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Memoria(5712)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43LD16128C-25BLI | - |  | 4534 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 134-TFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 134-TFBGA (10x11,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43LD16128C-25BLI | 171 | 400 MHz | Volatile | 2Gbit | 5,5 ns | DRAM | 128Mx16 | HSUL_12 | 15ns | |||||
 | IS45S32200E-7BLA1 | - | | 4885 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS45S32200 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,5 ns | DRAM | 2Mx32 | Parallelo | - | ||
| IS43LR32320C-5BLI-TR | 8.3524 | | 2827 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43LR32320C-5BLI-TR | 2.500 | 208 MHz | Volatile | 1Gbit | 5 nn | DRAM | 32Mx32 | Parallelo | 14,4ns | |||||
 | IS25LP128-JKLE-TR | 1.6825 | | 4236 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | IS25LP128 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.500 | 133 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI - Quad I/O, QPI | 1 ms | |||
| IS42S32800J-7BLI | 7.8300 | | 2 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8Mx32 | Parallelo | - | ||
| IS61NVP25672-200B1I | - | | 2985 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 209-BGA | IS61NVP25672 | SRAM: sincronismo, SDR | 2.375 V~2.625 V | 209-LFBGA (14x22) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 200 MHz | Volatile | 18Mbit | 3,1 ns | SRAM | 256Kx72 | Parallelo | - | ||
 | IS62WV1288BLL-55TLI-TR | 1.6971 | | 9012 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | IS62WV1288 | SRAM-Asincrono | 2,5 V ~ 3,6 V | 32-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 1.500 | Volatile | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 128K×8 | Parallelo | 55ns | |||
| IS49NLC93200A-25WBL | 27.7833 | | 5598 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | RLDRAM2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS49NLC93200A-25WBL | 104 | 400 MHz | Volatile | 288Mbit | 20 ns | DRAM | 32Mx9 | HSTL | - | ||||
 | IS64LF204818B-7.5TQLA3-TR | 116.5500 | | 4916 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IS64LF204818 | SRAM-Asincrono | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | Volatile | 36Mbit | 7,5 ns | SRAM | 2Mx18 | Parallelo | - | ||
| IS61LF12836EC-6.5TQLI | 7.8683 | | 9494 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IS61LF12836 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 6,5 n | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | ||
| IS42RM32200M-6BLI | - | | 9155 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS42RM32200 | SDRAM-Mobile | 2,3 V ~ 2,7 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,5 ns | DRAM | 2Mx32 | Parallelo | - | ||
 | IS46DR16640C-25DBLA2 | 7.0301 | | 9571 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 84-TFBGA | IS46DR16640 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 209 | 400 MHz | Volatile | 1Gbit | 400 CV | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | IS62WV6416BLL-55BLI-TR | 1.9026 | | 6963 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | IS62WV6416 | SRAM-Asincrono | 2,5 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 2.500 | Volatile | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallelo | 55ns | |||
 | IS61WV51216EEBLL-10T2LI-TR | 6.9269 | | 7395 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | IS61WV51216 | SRAM-Asincrono | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.500 | Volatile | 8Mbit | 10 ns | SRAM | 512K x 16 | Parallelo | 10ns | |||
 | IS49NLC36800-33BL | - | | 8387 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | IS49NLC36800 | RLDRAM2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 MHz | Volatile | 288Mbit | 20 ns | DRAM | 8Mx36 | Parallelo | - | ||
 | IS43R32800B-6BL | - | | 2731 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 144-LFBGA | IS43R32800 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 144-MiniBGA (12x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 189 | 166 MHz | Volatile | 256Mbit | 700 CV | DRAM | 8Mx32 | Parallelo | 15ns | ||
| IS43DR16640A-3DBL | - | | 8828 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 84-TFBGA | IS43DR16640 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x13,65) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 333 MHz | Volatile | 1Gbit | 450 CV | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| IS43TR81024BL-107MBL-TR | 19.5776 | | 6111 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-TWBGA (10x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43TR81024BL-107MBL-TR | 2.000 | 933 MHz | Volatile | 8Gbit | 20 ns | DRAM | 1G x 8 | Parallelo | 15ns | |||||
 | IS42S16800F-7TLI | 3.0200 | | 3 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S16800 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-1270 | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8Mx16 | Parallelo | - | |
| IS43LR32640A-5BL-TR | 11.7150 | | 6848 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-LFBGA | IS43LR32640 | SDRAM-DDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-WBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.500 | 200 MHz | Volatile | 2Gbit | 5 nn | DRAM | 64Mx32 | Parallelo | 15ns | ||
| IS66WV1M16DBLL-55BLI-TR | - | | 8393 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | IS66WV1M16 | PSRAM (Pseudo SRAM) | 2,5 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 2.500 | Volatile | 16Mbit | 55 ns | PSRAM | 1Mx16 | Parallelo | 55ns | |||
 | IS43R32400E-5BL | 4.7139 | | 7457 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 144-LFBGA | IS43R32400 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 144-LFBGA (12x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 189 | 200 MHz | Volatile | 128Mbit | 700 CV | DRAM | 4Mx32 | Parallelo | 15ns | ||
| IS43R16320E-6TL | - | | 9246 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43R16320E-6TL | 108 | 166 MHz | Volatile | 512Mbit | 700 CV | DRAM | 32Mx16 | SSTL_2 | 15ns | |||||
| IS25LP128F-RHLE-TR | 1.9519 | | 3506 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | FLASH-NORE (SLC) | 2,3 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS25LP128F-RHLE-TR | 2.500 | 166 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI: quattro I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs | ||||||
 | IS46R16160D-5BLA1-TR | 6.4350 | | 5248 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | IS46R16160 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 200 MHz | Volatile | 256Mbit | 700 CV | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| IS43LQ16128AL-062BLI | - | | 2173 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM - Cellulare LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43LQ16128AL-062BLI | 136 | 1,6GHz | Volatile | 2Gbit | 3,5 ns | DRAM | 128Mx16 | LVSTL | 18ns | |||||
| IS43LQ16128A-062BLI-TR | - | | 7431 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-VFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43LQ16128A-062BLI-TR | 2.500 | 1,6GHz | Volatile | 2Gbit | 3,5 ns | DRAM | 128Mx16 | LVSTL | 18ns | |||||
| IS43DR16320E-25DBLI-TR | 4.3084 | | 5690 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 84-TFBGA | IS43DR16320 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 400 MHz | Volatile | 512Mbit | 400 CV | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| IS61WV102416FBLL-10BLI | 9.8195 | | 4590 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | IS61WV102416 | SRAM-Asincrono | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volatile | 16Mbit | 10 ns | SRAM | 1Mx16 | Parallelo | 10ns | |||
 | IS61QDP2B22M18A-333M3L | 71.5551 | | 4659 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | IS61QDP2 | SRAM-Sincrono, QUADP | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 333 MHz | Volatile | 36Mbit | 8,4 nn | SRAM | 2Mx18 | Parallelo | - |
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