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Memoria(5712)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS22TF128G-JQLA1-TR | 74.4800 |  | 6033 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100 LBGA | FLASH-NAND (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-LFBGA (14x18) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS22TF128G-JQLA1-TR | 1.000 | 200 MHz | Non volatile | 1Tbit | FLASH | 128G x 8 | eMMC_5.1 | - | ||||||
 | IS46LD32128C-25BPLA2-TR | - | | 3161 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 168-VFBGA | IS46LD32128 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS46LD32128C-25BPLA2-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 400 MHz | Volatile | 4Gbit | 5,5 ns | DRAM | 128Mx32 | HSUL_12 | 15ns | |
 | IS49NLC96400-25BLI | - | | 1412 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | IS49NLC96400 | RLDRAM2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | Volatile | 576Mbit | 20 ns | DRAM | 64Mx9 | Parallelo | - | ||
 | IS43TR16640BL-125KBL-TR | - | | 1743 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS43TR16640BL-125KBL-TR | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.500 | 800 MHz | Volatile | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | 15ns | |
| IS43QR85120B-083RBLI-TR | 9.5494 | | 3476 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-TWBGA (10x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43QR85120B-083RBLI-TR | 2.000 | 1,2GHz | Volatile | 4Gbit | 19 ns | DRAM | 512Mx8 | POD | 15ns | |||||
 | IS43LQ32128A-062BLI | - | | 7499 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | IS43LQ32128 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS43LQ32128A-062BLI | EAR99 | 8542.32.0036 | 136 | 1,6GHz | Volatile | 4Gbit | DRAM | 128Mx32 | Parallelo | - | ||
 | IS43R16160D-6TL | 4.5300 | | 1808 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Design non per nuovi | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS43R16160 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | Volatile | 256Mbit | 700 CV | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| IS43TR16256A-093NBLI-TR | - | | 2123 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS43TR16256A-093NBLI-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 1.066GHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 256Mx16 | Parallelo | 15ns | |
 | IS61NVP51236-200B3I-TR | - | | 7807 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | IS61NVP51236 | SRAM: sincronismo, SDR | 2.375 V~2.625 V | 165-TFBGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 200 MHz | Volatile | 18Mbit | 3,1 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | ||
| IS62WV25616EBLL-45TI | - | | 1661 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS62WV25616 | SRAM-Asincrono | 2,2 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 4Mbit | 45 ns | SRAM | 256K×16 | Parallelo | 45ns | |||
| IS61NLP51236-200B3 | - | | 9739 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | IS61NLP51236 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-TFBGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | Volatile | 18Mbit | 3,1 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | ||
 | IS43DR16320E-25DBLI | 4.8898 | | 5009 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 84-TFBGA | IS43DR16320 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-1556 | EAR99 | 8542.32.0028 | 209 | 400 MHz | Volatile | 512Mbit | 400 CV | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns | |
| IS29GL064-70BLED-TR | 2.8354 | | 5641 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS29GL064-70BLED-TR | 2.500 | |||||||||||||||||||
| IS49NLC18320-33BI | - | | 3085 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | IS49NLC18320 | RLDRAM2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 104 | 300 MHz | Volatile | 576Mbit | 20 ns | DRAM | 32Mx18 | Parallelo | - | ||
| IS43LD32640C-25BLI | - | | 5824 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 134-TFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 134-TFBGA (10x11,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43LD32640C-25BLI | 171 | 400 MHz | Volatile | 2Gbit | 5,5 ns | DRAM | 64Mx32 | HSUL_12 | 15ns | |||||
| IS43LQ16256AL-062BLI-TR | - | | 9671 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-VFBGA | SDRAM - Cellulare LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43LQ16256AL-062BLI-TR | 2.500 | 1,6GHz | Volatile | 4Gbit | DRAM | 256Mx16 | LVSTL | - | ||||||
 | IS62WV6416BLL-55BLI | 2.0771 | | 2174 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | IS62WV6416 | SRAM-Asincrono | 2,5 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 480 | Volatile | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 64K×16 | Parallelo | 55ns | |||
| IS49NLS96400A-25EWBLI | 54.4856 | | 1626 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | RLDRAM2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS49NLS96400A-25EWBLI | 104 | 400 MHz | Volatile | 576Mbit | 15 ns | DRAM | 64Mx9 | HSTL | - | ||||
| IS46LQ16128A-062TBLA2 | 11.6916 | | 4969 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Massa | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-TFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-TFBGA (10x14,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS46LQ16128A-062TBLA2 | 136 | 1,6GHz | Volatile | 2Gbit | 3,5 ns | DRAM | 128Mx16 | LVSTL | 18ns | |||||
 | IS25LQ032B-JMLE-TR | - | | 2750 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | IS25LQ032 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 104 MHz | Non volatile | 32Mbit | FLASH | 4M x 8 | SPI - I/O quadruplo | 1ms | |||
| IS61WV102416FBLL-8BLI-TR | 9.0839 | | 1337 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | SRAM-Asincrono | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS61WV102416FBLL-8BLI-TR | 2.500 | Volatile | 16Mbit | 8 ns | SRAM | 1Mx16 | Parallelo | 8ns | ||||||
 | IS25LP040E-JBLE | 0,6300 | | 40 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Tubo | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | IS25LP040 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS25LP040E-JBLE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | Non volatile | 4Mbit | 8 ns | FLASH | 512K×8 | SPI - Quad I/O, QPI | 1,2 ms | |
| IS46TR16256BL-125KBLA1-TR | 7.8141 | | 7393 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS46TR16256 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS46TR16256BL-125KBLA1-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 800 MHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 256Mx16 | Parallelo | 15ns | |
| IS29GL256-70SLEB-TR | 5.2027 | | 4073 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | FLASH-NORE (SLC) | 3 V ~ 3,6 V | 56-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS29GL256-70SLEB-TR | 800 | Non volatile | 256Mbit | 70 ns | FLASH | 32Mx8 | CFI | 70ns, 200μs | ||||||
| IS22TF16G-JCLA1-TR | 25.1370 | | 6117 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-VFBGA | FLASH-NAND (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS22TF16G-JCLA1-TR | 2.000 | 200 MHz | Non volatile | 128 Gbit | FLASH | 16G x 8 | eMMC_5.1 | - | ||||||
 | IS42S16400J-5BL-TR | 1.7040 | | 4623 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TFBGA | IS42S16400 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 200 MHz | Volatile | 64Mbit | 4,8 ns | DRAM | 4Mx16 | Parallelo | - | ||
| IS62WV6416BLL-55BLI-TR | 1.9026 | | 6963 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | IS62WV6416 | SRAM-Asincrono | 2,5 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 2.500 | Volatile | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 64K×16 | Parallelo | 55ns | |||
 | IS61WV25616EDBLL-8TLI | 4.3891 | | 9971 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS61WV25616 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volatile | 4Mbit | 8 ns | SRAM | 256K×16 | Parallelo | 8ns | |||
| IS43TR16128D-107MBLI | 5.1550 | | 2070 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-1719 | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 933 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | 15ns | |
 | IS42S16800E-75ETL-TR | - | | 2652 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S16800 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 133 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8Mx16 | Parallelo | - |
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