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GD25LQ32EWIGR	1.1600	Richiesta di offerta	7325	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-WDFN Tampone esposto		FLASH-NORE (SLC)	1,65 V~2 V	8-WSON (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato				3.000	133 MHz	Non volatile	32Mbit	6 ns	FLASH	4M x 8	SPI - Quad I/O, QPI	60 µs, 2,4 ms
GD25VE40CTIGR	-	Richiesta di offerta	2992	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	GD25VE40	FLASH-NOR	2,1 V ~ 3,6 V	8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	3.000	104 MHz	Non volatile	4Mbit		FLASH	512K×8	SPI - I/O quadruplo	-
GD5F2GQ5RFYIGY	4.1230	Richiesta di offerta	2554	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	-	Vassoio	Attivo								-				1970-GD5F2GQ5RFYIGY			4.800
GD5F1GQ5UEBJGY	2.7537	Richiesta di offerta	7495	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	GD5F	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 105°C (TA)	Montaggio superficiale	24-TBGA		FLASH-NAND (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	24-TFBGA (6x8)	scaricamento				1970-GD5F1GQ5UEBJGY			4.800	133 MHz	Non volatile	1 Gbit	7 ns	FLASH	256Mx4	SPI - Quad I/O, DTR	600 µs
GD25LD80CTIG	-	Richiesta di offerta	1510	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	GD25LD80	FLASH-NOR	1,65 V~2 V	8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	20.000	50 MHz	Non volatile	8Mbit		FLASH	1M x 8	SPI: doppio I/O	60μs, 6ms
GD25WQ32ENIGR	0,7582	Richiesta di offerta	3291	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	GD25WQ	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 8-UDFN		FLASH-NORE (SLC)	1,65 V ~ 3,6 V	8-USO (3x4)	scaricamento				1970-GD25WQ32ENIGRTR			3.000	104 MHz	Non volatile	32Mbit	8 ns	FLASH	4M x 8	SPI - I/O quadruplo	120 µs, 4 ms
GD25LD40CTIG	-	Richiesta di offerta	4889	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	GD25LD40	FLASH-NOR	1,65 V~2 V	8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	20.000	50 MHz	Non volatile	4Mbit		FLASH	512K×8	SPI: doppio I/O	97μs, 6ms
GD25Q40CTIG	-	Richiesta di offerta	3395	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	GD25Q40	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	20.000	104 MHz	Non volatile	4Mbit		FLASH	512K×8	SPI - I/O quadruplo	50 µs, 2,4 ms
GD25LE32EEEGR	1.0109	Richiesta di offerta	5482	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	GD25LE	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 125°C (TA)	Montaggio superficiale	8-XFDFN Tampone esposto		FLASH-NORE (SLC)	1,65 V~2 V	8-USO (3x2)	scaricamento				1970-GD25LE32EEEGRTR			3.000	133 MHz	Non volatile	32Mbit	6 ns	FLASH	4M x 8	SPI - Quad I/O, QPI	100 µs, 4 ms
GD25B128EWIGR	2.1800	Richiesta di offerta	6120	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-WDFN Tampone esposto		FLASH-NORE (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-WSON (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato				3.000	133 MHz	Non volatile	128Mbit	7 ns	FLASH	16Mx8	SPI - I/O quadruplo	70 µs, 2,4 ms
GD25Q16CSIG	0,3366	Richiesta di offerta	2646	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	-	Tubo	Design non per nuovi	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm)	GD25Q16	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	9.500	120 MHz	Non volatile	16Mbit		FLASH	2Mx8	SPI - I/O quadruplo	50 µs, 2,4 ms
GD25LF32ESIGR	0,6552	Richiesta di offerta	8715	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	GD25LF	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm)		FLASH-NORE (SLC)	1,65 V~2 V	8-SOP	scaricamento				1970-GD25LF32ESIGRTR			2.000	166 MHz	Non volatile	32Mbit	5,5 ns	FLASH	4M x 8	SPI: quattro I/O, QPI, DTR	60 µs, 2,4 ms
GD25WD20CTIGR	0,2885	Richiesta di offerta	3170	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	GD25WD20	FLASH-NOR	1,65 V ~ 3,6 V	8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	3.000		Non volatile	2Mbit		FLASH	256K×8	SPI - I/O quadruplo	-
GD25R256EWIGY	2.7157	Richiesta di offerta	2877	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	GD25R	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-WDFN Tampone esposto		FLASH-NORE (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-WSON (5x6)	-				1970-GD25R256EWIGY			5.700	200 MHz	Non volatile	256Mbit		FLASH	32Mx8	SPI - I/O quadruplo	-
GD25LT256EB2RY	4.4422	Richiesta di offerta	7979	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	GD25LT	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 105°C (TA)	Montaggio superficiale	24-TBGA		FLASH-NORE (SLC)	1,65 V~2 V	24-TFBGA (6x8)	-				1970-GD25LT256EB2RY			4.800	200 MHz	Non volatile	256Mbit	6 ns	FLASH	32Mx8	SPI: quattro I/O, QPI, DTR	140 µs, 2 ms
GD25VQ40CSIGR	0,4033	Richiesta di offerta	7327	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm)	GD25VQ40	FLASH-NOR	2,3 V ~ 3,6 V	8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	2.000	104 MHz	Non volatile	4Mbit		FLASH	512K×8	SPI - I/O quadruplo	50 µs, 3 ms
GD25LB64ENIGR	0,9126	Richiesta di offerta	6403	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	GD25LB	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 8-UDFN		FLASH-NORE (SLC)	1,65 V~2 V	8-USO (3x4)	scaricamento				1970-GD25LB64ENIGRTR			3.000	133 MHz	Non volatile	64 Mbit	6 ns	FLASH	8Mx8	SPI - Quad I/O, QPI	60 µs, 2,4 ms
GD25LD20COIGR	0,2885	Richiesta di offerta	5405	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm)	GD25LD20	FLASH-NOR	1,65 V~2 V	8-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	3.000	50 MHz	Non volatile	2Mbit		FLASH	256K×8	SPI: doppio I/O	97μs, 6ms
GD25Q256EYIGR	3.7500	Richiesta di offerta	2	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-WDFN Tampone esposto	GD25Q256	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	8-WSON (6x8)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	1970-GD25Q256EYIGRTR	3A991B1A	8542.32.0071	3.000	133 MHz	Non volatile	256Mbit	7 ns	FLASH	32Mx8	SPI - I/O quadruplo	50 µs, 2,4 ms
GD55T02GEBIRY	21.5992	Richiesta di offerta	1604	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	GD55T	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	24-TBGA		FLASH-NORE (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	24-TFBGA (6x8)	-				1970-GD55T02GEBIRY			4.800	200 MHz	Non volatile	2Gbit		FLASH	256Mx8	SPI - Quad I/O, DTR	-
GD25LB512MEB2RY	7.3283	Richiesta di offerta	5552	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	GD25LB	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 105°C (TA)	Montaggio superficiale	24-TBGA		FLASH-NORE (SLC)	1,65 V~2 V	24-TFBGA (6x8)	-				1970-GD25LB512MEB2RY			4.800	133 MHz	Non volatile	512Mbit		FLASH	64Mx8	SPI: quattro I/O, QPI, DTR	-
GD9FS4G8F2ALGJ	8.2869	Richiesta di offerta	9544	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	-	Vassoio	Attivo								scaricamento				1970-GD9FS4G8F2ALGJ			2.100
GD5F1GM7REWIGY	2.2630	Richiesta di offerta	3297	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	GD5F	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-WDFN Tampone esposto		FLASH-NAND (SLC)	1,7 V~2 V	8-WSON (5x6)	scaricamento				1970-GD5F1GM7REWIGY			5.700	104 MHz	Non volatile	1 Gbit	9 ns	FLASH	256Mx4	SPI - Quad I/O, DTR	600 µs
GD25X512MEBIRY	6.2111	Richiesta di offerta	7004	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	GD25X	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	24-TBGA		FLASH-NORE (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	24-TFBGA (6x8)	-				1970-GD25X512MEBIRY			4.800	200 MHz	Non volatile	512Mbit		FLASH	64Mx8	SPI - I/O ottale	-
GD5F1GQ5UEYIHY	2.3296	Richiesta di offerta	5815	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	GD5F	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-WDFN Tampone esposto		FLASH-NAND (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	8-WSON (6x8)	-				1970-GD5F1GQ5UEYIHY			4.800	133 MHz	Non volatile	1 Gbit	7 ns	FLASH	256Mx4	SPI - Quad I/O, DTR	600 µs
GD25Q80ESIGR	0,5200	Richiesta di offerta	3	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm)	GD25Q80	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	2.000	133 MHz	Non volatile	8Mbit	7 ns	FLASH	1M x 8	SPI - I/O quadruplo	70μs, 2ms
GD25LB16ETIGR	0,5242	Richiesta di offerta	10000	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	GD25LB	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)		FLASH-NORE (SLC)	1,65 V ~ 2,1 V	8-SOP	scaricamento				1970-GD25LB16ETIGRTR			3.000	133 MHz	Non volatile	16Mbit	6 ns	FLASH	2Mx8	SPI - Quad I/O, QPI	60 µs, 2,4 ms
GD5F4GQ4UBYIGY	-	Richiesta di offerta	3566	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	-	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-WDFN Tampone esposto	GD5F4GQ4	FLASH-NAND	2,7 V ~ 3,6 V	8-WSON (6x8)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	4.800	120 MHz	Non volatile	4Gbit		FLASH	512Mx8	SPI - I/O quadruplo
GD25VQ80CSIGR	-	Richiesta di offerta	7575	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm)	GD25VQ80	FLASH-NOR	2,3 V ~ 3,6 V	8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	2.000	104 MHz	Non volatile	8Mbit		FLASH	1M x 8	SPI - I/O quadruplo	50 µs, 3 ms
GD25WQ128EQEGR	1.9478	Richiesta di offerta	2726	GigaDevice Semiconductor (HK) limitata	GD25WQ	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 125°C (TA)	Montaggio superficiale	8-XDFN Tampone esposto		FLASH-NORE (SLC)	1,65 V ~ 3,6 V	8-USO (4x4)	scaricamento				1970-GD25WQ128EQEGRTR			3.000	84 MHz	Non volatile	128Mbit	8 ns	FLASH	16Mx8	SPI - I/O quadruplo	240 µs, 8 ms