA (18,5x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 288Mbit | 20 ns | DRAM | 16Mx18 | Parallelo | - | ||
 | PC28F512P33EF0 | - | | 4194 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell™ | Vassoio | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-TBGA | PC28F512 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 64-EasyBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | 52 MHz | Non volatile | 512Mbit | 95 ns | FLASH | 32Mx16 | Parallelo | 95ns | ||
 | MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E | 3.5100 | | 948 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F1G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Non volatile | 1 Gbit | FLASH | 128Mx8 | Parallelo | - | ||||
| MT40A1G16KH-062E AAT:E TR | 17.1750 | | 2371 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (9x13) | scaricamento | 557-MT40A1G16KH-062EAAT:ETR | 3.000 | 1,6GHz | Volatile | 16Gbit | 19 ns | DRAM | 1G x 16 | POD | 15ns | |||||||
| MT53D4G16D8AL-062 PESO:E | - | | 1672 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | MT53D4G16 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MT53D4G16D8AL-062WT:E | OBSOLETO | 1.190 | 1,6GHz | Volatile | 64Gbit | DRAM | 4G×16 | - | - | |||||||
 | MT28F004B5VG-8 TR | - | | 5383 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 40-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT28F004B5 | FLASH-NOR | 4,5 V ~ 5,5 V | 40-TSOP I | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 4Mbit | 80 ns | FLASH | 512K×8 | Parallelo | 80ns | |||
 | MT25QU128ABB8ESF-0AUT | 5.9500 | | 4 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Scatola | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | MT25QU128 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 16-SOP2 | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | -MT25QU128ABB8ESF-0AUT | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 1.440 | 133 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI | 8 ms, 2,8 ms | ||
 | MT28EW256ABA1HPC-0SIT | 9.0300 | | 4 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | MT28EW256 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-LBGA (11x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.104 | Non volatile | 256Mbit | 75 ns | FLASH | 32Mx8, 16Mx16 | Parallelo | 60ns | |||
 | MT48LC16M16A2B4-6A IT:G TR | 7.8100 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-VFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.000 | 167 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 12ns | ||
| N25Q128A13E1441E | - | | 2313 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | N25Q128A13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24 BGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 32M x 4 | SPI | 8ms, 5ms |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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