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Memoria(5712)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS25WP256D-JMLE-TR | 3.8581 |  | 2100 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | IS25WP256 | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 1,95 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 104 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 32Mx8 | SPI: quattro I/O, QPI, DTR | 800 µs | |||
 | IS42S32400D-6T-TR | - | | 4804 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S32400 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 166 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4Mx32 | Parallelo | - | ||
 | IS61LPS25618A-200B2LI-TR | - | | 6832 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 119-BBGA | IS61LPS25618 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 119-PBGA (14x22) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 3,1 ns | SRAM | 256K×18 | Parallelo | - | ||
 | IS42S16100C1-6T-TR | - | | 3016 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 50-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S16100 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 50-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 166 MHz | Volatile | 16Mbit | 5,5 ns | DRAM | 1Mx16 | Parallelo | - | ||
 | IS42S81600F-7TL-TR | 2.2033 | | 5200 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S81600 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 143 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx8 | Parallelo | - | ||
 | IS46TR16256BL-107MBLA2-TR | 9.4403 | | 8733 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS46TR16256 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS46TR16256BL-107MBLA2-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 933 MHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 256Mx16 | Parallelo | 15ns | |
 | IS61NLP51236B-200B3I | - | | 7731 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | IS61NLP51236 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-TFBGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS61NLP51236B-200B3I | OBSOLETO | 144 | 200 MHz | Volatile | 18Mbit | 3 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | ||
 | IS62WV1288DBLL-45QLI | - | | 7442 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-SOIC (0,445", larghezza 11,30 mm) | IS62WV1288 | SRAM-Asincrono | 2,3 V ~ 3,6 V | 32-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 84 | Volatile | 1Mbit | 45 ns | SRAM | 128K×8 | Parallelo | 45ns | |||
 | IS21ES08GA-JCLI | 15.6400 | | 4274 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-VFBGA | IS21ES08 | FLASH NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS21ES08GA-JCLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | eMMC | - | |||
 | IS61LPD102418A-200TQI | - | | 6446 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IS61LPD102418 | SRAM: sincronismo, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-LQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Volatile | 18Mbit | 3,1 ns | SRAM | 1Mx18 | Parallelo | - | ||
 | IS62WV102416BLL-25MI | - | | 5852 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | IS62WV102416 | SRAM-Asincrono | 1,65 V ~ 3,6 V | 48-miniBGA (9x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 220 | Volatile | 16Mbit | 25 ns | SRAM | 1Mx16 | Parallelo | 25ns | |||
| IS46TR16128DL-125KBLA1 | 5.5503 | | 7678 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS46TR16128DL-125KBLA1 | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | 15ns | |
 | IS25WP064A-RMLE-TY | 1.5641 | | 5600 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 1,95 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS25WP064A-RMLE-TY | 176 | 133 MHz | Non volatile | 64Mbit | 7nn | FLASH | 8Mx8 | SPI: quattro I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs | ||||
| IS43TR82560D-107MBLI | 5.0700 | | 1413 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 78-TWBGA (8x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43TR82560D-107MBLI | 242 | 933 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 256Mx8 | Parallelo | 15ns | |||||
 | IS61WV6416BLL-12KLI | 2.2660 | | 2756 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-BSOJ (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS61WV6416 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 44-SOJ | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 16 | Volatile | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallelo | 12ns | |||
| IS42S86400F-7TLI | 16.0200 | | 83 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S86400 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 MHz | Volatile | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 64Mx8 | Parallelo | - | ||
 | IS42VM32200K-75BLI | - | | 9181 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS42VM32200 | SDRAM-Mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | Volatile | 64Mbit | 6 ns | DRAM | 2Mx32 | Parallelo | - | ||
| IS25LP128F-RHLE | 2.1310 | | 4479 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Massa | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | FLASH-NORE (SLC) | 2,3 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS25LP128F-RHLE | 480 | 166 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI: quattro I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs | ||||||
| IS67WVC4M16EALL-7010BLIA1-TR | - | | 7016 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TC) | IS67WVC4M16 | PSRAM (Pseudo SRAM) | 1,7 V ~ 1,95 V | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | 104 MHz | Volatile | 64Mbit | 70 ns | PSRAM | 4Mx16 | Parallelo | 70ns | |||||
| IS43LR32160B-6BLI | - | | 7927 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS43LR32160 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 166 MHz | Volatile | 512Mbit | 5,5 ns | DRAM | 16Mx32 | Parallelo | 12ns | ||
 | IS49NLC18160-33BI | - | | 9018 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | IS49NLC18160 | RLDRAM2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 MHz | Volatile | 288Mbit | 20 ns | DRAM | 16Mx18 | Parallelo | - | ||
 | IS41C16105C-50TI-TR | - | | 5579 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 50-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm), 44 conduttori | IS41C16105 | DRAM-FP | 4,5 V ~ 5,5 V | 50-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | Volatile | 16Mbit | 25 ns | DRAM | 1Mx16 | Parallelo | 84ns | |||
| IS42S32160F-75EBL | 11.8443 | | 4901 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 133 MHz | Volatile | 512Mbit | 6 ns | DRAM | 16Mx32 | Parallelo | - | ||
| IS46LQ32128A-062BLA2-TR | - | | 4393 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-VFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS46LQ32128A-062BLA2-TR | 2.500 | 1,6GHz | Volatile | 4Gbit | 3,5 ns | DRAM | 128Mx32 | LVSTL | 18ns | |||||
| IS61LF51236B-7.5TQLI-TR | 13.9821 | | 1527 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IS61LF51236 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | Volatile | 18Mbit | 7,5 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | ||
| IS42S86400D-6TL-TR | 12.9150 | | 6534 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S86400 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 166 MHz | Volatile | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 64Mx8 | Parallelo | - | ||
 | IS43DR16128B-3DBL | - | | 2859 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 84-TFBGA | IS43DR16128 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TW-BGA (10,5x13,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 162 | 333 MHz | Volatile | 2Gbit | 450 CV | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| IS43TR16128C-107MBL | - | | 9271 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 933 MHz | Volatile | 2Gbit | 195 CV | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| IS61LF6436A-8.5TQLI-TR | 5.4170 | | 1696 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IS61LF6436 | SRAM: sincronismo, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-LQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 90 MHz | Volatile | 2Mbit | 8,5 ns | SRAM | 64K x 36 | Parallelo | - | ||
 | IS65WV102416DBLL-55CTLA3 | 10.5176 | | 4819 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | IS65WV102416 | SRAM-Asincrono | 2,2 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 96 | Volatile | 16Mbit | 55 ns | SRAM | 1Mx16 | Parallelo | 55ns |
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