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Memoria(5712)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43R16320F-6BLI | 6.1065 |  | 1036 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | IS43R16320 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 190 | 166 MHz | Volatile | 512Mbit | 700 CV | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | IS43LD32320D-18BLI | 9.5600 | | 2811 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | * | Vassoio | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43LD32320D-18BLI | 171 | |||||||||||||||||||
 | IS45S16400J-6CTLA1-TR | 4.0367 | | 2654 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS45S16400 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 166 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4Mx16 | Parallelo | - | ||
| IS43TR81280C-125JBLI-TR | 3.4178 | | 1087 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 78-TWBGA (8x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43TR81280C-125JBLI-TR | 2.000 | 800 MHz | Volatile | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx8 | Parallelo | 15ns | |||||
 | IS43R83200F-5TL | 3.0705 | | 1726 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS43R83200 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 200 MHz | Volatile | 256Mbit | 700 CV | DRAM | 32Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
| IS43LR16320C-5BLI | 6.8653 | | 6545 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-TFBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43LR16320C-5BLI | 300 | 200 MHz | Volatile | 512Mbit | 5 nn | DRAM | 32Mx16 | LVCMOS | 15ns | |||||
 | IS42S16100H-6BL | 1.4521 | | 5348 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | IS42S16100 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 60-TFBGA (6,4x10,1) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 286 | 166 MHz | Volatile | 16Mbit | 5,5 ns | DRAM | 1Mx16 | Parallelo | - | ||
 | IS39LV512-70JCE | - | | 2106 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-LCC (cavo J) | IS39LV512 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 32-PLCC (11,43x13,97) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 32 | Non volatile | 512Kbit | 70 ns | FLASH | 64K×8 | Parallelo | 70ns | |||
 | IS25LP064A-JGLE | - | | 8965 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | IS25LP064 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | Non volatile | 64Mbit | FLASH | 8Mx8 | SPI - Quad I/O, QPI | 800 µs | |||
 | IS42VS16100C1-10TI-TR | - | | 8711 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 50-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42VS16100 | SDRAM | 1,7 V ~ 1,9 V | 50-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 100 MHz | Volatile | 16Mbit | 7nn | DRAM | 1Mx16 | Parallelo | - | ||
 | IS43R32800D-5BLI-TR | - | | 1208 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 144-LFBGA | IS43R32800 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 144-LFBGA (12x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 200 MHz | Volatile | 256Mbit | 700 CV | DRAM | 8Mx32 | Parallelo | 15ns | ||
 | IS61LP6432A-133TQ-TR | - | | 1161 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IS61LP6436 | SRAM: sincronismo, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-LQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 133 MHz | Volatile | 2Mbit | 4nn | SRAM | 64K x 32 | Parallelo | - | ||
 | IS46TR16128A-15HBLA2 | - | | 4514 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| IS41C16105C-50TLI | - | | 9208 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS41C16105 | DRAM-FP | 4,5 V ~ 5,5 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | Volatile | 16Mbit | 25 ns | DRAM | 1Mx16 | Parallelo | - | |||
| IS46TR16640B-15GBLA25-TR | - | | 5814 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 115°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS46TR16640B-15GBLA25-TR | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.500 | 667 MHz | Volatile | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | 15ns | |
 | IS42RM32160C-75BLI-TR | - | | 1102 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-LFBGA | IS42RM32160 | SDRAM-Mobile | 2,3 V ~ 3 V | 90-WBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 133 MHz | Volatile | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx32 | Parallelo | - | ||
| IS42S32200L-7B | - | | 7440 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS42S32200 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 2Mx32 | Parallelo | - | ||
| IS62WV25616EBLL-55TLI | - | | 2137 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS62WV25616 | SRAM-Asincrono | 2,2 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 256K×16 | Parallelo | 55ns | |||
| IS42S16800D-7TI-TR | - | | 7256 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S16800 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 143 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8Mx16 | Parallelo | - | ||
 | IS45S16400J-6BLA1 | 4.2265 | | 7164 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TFBGA | IS45S16400 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4Mx16 | Parallelo | - | ||
| IS42S16400D-6BL | - | | 3341 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | IS42S16400 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 60-MiniBGA (6,4x10,1) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 286 | 166 MHz | Volatile | 64Mbit | 5 nn | DRAM | 4Mx16 | Parallelo | - | ||
| IS61LF51236B-6.5TQLI | 17.8310 | | 8275 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IS61LF51236 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | Volatile | 18Mbit | 6,5 n | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | ||
 | IS43LD32640B-25BLI | 11.2943 | | 7717 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 134-TFBGA | IS43LD32640 | SDRAM-Mobile LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-TFBGA (10x11,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 171 | 400 MHz | Volatile | 2Gbit | DRAM | 64Mx32 | Parallelo | 15ns | |||
| IS61NLP51236B-200TQLI-TR | 13.9821 | | 2127 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IS61NLP51236 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Volatile | 18Mbit | 3 nn | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | ||
| IS49NLS18320A-25EWBLI | 54.4856 | | 1222 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | RLDRAM2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS49NLS18320A-25EWBLI | 104 | 400 MHz | Volatile | 576Mbit | 15 ns | DRAM | 32Mx18 | HSTL | - | ||||
 | IS64WV12816DBLL-12CTLA3-TR | 5.9830 | | 4646 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS64WV12816 | SRAM-Asincrono | 2,4 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Volatile | 2Mbit | 12 ns | SRAM | 128K x 16 | Parallelo | 12ns | |||
| IS42S16320D-7TLI-TR | 13.8300 | | 7481 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S16320 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 143 MHz | Volatile | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | - | ||
 | IS49NLC18160-25BLI | - | | 4931 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | IS49NLC18160 | RLDRAM2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 400 MHz | Volatile | 288Mbit | 20 ns | DRAM | 16Mx18 | Parallelo | - | ||
| IS34MW01G084-BLI | 3.6500 | | 5673 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | FLASH-NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS34MW01G084-BLI | 220 | Non volatile | 1Gbit | 30 ns | FLASH | 128Mx8 | Parallelo | 45ns | ||||||
 | IS46TR81280CL-125JBLA2 | - | | 6776 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | IS46TR81280 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-TWBGA (8x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS46TR81280CL-125JBLA2 | EAR99 | 8542.32.0032 | 136 | 800 MHz | Volatile | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx8 | Parallelo | 15ns |
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