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Memoria(5712)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43DR16320E-3DBL-TR | 2.2990 |  | 1458 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 84-TFBGA | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43DR16320E-3DBL-TR | 2.500 | 333 MHz | Volatile | 512Mbit | 450 CV | DRAM | 32Mx16 | SSTL_18 | 15ns | |||||
 | IS49NLS93200-33B | - | | 8175 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | IS49NLS93200 | RLDRAM2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 MHz | Volatile | 288Mbit | 20 ns | DRAM | 32Mx9 | Parallelo | - | ||
 | IS42RM32800K-75BLI | 5.8888 | | 4512 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS42RM32800 | SDRAM-Mobile | 2,3 V ~ 3 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 133 MHz | Volatile | 256Mbit | 6 ns | DRAM | 8Mx32 | Parallelo | - | ||
 | IS45S16400J-7TLA1 | 3.4318 | | 4447 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS45S16400 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4Mx16 | Parallelo | - | ||
 | IS61LPS25636A-200TQ2LI | 15.4275 | | 3779 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IS61LPS25636 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Volatile | 9Mbit | 3,1 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallelo | - | ||
 | IS42RM16160K-6BLI | 5.9929 | | 9619 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TFBGA | IS42RM16160 | SDRAM-Mobile | 2,3 V ~ 3 V | 54-TFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 348 | 166 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,5 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | - | ||
 | IS43QR16512A-083TBLI | 18.9660 | | 2909 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS43QR16512 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-TWBGA (10x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS43QR16512A-083TBLI | EAR99 | 8542.32.0036 | 136 | 1,2GHz | Volatile | 8Gbit | 19 ns | DRAM | 512Mx16 | Parallelo | 15ns | |
 | IS64LF12836EC-7.5B3LA3-TR | 10.8000 | | 2084 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | IS64LF12836 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-TFBGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 117 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 7,5 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | ||
| IS42S16400F-7TLI | - | | 5843 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S16400 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4Mx16 | Parallelo | - | ||
| IS42VM32160E-6BLI | 9.5651 | | 9595 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS42VM32160 | SDRAM-Mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 166 MHz | Volatile | 512Mbit | 5,5 ns | DRAM | 16Mx32 | Parallelo | - | ||
 | IS62WV25616BLL-55BI | - | | 2573 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | IS62WV25616 | SRAM-Asincrono | 2,5 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volatile | 4Mbit | 55 nn | SRAM | 256K×16 | Parallelo | 55ns | |||
 | IS25LD020-JNLE-TR | - | | 9489 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | IS25LD020 | FLASH | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 100 MHz | Non volatile | 2Mbit | FLASH | 256K×8 | SPI | 5 ms | |||
 | IS43LD32128A-25BPL | - | | 6536 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 168-VFBGA | IS43LD32128 | SDRAM-Mobile LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS43LD32128A-25BPL | OBSOLETO | 1 | 400 MHz | Volatile | 4Gbit | 5,5 ns | DRAM | 128Mx32 | HSUL_12 | 15ns | ||
 | IS46TR16640BL-107MBLA1-TR | - | | 4405 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS46TR16640BL-107MBLA1-TR | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.500 | 933 MHz | Volatile | 1 Gbit | 20 ns | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | 15ns | |
| IS42S16800E-6BL | - | | 7063 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TFBGA | IS42S16800 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8Mx16 | Parallelo | - | ||
 | IS61QDPB42M36A1-500B4LI | 117.1779 | | 1983 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | IS61QDPB42 | SRAM-Sincrono, QUADP | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 500 MHz | Volatile | 72Mbit | 8,4 n | SRAM | 2Mx36 | Parallelo | - | ||
| IS25LQ020A-JNLE-TR | - | | 7050 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | IS25LQ020 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 80 MHz | Non volatile | 2Mbit | FLASH | 256K×8 | SPI - I/O quadruplo | 400 µs | |||
| IS43TR16128C-125KBLI | 6.2144 | | 7296 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | IS62WV102416DBLL-45TLI | 11.1800 | | 9315 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | IS62WV102416 | SRAM-Asincrono | 2,2 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 96 | Volatile | 16Mbit | 45 ns | SRAM | 1Mx16 | Parallelo | 45ns | |||
| IS61VPS51236A-200B3I-TR | - | | 5830 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | IS61VPS51236 | SRAM: sincronismo, SDR | 2.375 V~2.625 V | 165-TFBGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 200 MHz | Volatile | 18Mbit | 3,1 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | ||
 | IS46TR81280B-15GBLA2-TR | - | | 8174 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | IS46TR81280 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 78-TWBGA (8x10,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS46TR81280B-15GBLA2-TR | EAR99 | 8542.32.0032 | 2.000 | 667 MHz | Volatile | 1 Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx8 | Parallelo | 15ns | |
 | IS61DDB42M18-250M3L | - | | 2457 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | IS61DDB42 | SRAM: sincronismo, DDR II | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Volatile | 36Mbit | 5,85 n | SRAM | 2Mx18 | Parallelo | - | ||
| IS66WVE2M16ALL-7010BLI-TR | - | | 4935 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | IS66WVE2M16 | PSRAM (Pseudo SRAM) | 1,7 V ~ 1,95 V | 48-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Volatile | 32Mbit | 70 ns | PSRAM | 2Mx16 | Parallelo | 70ns | |||
| IS61QDPB41M36A-400M3L | 75.0000 | | 5048 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | IS61QDPB41 | SRAM-Sincrono, QUADP | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 400 MHz | Volatile | 36Mbit | 8,4 n | SRAM | 1Mx36 | Parallelo | - | ||
| IS43TR16256AL-107MBLI | - | | 9552 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 933 MHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 256Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| IS46LQ32128A-062BLA2 | - | | 9204 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Massa | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS46LQ32128A-062BLA2 | 136 | 1,6GHz | Volatile | 4Gbit | 3,5 ns | DRAM | 128Mx32 | LVSTL | 18ns | |||||
| IS42SM32400H-75BLI | 4.8188 | | 1305 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS42SM32400 | SDRAM-Mobile | 2,7 V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | Volatile | 128Mbit | 6 ns | DRAM | 4Mx32 | Parallelo | - | ||
| IS64WV6416EEBLL-10BLA3 | 3.9922 | | 2256 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | SRAM-Asincrono | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS64WV6416EEBLL-10BLA3 | 480 | Volatile | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 64K×16 | Parallelo | 10ns | ||||||
 | IS42S16100H-7BLI | 1.5256 | | 8442 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | IS42S16100 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 60-TFBGA (6,4x10,1) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 286 | 143 MHz | Volatile | 16Mbit | 5,5 ns | DRAM | 1Mx16 | Parallelo | - | ||
 | IS41C16105C-50TI | - | | 8876 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 50-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm), 44 conduttori | IS41C16105 | DRAM-FP | 4,5 V ~ 5,5 V | 50-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | Volatile | 16Mbit | 25 ns | DRAM | 1Mx16 | Parallelo | 84ns |
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