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Memoria(847)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25LT512MEFIRR | 5.6176 |  | 8836 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25LT | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | FLASH-NORE (SLC) | 1,65 V~2 V | 16-SOP | - | 1970-GD25LT512MEFIRRTR | 1.000 | 200 MHz | Non volatile | 512Mbit | FLASH | 64Mx8 | SPI: quattro I/O, QPI, DTR | - | ||||||||
| GD55T01GEY2GR | 16.7580 | | 7366 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD55T | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | FLASH-NORE (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x8) | - | 1970-GD55T01GEY2GRTR | 3.000 | 200 MHz | Non volatile | 1 Gbit | FLASH | 128Mx8 | SPI - Quad I/O, DTR | - | ||||||||
| GD25WD20ETIGR | 0,2490 | | 4515 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25WD | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | FLASH-NORE (SLC) | 1,65 V ~ 3,6 V | 8-SOP | scaricamento | 1970-GD25WD20ETIGRTR | 3.000 | 104 MHz | Non volatile | 2Mbit | 6 ns | FLASH | 256K×8 | SPI: doppio I/O | 100 µs, 6 ms | |||||||
| GD25LR512MEYIGR | 5.0565 | | 9628 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25LR | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | FLASH-NORE (SLC) | 1,65 V~2 V | 8-WSON (6x8) | - | 1970-GD25LR512MEYIGRTR | 3.000 | 200 MHz | Non volatile | 512Mbit | FLASH | 64Mx8 | SPI - I/O quadruplo | - | ||||||||
| GD25B64EWIGR | 1.4100 | | 2128 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | FLASH-NORE (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3.000 | 133 MHz | Non volatile | 64Mbit | 7 ns | FLASH | 8Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 70 µs, 2,4 ms | |||||
| GD25Q80ES2GR | 0,5090 | | 5610 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25Q | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | FLASH-NORE (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | - | 1970-GD25Q80ES2GRTR | 2.000 | 133 MHz | Non volatile | 8Mbit | 7 ns | FLASH | 1M x 8 | SPI - I/O quadruplo | 140 µs, 4 ms | |||||||
| GD25LE80CLIGR | 0,4949 | | 2758 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25LE | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-XFBGA, WLCSP | FLASH-NORE (SLC) | 1,65 V ~ 2,1 V | 8-WLCSP | scaricamento | 1970-GD25LE80CLIGRTR | 3.000 | 104 MHz | Non volatile | 8Mbit | 6 ns | FLASH | 1M x 8 | SPI - I/O quadruplo | 50 µs, 2,4 ms | |||||||
| GD5F2GQ5RFZIGY | 4.3225 | | 4426 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Vassoio | Attivo | - | 1970-GD5F2GQ5RFZIGY | 4.800 | |||||||||||||||||||||
| GD25LE64EQIGR | 0,9126 | | 6575 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25LE | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-XDFN Tampone esposto | FLASH-NORE (SLC) | 1,65 V~2 V | 8-USO (4x4) | scaricamento | 1970-GD25LE64EQIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Non volatile | 64Mbit | 6 ns | FLASH | 8Mx8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2,4 ms | |||||||
| GD25LE255ESIGR | 2.1993 | | 1072 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25LE | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | FLASH-NORE (SLC) | 1,65 V~2 V | 8-SOP | - | 1970-GD25LE255ESIGRTR | 2.000 | 133 MHz | Non volatile | 256Mbit | 6 ns | FLASH | 32Mx8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2,4 ms | |||||||
| GD25LQ80ESIGR | 0,3786 | | 2065 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25LQ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | FLASH-NORE (SLC) | 1,65 V~2 V | 8-SOP | scaricamento | 1970-GD25LQ80ESIGRTR | 2.000 | 133 MHz | Non volatile | 8Mbit | 6 ns | FLASH | 1M x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2,4 ms | |||||||
| GD25Q32EEIGR | 0,6843 | | 7928 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25Q | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-XFDFN Tampone esposto | FLASH-NORE (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-USO (3x2) | scaricamento | 1970-GD25Q32EEIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Non volatile | 32Mbit | 7 ns | FLASH | 4M x 8 | SPI - I/O quadruplo | 70 µs, 2,4 ms | |||||||
| GD25LQ64EQEGR | 1.2496 | | 5677 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25LQ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-XDFN Tampone esposto | FLASH-NORE (SLC) | 1,65 V~2 V | 8-USO (4x4) | scaricamento | 1970-GD25LQ64EQEGRTR | 3.000 | 133 MHz | Non volatile | 64Mbit | 6 ns | FLASH | 8Mx8 | SPI - Quad I/O, QPI | 100 µs, 4 ms | |||||||
| GD25LF255EWIGY | 2.1590 | | 8261 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25LF | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | FLASH-NORE (SLC) | 1,65 V~2 V | 8-WSON (5x6) | scaricamento | 1970-GD25LF255EWIGY | 5.700 | 166 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 32Mx8 | SPI: quattro I/O, QPI, DTR | - | ||||||||
| GD25B512MEYEGR | 6.0164 | | 5649 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25B | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | FLASH-NORE (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x8) | scaricamento | 1970-GD25B512MEYEGTR | 3.000 | 133 MHz | Non volatile | 512Mbit | FLASH | 64Mx8 | SPI: quattro I/O, QPI, DTR | - | ||||||||
| GD25LQ255EBIRY | 2.2364 | | 6673 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25LQ | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | FLASH-NORE (SLC) | 1,65 V~2 V | 24-TFBGA (6x8) | scaricamento | 1970-GD25LQ255EBIRY | 4.800 | 133 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 32Mx8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | ||||||||
| GD25Q16EEIGR | 0,8200 | | 3 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-XFDFN Tampone esposto | GD25Q16 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-USO (2x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 133 MHz | Non volatile | 16Mbit | 7 ns | FLASH | 2Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 70μs, 2ms | ||
| GD55T02GEBARY | 39.0754 | | 6092 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD55T | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | FLASH-NORE (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD55T02GEBARY | 4.800 | 200 MHz | Non volatile | 2Gbit | FLASH | 256Mx8 | SPI - Quad I/O, DTR | - | ||||||||
| GD25WQ128ESIGR | 2.2300 | | 5531 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | FLASH-NORE (SLC) | 1,65 V ~ 3,6 V | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 2.000 | 104 MHz | Non volatile | 128Mbit | 8 ns | FLASH | 16Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 120 µs, 4 ms | |||||
| GD9FS4G8F3AMGI | 6.9852 | | 8654 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD9F | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | FLASH-NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 48-TSOP I | scaricamento | 1970-GD9FS4G8F3AMGI | 960 | Non volatile | 4Gbit | 22 ns | FLASH | 512Mx8 | ONFI | 25ns | ||||||||
| GD25B32EEAGR | 0,9968 | | 3390 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25B | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-XFDFN Tampone esposto | FLASH-NORE (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-USO (3x2) | - | 1970-GD25B32EEAGRTR | 3.000 | Non volatile | 32Mbit | FLASH | 4M x 8 | SPI - I/O quadruplo | - | |||||||||
| GD25Q16EEJGR | 0,5939 | | 8216 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25Q | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-XFDFN Tampone esposto | FLASH-NORE (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-USO (3x2) | scaricamento | 1970-GD25Q16EEJGRTR | 3.000 | 133 MHz | Non volatile | 16Mbit | 7 ns | FLASH | 2Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 140 µs, 4 ms | |||||||
| GD25LE128EQIGR | 1.3702 | | 1579 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25LE | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-XDFN Tampone esposto | FLASH-NORE (SLC) | 1,65 V~2 V | 8-USO (4x4) | scaricamento | 1970-GD25LE128EQIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Non volatile | 128Mbit | 6 ns | FLASH | 16Mx8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2,4 ms | |||||||
 | GD25VQ40CTIGR | 0,4033 | | 3962 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | GD25VQ40 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Non volatile | 4Mbit | FLASH | 512K×8 | SPI - I/O quadruplo | 50 µs, 3 ms | |||
| GD25LQ20EEIGR | 0,3515 | | 2521 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25LQ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-XFDFN Tampone esposto | FLASH-NORE (SLC) | 1,65 V~2 V | 8-USO (3x2) | scaricamento | 1970-GD25LQ20EEIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Non volatile | 2Mbit | 6 ns | FLASH | 256K×8 | SPI - I/O quadruplo | 60 µs, 2,4 ms | |||||||
| GD25Q32CHIGR | - | | 8915 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 8-UFDFN | GD25Q32 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-USO (3x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Non volatile | 32Mbit | FLASH | 4M x 8 | SPI - I/O quadruplo | 50 µs, 2,4 ms | |||
 | GD25Q32CVIGR | - | | 1931 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | GD25Q32 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Non volatile | 32Mbit | FLASH | 4M x 8 | SPI - I/O quadruplo | 50 µs, 2,4 ms | |||
| GD9FS8G8E3ALGJ | 17.9949 | | 2667 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Vassoio | Attivo | scaricamento | 1970-GD9FS8G8E3ALGJ | 2.100 | |||||||||||||||||||||
| GD25LH16ENIGR | 0,6080 | | 6672 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | 1970-GD25LH16ENIGRTR | 3.000 | |||||||||||||||||||||
| GD25R256EFIRR | 2.8829 | | 4734 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25R | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | FLASH-NORE (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP | - | 1970-GD25R256EFIRRTR | 1.000 | 200 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 32Mx8 | SPI - I/O quadruplo | - |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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