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Memoria(5712)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS25WQ040-JKLE-TR | - |  | 5783 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | IS25WQ040 | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-WSON (6x5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.500 | 104 MHz | Non volatile | 4Mbit | FLASH | 512K×8 | SPI | 1 ms | |||
 | IS42S32800D-7BI | - | | 3614 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8Mx32 | Parallelo | - | ||
 | IS61LV6416-10TL-TR | - | | 9146 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS61LV6416 | SRAM-Asincrono | 3,135 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1.000 | Volatile | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallelo | 10ns | |||
 | IS43TR16640B-125JBL | - | | 8733 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | Volatile | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | IS45S16800E-7TLA1-TR | - | | 4097 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS45S16800 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 143 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8Mx16 | Parallelo | - | ||
 | IS61QDB42M18A-333M3I | - | | 7214 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | IS61QDB42 | SRAM-Sincrono, QUAD | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 333 MHz | Volatile | 36Mbit | 8,4 ns | SRAM | 2Mx18 | Parallelo | - | ||
 | IS61VPS51236B-200B3LI | 16.3574 | | 4114 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | IS61VPS51236 | SRAM: sincronismo, SDR | 2.375 V~2.625 V | 165-TFBGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | Volatile | 18Mbit | 3 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | ||
| IS46TR16256BL-125KBLA2-TR | 8.9855 | | 3973 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS46TR16256 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS46TR16256BL-125KBLA2-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 800 MHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 256Mx16 | Parallelo | 15ns | |
 | IS42S16800D-75EBLI | - | | 6633 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-VFBGA | IS42S16800 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-MiniBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | Volatile | 128Mbit | 6,5 n | DRAM | 8Mx16 | Parallelo | - | ||
 | IS46TR82560DL-125KBLA2 | - | | 6321 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | IS46TR82560 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-TWBGA (8x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS46TR82560DL-125KBLA2 | EAR99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 256Mx8 | Parallelo | 15ns | |
 | IS49NLC93200A-18WBLI | 33.5439 | | 8665 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | RLDRAM2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS49NLC93200A-18WBLI | 104 | 533 MHz | Volatile | 288Mbit | 15 ns | DRAM | 32Mx9 | HSTL | - | ||||
 | IS62WV102416EBLL-55BLI-TR | 7.8689 | | 5672 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-VFBGA | IS62WV102416 | SRAM-Asincrono | 2,2 V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Volatile | 16Mbit | 55 ns | SRAM | 1Mx16 | Parallelo | 55ns | |||
| IS62WV51216HBLL-45TLI-TR | 3.8443 | | 6732 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | SRAM-Asincrono | 2,2 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS62WV51216HBLL-45TLI-TR | 1.000 | Volatile | 8Mbit | 45 ns | SRAM | 512K x 16 | Parallelo | 45ns | ||||||
| IS43TR16512B-107MBL-TR | 17.5826 | | 3610 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (10x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43TR16512B-107MBL-TR | 2.000 | 933 MHz | Volatile | 8Gbit | 20 ns | DRAM | 512Mx16 | Parallelo | 15ns | |||||
| IS42S16320D-7TL-TR | 11.5500 | | 7087 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S16320 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 143 MHz | Volatile | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | - | ||
| IS46TR81280BL-125JBLA2-TR | - | | 7068 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | IS46TR81280 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-TWBGA (8x10,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS46TR81280BL-125JBLA2-TR | EAR99 | 8542.32.0032 | 2.000 | 800 MHz | Volatile | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx8 | Parallelo | 15ns | |
| IS21ES08GA-JQLI | 15.8300 | | 2098 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100 LBGA | IS21ES08 | FLASH NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-LFBGA (14x18) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS21ES08GA-JQLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | eMMC | - | |||
| IS25LX064-JHLE-TR | 1.9290 | | 3481 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | IS25LX064 | FLASH | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS25LX064-JHLE-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Non volatile | 64Mbit | FLASH | 8Mx8 | SPI - I/O ottale | - | ||
| IS43LR32400F-6BL | - | | 2135 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS43LR32400 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,5 ns | DRAM | 4Mx32 | Parallelo | 15ns | ||
| IS43DR86400E-25DBL-TR | 2.4369 | | 5920 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-TWBGA (8x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43DR86400E-25DBL-TR | 2.000 | 400 MHz | Volatile | 512Mbit | 400 CV | DRAM | 64Mx8 | SSTL_18 | 15ns | |||||
 | IS61C1024AL-12KI | - | | 8420 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-BSOJ (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS61C1024 | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-SOJ | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 21 | Volatile | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 128K×8 | Parallelo | 12ns | |||
 | IS22TF08G-JCLA1 | 20.3738 | | 6874 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-VFBGA | IS22TF08 | FLASH-NAND (pSLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS22TF08G-JCLA1 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 200 MHz | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | MMC | - | ||
 | IS43DR16128C-3DBLI-TR | 11.3700 | | 6645 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 84-TFBGA | IS43DR16128 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.500 | 333 MHz | Volatile | 2Gbit | 450 CV | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| IS46TR16640ED-125KBLA3 | - | | 8837 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Massa | Attivo | -40°C ~ 125°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS46TR16640ED-125KBLA3 | 190 | 800 MHz | Volatile | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64Mx16 | SSTL_15 | 15ns | |||||
 | IS46R86400D-6BLA1 | 9.9837 | | 8637 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Design non per nuovi | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | IS46R86400 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 190 | 166 MHz | Volatile | 512Mbit | 700 CV | DRAM | 64Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
| IS43DR16640B-3DBL | 6.1100 | | 8360 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Design non per nuovi | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 84-TFBGA | IS43DR16640 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-1202 | EAR99 | 8542.32.0032 | 209 | 333 MHz | Volatile | 1Gbit | 450 CV | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | 15ns | |
 | IS42S83200G-7BLI | 7.7798 | | 2774 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Design non per nuovi | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TFBGA | IS42S83200 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 348 | 143 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 32Mx8 | Parallelo | - | ||
| IS42S16800F-7TL | 2.7100 | | 3 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S16800 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-1205 | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8Mx16 | Parallelo | - | |
| IS61NVF25672-7.5B1I | - | | 5007 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 209-BGA | IS61NVF25672 | SRAM: sincronismo, SDR | 2.375 V~2.625 V | 209-LFBGA (14x22) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 117 MHz | Volatile | 18Mbit | 7,5 ns | SRAM | 256K×72 | Parallelo | - | ||
| IS42S16160D-75EBL | - | | 4943 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TFBGA | IS42S16160 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TW-BGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 133 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,5 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | - |
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