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Memoria(5712)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina | SIC programmabile |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS61LPD102418A-200TQI-TR | - |  | 1966 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IS61LPD102418 | SRAM: sincronismo, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-LQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Volatile | 18Mbit | 3,1 ns | SRAM | 1Mx18 | Parallelo | - | |||
 | IS45S32400B-6TLA1-TR | - | | 7961 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS45S32400 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 166 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4Mx32 | Parallelo | - | |||
| IS42S32200L-7TL-TR | 2.8125 | | 3405 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S32200 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 143 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 2Mx32 | Parallelo | - | |||
 | IS42S16400F-7TL | - | | 7238 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S16400 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4Mx16 | Parallelo | - | |||
 | IS61VPS102418A-250B3I-TR | - | | 2171 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | IS61VPS102418 | SRAM: sincronismo, SDR | 2.375 V~2.625 V | 165-TFBGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 250 MHz | Volatile | 18Mbit | 2,6 ns | SRAM | 1Mx18 | Parallelo | - | |||
| IS42S32200C1-7TL | - | | 6490 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S32200 | SDRAM | 3,15 V ~ 3,45 V | 86-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,5 ns | DRAM | 2Mx32 | Parallelo | - | |||
 | IS61WV6416EEBLL-10BLI | 1.6819 | | 6894 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | IS61WV6416 | SRAM-Asincrono | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 480 | Volatile | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallelo | 10ns | ||||
 | IS45VM16800H-75BLA2-TR | - | | 8284 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TFBGA | IS45VM16800 | SDRAM-Mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-TFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 133 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,5 ns | DRAM | 8Mx16 | Parallelo | - | |||
 | IS61LV5128AL-10K | - | | 8174 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 36-BSOJ (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS61LV5128 | SRAM-Asincrono | 3,135 V ~ 3,6 V | 36-SOJ | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 19 | Volatile | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 512K×8 | Parallelo | 10ns | ||||
 | IS43DR16320E-3DBL | 3.4400 | | 388 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 84-TFBGA | IS43DR16320 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-1555 | EAR99 | 8542.32.0028 | 209 | 333 MHz | Volatile | 512Mbit | 450 CV | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | IS45S16320D-7BLA1-TR | 19.4700 | | 3487 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TFBGA | IS45S16320 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 2.500 | 143 MHz | Volatile | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | - | |||
 | IS42S32160D-6BL-TR | 13.3800 | | 1964 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 166 MHz | Volatile | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx32 | Parallelo | - | Non verificato | ||
| IS42S83200B-7T-TR | - | | 4739 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S83200 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 143 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 32Mx8 | Parallelo | - | |||
| IS42S83200B-6T-TR | - | | 2530 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S83200 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 166 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 32Mx8 | Parallelo | - | |||
| IS61VPS51236A-200B3-TR | - | | 4225 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | IS61VPS51236 | SRAM: sincronismo, SDR | 2.375 V~2.625 V | 165-TFBGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 200 MHz | Volatile | 18Mbit | 3,1 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | |||
 | IS49NLS18320A-33WBL | - | | 6528 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | IS49NLS18320 | RLDRAM2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 104 | 300 MHz | Volatile | 576Mbit | 20 ns | DRAM | 32Mx18 | Parallelo | - | |||
 | IS46TR16640B-15GBLA2 | - | | 3279 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 667 MHz | Volatile | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | 15ns | |||
 | IS42S16100C1-6T | - | | 5988 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 50-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S16100 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 50-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | 166 MHz | Volatile | 16Mbit | 5,5 ns | DRAM | 1Mx16 | Parallelo | - | |||
| IS42S16160B-7T | - | | 6643 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S16160 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | - | |||
| IS43TR16640BL-125KBLI | - | | 7371 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | Volatile | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | 15ns | |||
 | IS25WP032D-JLLE | - | | 4663 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | IS25WP032 | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-WSON (8x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | Non volatile | 32Mbit | FLASH | 4M x 8 | SPI: quattro I/O, QPI, DTR | 800 µs | ||||
 | IS61WV5128BLL-10BLI-TR | 3.2736 | | 8793 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 36-TFBGA | IS61WV5128 | SRAM-Asincrono | 2,4 V ~ 3,6 V | 36-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Volatile | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 512K×8 | Parallelo | 10ns | ||||
| IS61LPS12836A-200TQI | - | | 7888 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IS61LPS12836 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 3,1 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | |||
| IS42S32400B-7BLI-TR | - | | 3292 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS42S32400 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 143 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4Mx32 | Parallelo | - | |||
 | IS41LV16100B-50TL | - | | 9357 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS41LV16100 | DRAM-EDO | 3 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | Volatile | 16Mbit | 25 ns | DRAM | 1Mx16 | Parallelo | - | ||||
 | IS46TR16256BL-107MBLA1 | 8.9696 | | 8044 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Massa | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS46TR16256BL-107MBLA1 | 190 | 933 MHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 256Mx16 | Parallelo | 15ns | ||||||
 | IS62WVS0648FBLL-20NLI | 2.2660 | | 1924 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | IS62WVS0648 | SRAM: sincronismo, SDR | 2,2 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 100 | 20 MHz | Volatile | 512Kbit | SRAM | 64K×8 | SPI: quattro I/O, SDI, DTR | - | ||||
| IS49NLS18160-33WBLI | - | | 5594 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | IS49NLS18160 | RLDRAM2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 MHz | Volatile | 288Mbit | 20 ns | DRAM | 16Mx18 | Parallelo | - | |||
 | IS61LV256AL-10TLI-TR | 1.0839 | | 6350 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 28-TSSOP (0,465", larghezza 11,80 mm) | IS61LV256 | SRAM-Asincrono | 3,135 V ~ 3,6 V | 28-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 2.000 | Volatile | 256Kbit | 10 ns | SRAM | 32K×8 | Parallelo | 10ns | ||||
 | IS49RL18320A-093EBLI | 76.6200 | | 1858 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 168-LBGA | RLDRAM 3 | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-FBGA (13,5x13,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS49RL18320A-093EBLI | EAR99 | 8542.32.0032 | 119 | 1.066GHz | Volatile | 576Mbit | 7,5 ns | DRAM | 32Mx18 | Parallelo | - |
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