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Memoria(847)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25Q127CSJG | - |  | 1705 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | GD25Q127 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 9.500 | 104 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 12μs, 2,4ms | |||
 | GD25LQ256DWIGR | 3.8600 | | 5 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | GD25LQ256 | FLASH-NOR | 1,65 V~2 V | 8-WSON (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 32Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 2,4 ms | |||
 | GD25WD05CKIGR | 0,3016 | | 2332 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25WD | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-XFDFN Tampone esposto | FLASH-NORE (SLC) | 1,65 V ~ 3,6 V | 8-USO (1,5x1,5) | scaricamento | 1970-GD25WD05CKIGRTR | 3.000 | 100 MHz | Non volatile | 512Kbit | 12 ns | FLASH | 64K×8 | SPI: doppio I/O | 55 µs, 6 ms | |||||||
| GD25T512MEY2GR | 8.1203 | | 4811 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25T | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | FLASH-NORE (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x8) | - | 1970-GD25T512MEY2GRTR | 3.000 | 200 MHz | Non volatile | 512Mbit | FLASH | 64Mx8 | SPI - Quad I/O, DTR | - | ||||||||
| GD25WD40CTIG | - | | 8082 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | GD25WD40 | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 3,6 V | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 20.000 | Non volatile | 4Mbit | FLASH | 512K×8 | SPI - I/O quadruplo | - | ||||
 | GD25LD20CUIGR | - | | 7417 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-XFDFN Tampone esposto | GD25LD20 | FLASH-NOR | 1,65 V~2 V | 8-USO (2x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 50 MHz | Non volatile | 2Mbit | FLASH | 256K×8 | SPI: doppio I/O | 97μs, 6ms | |||
| GD25VQ16CTIGR | - | | 5684 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | GD25VQ16 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Non volatile | 16Mbit | FLASH | 2Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 50 µs, 3 ms | |||
 | GD25LQ16CNIGR | 1.0600 | | 10 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 8-UDFN | GD25LQ16 | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 2,1 V | 8-USO (4x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Non volatile | 16Mbit | FLASH | 2Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 50 µs, 2,4 ms | |||
| GD25LD40ETIGR | 0,2865 | | 6302 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25LD | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | FLASH-NORE (SLC) | 1,65 V~2 V | 8-SOP | scaricamento | 1970-GD25LD40ETIGRTR | 3.000 | 50 MHz | Non volatile | 4Mbit | 12 ns | FLASH | 512K×8 | SPI: doppio I/O | 100 µs, 6 ms | |||||||
| GD25B32ESAGR | 1.0363 | | 6446 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25B | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | FLASH-NORE (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | - | 1970-GD25B32ESAGRTR | 2.000 | Non volatile | 32Mbit | FLASH | 4M x 8 | SPI - I/O quadruplo | - | |||||||||
| GD25WD20CEIGR | 0,5200 | | 2448 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-XFDFN Tampone esposto | GD25WD20 | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 3,6 V | 8-USO (2x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | Non volatile | 2Mbit | FLASH | 256K×8 | SPI - I/O quadruplo | - | ||||
| GD25VQ80CEIGR | - | | 5891 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-XFDFN Tampone esposto | GD25VQ80 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-USO (2x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Non volatile | 8Mbit | FLASH | 1M x 8 | SPI - I/O quadruplo | 50 µs, 3 ms | |||
 | GD5F4GQ4RCYIGY | - | | 1688 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | GD5F4GQ4 | FLASH-NAND | 1,7 V~2 V | 8-WSON (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.800 | 120 MHz | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 512Mx8 | SPI - I/O quadruplo | ||||
| GD25LQ32EN2GR | 1.1092 | | 9037 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25LQ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 8-UDFN | FLASH-NORE (SLC) | 1,65 V~2 V | 8-USO (3x4) | - | 1970-GD25LQ32EN2GRTR | 3.000 | 133 MHz | Non volatile | 32Mbit | 6 ns | FLASH | 4M x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2,4 ms | |||||||
| GD25LF32ENEGR | 0,9817 | | 9351 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25LF | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 8-UDFN | FLASH-NORE (SLC) | 1,65 V~2 V | 8-USO (3x4) | scaricamento | 1970-GD25LF32ENEGRTR | 3.000 | 133 MHz | Non volatile | 32Mbit | 5,5 ns | FLASH | 4M x 8 | SPI: quattro I/O, QPI, DTR | 100 µs, 4 ms | |||||||
| GD25LE64CLIGR | - | | 6812 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 21-XFBGA, WLSCP | GD25LE64 | FLASH-NOR | 1,65 V~2 V | 21-WLCSP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.000 | 133 MHz | Non volatile | 64Mbit | FLASH | 8Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 2,4 ms | |||
| GD25Q32CSJG | - | | 4813 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | GD25Q32 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 9.500 | 120 MHz | Non volatile | 32Mbit | FLASH | 4M x 8 | SPI - I/O quadruplo | 50 µs, 2,4 ms | |||
| GD25LQ16CWIGR | - | | 8392 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | GD25LQ16 | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 2,1 V | 8-WSON (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Non volatile | 16Mbit | FLASH | 2Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 50 µs, 2,4 ms | |||
| GD25LE128EWJGY | 1.5901 | | 1919 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25LE | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | FLASH-NORE (SLC) | 1,65 V~2 V | 8-WSON (5x6) | scaricamento | 1970-GD25LE128EWJGY | 5.700 | 133 MHz | Non volatile | 128Mbit | 6 ns | FLASH | 16Mx8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2,4 ms | |||||||
| GD25LD80CEIGR | 0,4033 | | 9208 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-XFDFN Tampone esposto | GD25LD80 | FLASH-NOR | 1,65 V~2 V | 8-USO (2x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 50 MHz | Non volatile | 8Mbit | FLASH | 1M x 8 | SPI: doppio I/O | 60μs, 6ms | |||
| GD25LE32ENIGR | 0,7090 | | 6615 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25LE | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 8-UDFN | FLASH-NORE (SLC) | 1,65 V~2 V | 8-USO (3x4) | scaricamento | 1970-GD25LE32ENIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Non volatile | 32Mbit | 6 ns | FLASH | 4M x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2,4 ms | |||||||
| GD25Q64CWIGR | 1.4800 | | 59 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | GD25Q64 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Non volatile | 64Mbit | FLASH | 8Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 50 µs, 2,4 ms | |||
| GD25Q16CWIGR | - | | 5049 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | GD25Q16 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Non volatile | 16Mbit | FLASH | 2Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 50 µs, 2,4 ms | |||
| GD25B64EWIGY | 0,8247 | | 7928 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25B | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | FLASH-NORE (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (5x6) | scaricamento | 1970-GD25B64EWIGY | 5.700 | 133 MHz | Non volatile | 64Mbit | 7nn | FLASH | 8Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 70 µs, 2,4 ms | |||||||
| GD25Q16EEJGR | 0,5939 | | 8216 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25Q | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-XFDFN Tampone esposto | FLASH-NORE (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-USO (3x2) | scaricamento | 1970-GD25Q16EEJGRTR | 3.000 | 133 MHz | Non volatile | 16Mbit | 7nn | FLASH | 2Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 140 µs, 4 ms | |||||||
 | GD25LQ40COIGR | - | | 5725 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | GD25LQ40 | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 2,1 V | 8-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Non volatile | 4Mbit | FLASH | 512K×8 | SPI - I/O quadruplo | 50 µs, 2,4 ms | |||
| GD25F128FWIGR | 1.3702 | | 9867 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25F | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | FLASH-NORE (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (5x6) | - | 1970-GD25F128FWIGRTR | 3.000 | 200 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI - I/O quadruplo | - | ||||||||
| GD25WQ128EWIGR | 1.4385 | | 7179 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25WQ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | FLASH-NORE (SLC) | 1,65 V ~ 3,6 V | 8-WSON (5x6) | scaricamento | 1970-GD25WQ128EWIGRTR | 3.000 | 104 MHz | Non volatile | 128Mbit | 8 nn | FLASH | 16Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 120 µs, 4 ms | |||||||
| GD55LB01GEFIRR | 9.2951 | | 9808 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD55LB | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | FLASH-NORE (SLC) | 1,65 V~2 V | 16-SOP | scaricamento | 1970-GD55LB01GEFIRRTR | 1.000 | 166 MHz | Non volatile | 1 Gbit | 6 ns | FLASH | 128Mx8 | SPI: quattro I/O, QPI, DTR | 70 µs, 1,2 ms | |||||||
| GD25LQ80ESIGR | 0,3786 | | 2065 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25LQ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | FLASH-NORE (SLC) | 1,65 V~2 V | 8-SOP | scaricamento | 1970-GD25LQ80ESIGRTR | 2.000 | 133 MHz | Non volatile | 8Mbit | 6 ns | FLASH | 1M x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2,4 ms |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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