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Memoria(5712)

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IS42S32400D-7B-TR	-	Richiesta di offerta	1839	ISSI, soluzione integrata di silicio Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	90-TFBGA	IS42S32400	SDRAM	3 V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0002	2.500	143 MHz	Volatile	128Mbit	5,4 ns	DRAM	4Mx32	Parallelo	-
IS42S32800J-7BLI-TR	5.8950	Richiesta di offerta	5820	ISSI, soluzione integrata di silicio Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	90-TFBGA	IS42S32800	SDRAM	3 V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0024	2.500	143 MHz	Volatile	256Mbit	5,4 ns	DRAM	8Mx32	Parallelo	-
IS43TR81280CL-125JBLI	3.8222	Richiesta di offerta	3150	ISSI, soluzione integrata di silicio Inc	Automobilistico, AEC-Q100	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-TFBGA	IS43TR81280	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-TWBGA (8x10,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	706-IS43TR81280CL-125JBLI	EAR99	8542.32.0032	242	800 MHz	Volatile	1 Gbit	20 ns	DRAM	128Mx8	Parallelo	15ns
IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR	9.1800	Richiesta di offerta	5963	ISSI, soluzione integrata di silicio Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	IS61WV51216	SRAM-Asincrono	2,4 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B2A	8542.32.0041	1.000		Volatile	8Mbit	10 ns	SRAM	512K x 16	Parallelo	10ns
IS43TR16512B-107MBL	19.3178	Richiesta di offerta	2779	ISSI, soluzione integrata di silicio Inc	-	Massa	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA		SDRAM-DDR3	1.425 V ~ 1.575 V	96-TWBGA (10x14)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		706-IS43TR16512B-107MBL			136	933 MHz	Volatile	8Gbit	20 ns	DRAM	512Mx16	Parallelo	15ns
IS62WV102416DBLL-45TLI	11.1800	Richiesta di offerta	9315	ISSI, soluzione integrata di silicio Inc	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm)	IS62WV102416	SRAM-Asincrono	2,2 V ~ 3,6 V	48-TSOP I	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B2A	8542.32.0041	96		Volatile	16Mbit	45 ns	SRAM	1Mx16	Parallelo	45ns
IS22TF08G-JQLA1	18.3944	Richiesta di offerta	9935	ISSI, soluzione integrata di silicio Inc	Automobilistico, AEC-Q100	Massa	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	100 LBGA		FLASH-NAND (pSLC)	2,7 V ~ 3,6 V	100-LFBGA (14x18)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		706-IS22TF08G-JQLA1			98	200 MHz	Non volatile	64Gbit		FLASH	8G x 8	eMMC_5.1	-
IS25LP080D-JNLA3-TR	0,7291	Richiesta di offerta	8937	ISSI, soluzione integrata di silicio Inc	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 125°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)		FLASH-NORE (SLC)	2,3 V ~ 3,6 V	8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		706-IS25LP080D-JNLA3-TR			3.000	133 MHz	Non volatile	8Mbit	7nn	FLASH	1M x 8	SPI: quattro I/O, QPI, DTR	40 µs, 800 µs
IS21ES08G-JCLI-TR	-	Richiesta di offerta	3982	ISSI, soluzione integrata di silicio Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	153-VFBGA	IS21ES08	FLASH NAND (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	153-VFBGA (11,5x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	2.000	200 MHz	Non volatile	64Gbit		FLASH	8G x 8	eMMC	-
IS46TR16640A-15GBLA1	-	Richiesta di offerta	4852	ISSI, soluzione integrata di silicio Inc	-	Vassoio	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM-DDR3	1.425 V ~ 1.575 V	96-TWBGA (9x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0032	190	667 MHz	Volatile	1 Gbit	20 ns	DRAM	64Mx16	Parallelo	15ns
IS42S32200E-5TL-TR	-	Richiesta di offerta	8697	ISSI, soluzione integrata di silicio Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	IS42S32200	SDRAM	3,15 V ~ 3,45 V	86-TSOP II	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0002	1.500	200 MHz	Volatile	64Mbit	5 nn	DRAM	2Mx32	Parallelo	-
IS45S16320D-7TLA1-TR	18.1050	Richiesta di offerta	1079	ISSI, soluzione integrata di silicio Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	IS45S16320	SDRAM	3 V ~ 3,6 V	54-TSOP II	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0032	1.500	143 MHz	Volatile	512Mbit	5,4 ns	DRAM	32Mx16	Parallelo	-