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Memoria(5712)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS61WV25616FBLL-10TLI-TR | 2.7265 |  | 8170 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | SRAM-Asincrono | 2,4 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS61WV25616FBLL-10TLI-TR | 1.000 | Volatile | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K×16 | Parallelo | 10ns | ||||||
 | IS42VS16100C1-10T-TR | - | | 8533 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 50-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42VS16100 | SDRAM | 1,7 V ~ 1,9 V | 50-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 100 MHz | Volatile | 16Mbit | 7 ns | DRAM | 1Mx16 | Parallelo | - | ||
 | IS21ES08G-JQLI | - | | 3734 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100 LBGA | IS21ES08 | FLASH NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-LFBGA (14x18) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS21ES08G-JQLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | eMMC | - | ||
 | IS61LV25616AL-10T | - | | 2800 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS61LV25616 | SRAM-Asincrono | 3,135 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volatile | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K×16 | Parallelo | 10ns | |||
 | IS25LP128-JMLE | 3.1800 | | 423 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | IS25LP128 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-1343 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI - Quad I/O, QPI | 1ms | ||
 | IS61WV51216BLL-10MLI | 16.0200 | | 575 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | IS61WV51216 | SRAM-Asincrono | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-miniBGA (9x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 210 | Volatile | 8Mbit | 10 ns | SRAM | 512K x 16 | Parallelo | 10ns | |||
| IS41LV16100B-50TL-TR | - | | 6321 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS41LV16100 | DRAM-EDO | 3 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | Volatile | 16Mbit | 25 ns | DRAM | 1Mx16 | Parallelo | - | |||
 | IS25WD020-JKLE-TR | - | | 8264 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | IS25WD020 | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-WSON (6x5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 80 MHz | Non volatile | 2Mbit | FLASH | 256K×8 | SPI | 3ms | |||
 | IS45S16160J-7CTLA1 | 5.1008 | | 9357 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS45S16160 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | - | ||
 | IS42S32400E-7TLI | - | | 2329 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S32400 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4Mx32 | Parallelo | - | ||
| IS43LR16160H-6BLI-TR | 4.6615 | | 6756 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-TFBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43LR16160H-6BLI-TR | 2.000 | 166 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,5 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 15ns | |||||
| IS43LQ16256AL-062TBLI | 13.0470 | | 7843 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-VFBGA | SDRAM - Cellulare LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43LQ16256AL-062TBLI | 136 | 1,6GHz | Volatile | 4Gbit | DRAM | 256Mx16 | LVSTL | - | ||||||
 | IS42S32160B-7BL-TR | - | | 2350 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-LFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-LFBGA (13x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.000 | 143 MHz | Volatile | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx32 | Parallelo | - | ||
 | IS42RM32800E-6BLI | 9.2729 | | 5441 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Design non per nuovi | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS42RM32800 | SDRAM-Mobile | 2,3 V ~ 3 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,5 ns | DRAM | 8Mx32 | Parallelo | - | ||
 | IS43TR16640A-15GBL | - | | 3643 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 667 MHz | Volatile | 1 Gbit | 20 ns | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | IS62WVS1288FBLL-20NLI | 2.5017 | | 6604 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | IS62WVS1288 | SRAM: sincronismo, SDR | 2,2 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 100 | 20 MHz | Volatile | 1Mbit | SRAM | 128K×8 | SPI: quattro I/O, SDI | - | |||
| IS62C10248AL-55TLI | 10.5176 | | 1108 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS62C10248 | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volatile | 8Mbit | 55 nn | SRAM | 1M×8 | Parallelo | 55ns | |||
 | IS64WV5128EDBLL-10BLA3-TR | 7.5000 | | 5923 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 36-TFBGA | IS64WV5128 | SRAM-Asincrono | 2,4 V ~ 3,6 V | 36-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Volatile | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 512K×8 | Parallelo | 10ns | |||
 | IS43DR16640C-3DBL | 3.9700 | | 1 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 84-TFBGA | IS43DR16640 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-1563 | EAR99 | 8542.32.0032 | 209 | 333 MHz | Volatile | 1 Gbit | 450 CV | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | 15ns | |
| IS42S32800D-6BI-TR | - | | 9637 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 166 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8Mx32 | Parallelo | - | ||
| IS29GL032-70TLET | 3.0443 | | 5900 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Massa | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | FLASH-NORE (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS29GL032-70TLET | 96 | Non volatile | 32Mbit | 70 ns | FLASH | 2Mx16 | CFI | 70ns | ||||||
| IS46TR81024B-125KBLA1-TR | 22.9824 | | 5510 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 78-TWBGA (10x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS46TR81024B-125KBLA1-TR | 2.000 | 800 MHz | Volatile | 8Gbit | 20 ns | DRAM | 1G x 8 | Parallelo | 15ns | |||||
 | IS46R16320E-6TLA1-TR | 6.9878 | | 7283 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS46R16320 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 166 MHz | Volatile | 512Mbit | 700 CV | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| IS42S32800B-7BLI | - | | 5206 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-LFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-LFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,5 ns | DRAM | 8Mx32 | Parallelo | - | ||
 | IS46LD32640B-25BLA1 | - | | 3793 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 134-TFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 134-TFBGA (10x11,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS46LD32640B-25BLA1 | 1 | 400 MHz | Volatile | 2Gbit | 5,5 ns | DRAM | 64Mx32 | HSUL_12 | 15ns | ||||
 | IS61LPS25636A-200TQ2I | - | | 5708 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IS61LPS25636 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Volatile | 9Mbit | 3,1 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallelo | - | ||
| IS42S32160B-6TLI | - | | 4664 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S32160 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 MHz | Volatile | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx32 | Parallelo | - | ||
 | IS25WP256D-JLLE | 5.0200 | | 9 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | IS25WP256 | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-WSON (8x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 32Mx8 | SPI: quattro I/O, QPI, DTR | 800 µs | |||
| IS64WV6416BLL-15BA3 | - | | 1092 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | IS64WV6416 | SRAM-Asincrono | 2,5 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 480 | Volatile | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 64K×16 | Parallelo | 15ns | |||
| IS62WV25616DBLL-55TLI | - | | 9730 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS62WV25616 | SRAM-Asincrono | 2,3 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 4Mbit | 55 nn | SRAM | 256K×16 | Parallelo | 55ns |
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