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Memoria(847)

Immagine	Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	ECAD	Quantità disponibile	Peso(Kg)	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Tensione - Alimentazione	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Frequenza dell'orologio	Tipo di memoria	Dimensioni della memoria	Orario di accesso	Formato memoria	Organizzazione della memoria	Interfaccia di memoria	Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina
	GD25VE40CSIG	0,3752	Richiesta di offerta		6946	0.00000000	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	-	Tubo	Design non per nuovi	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm)	GD25VE40	FLASH-NOR	2,1 V ~ 3,6 V	8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	9.500	104 MHz	Non volatile	4Mbit		FLASH	512K×8	SPI - I/O quadruplo	-
	GD25B256EYIGY	2.2236	Richiesta di offerta		9901	0.00000000	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	GD25B	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-WDFN Tampone esposto		FLASH-NORE (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-WSON (6x8)	scaricamento				1970-GD25B256EYIGY			4.800		Non volatile	256Mbit		FLASH	32Mx8	SPI - I/O quadruplo	-
	GD25LQ10CEIGR	-	Richiesta di offerta		2790	0.00000000	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-XFDFN Tampone esposto	GD25LQ10	FLASH-NOR	1,65 V ~ 2,1 V	8-USO (2x3)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	3.000	104 MHz	Non volatile	1Mbit		FLASH	128K×8	SPI - I/O quadruplo	50 µs, 2,4 ms
	GD25LQ32DQIGR	-	Richiesta di offerta		6828	0.00000000	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-XDFN Tampone esposto	GD25LQ32	FLASH-NOR	1,65 V~2 V	8-USO (4x4)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	3.000	120 MHz	Non volatile	32Mbit		FLASH	4M x 8	SPI - I/O quadruplo	2,4 ms
	GD25LT256EYAGR	5.8677	Richiesta di offerta		2495	0.00000000	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	GD25LT	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 125°C (TA)	Montaggio superficiale	8-WDFN Tampone esposto		FLASH-NORE (SLC)	1,65 V~2 V	8-WSON (6x8)	-				1970-GD25LT256EYAGRTR			3.000	166 MHz	Non volatile	256Mbit	6 ns	FLASH	32Mx8	SPI: quattro I/O, QPI, DTR	140 µs, 3 ms
	GD25LT512MEBIRY	5.5993	Richiesta di offerta		5674	0.00000000	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	GD25LT	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	24-TBGA		FLASH-NORE (SLC)	1,65 V~2 V	24-TFBGA (6x8)	-				1970-GD25LT512MEBIRY			4.800	200 MHz	Non volatile	512Mbit		FLASH	64Mx8	SPI: quattro I/O, QPI, DTR	-
	GD25LD10CKIGR	0,2929	Richiesta di offerta		4889	0.00000000	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	GD25LD	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-XFDFN Tampone esposto		FLASH-NORE (SLC)	1,65 V~2 V	8-USO (1,5x1,5)	scaricamento				1970-GD25LD10CKIGRTR			3.000	50 MHz	Non volatile	1Mbit	12 ns	FLASH	128K×8	SPI: doppio I/O	55 µs, 6 ms

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