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Memoria(5712)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS62WV25616BLL-55TLI | 4.1800 |  | 3 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS62WV25616 | SRAM-Asincrono | 2,5 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volatile | 4Mbit | 55 nn | SRAM | 256K×16 | Parallelo | 55ns | |||
 | IS43R16320D-5BLI | 9.5792 | | 5169 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Design non per nuovi | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | IS43R16320 | SDRAM-DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 190 | 200 MHz | Volatile | 512Mbit | 700 CV | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | IS49FL004T-33JCE | - | | 5306 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-LCC (cavo J) | IS49FL004 | FLASH | 3 V ~ 3,6 V | 32-PLCC (11,43x13,97) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 32 | 33 MHz | Non volatile | 4Mbit | 120 n | FLASH | 512K×8 | Parallelo | - | ||
 | IS62WV10248BLL-55BLI | 6.8343 | | 6991 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | IS62WV10248 | SRAM-Asincrono | 2,5 V ~ 3,6 V | 48-miniBGA (7,2x8,7) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 312 | Volatile | 8Mbit | 55 nn | SRAM | 1M×8 | Parallelo | 55ns | |||
 | IS49NLS96400-33B | - | | 5483 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | IS49NLS96400 | RLDRAM2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 104 | 300 MHz | Volatile | 576Mbit | 20 ns | DRAM | 64Mx9 | Parallelo | - | ||
 | IS61VPD51236A-250B3 | - | | 5772 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | IS61VPD51236 | SRAM - Quad Port, sincronizzato | 2.375 V~2.625 V | 165-PBGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | Volatile | 18Mbit | 2,6 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | ||
 | IS62WV12816ALL-70BI | - | | 9936 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | IS62WV12816 | SRAM-Asincrono | 1,65 V~2,2 V | 48-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volatile | 2Mbit | 70 ns | SRAM | 128K x 16 | Parallelo | 70ns | |||
 | IS42S86400D-7TLI | 14.1882 | | 2540 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Design non per nuovi | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S86400 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 MHz | Volatile | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 64Mx8 | Parallelo | - | ||
| IS42S16800D-75ETL-TR | - | | 5198 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S16800 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 133 MHz | Volatile | 128Mbit | 6,5 n | DRAM | 8Mx16 | Parallelo | - | ||
 | IS42S32800B-6TLI-TR | - | | 2175 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S32800 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 166 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,5 ns | DRAM | 8Mx32 | Parallelo | - | ||
| IS34MW02G084-BLI-TR | 4.3621 | | 4179 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | FLASH-NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS34MW02G084-BLI-TR | 2.500 | Non volatile | 2Gbit | 30 ns | FLASH | 256Mx8 | Parallelo | 45ns | ||||||
 | IS42S16400J-7B2LI | 2.9583 | | 3399 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | IS42S16400 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 60-TFBGA (6,4x10,1) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 286 | 143 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4Mx16 | Parallelo | - | ||
| IS46R16160D-5BLA1-TR | 6.4350 | | 5248 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | IS46R16160 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 200 MHz | Volatile | 256Mbit | 700 CV | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| IS61VPD102418A-200B3I | - | | 9377 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | IS61VPD102418 | SRAM - Quad Port, sincronizzato | 2.375 V~2.625 V | 165-PBGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | Volatile | 18Mbit | 3,1 ns | SRAM | 1Mx18 | Parallelo | - | ||
| IS42S32200C1-7TL-TR | - | | 5089 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S32200 | SDRAM | 3,15 V ~ 3,45 V | 86-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 143 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,5 ns | DRAM | 2Mx32 | Parallelo | - | ||
 | IS49RL36160-125EBLI | - | | 1425 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 168-LBGA | IS49RL36160 | DRAM | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-FBGA (13,5x13,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 119 | 800 MHz | Volatile | 576Mbit | 10 ns | DRAM | 16Mx36 | Parallelo | - | ||
 | IS66WVO32M8DALL-200BLI | 6.9500 | | 47 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | IS66WVO32M8 | PSRAM (Pseudo SRAM) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS66WVO32M8DALL-200BLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 200 MHz | Volatile | 256Mbit | PSRAM | 32Mx8 | SPI - I/O ottale | 40ns | ||
 | IS43LR16320B-6BLI-TR | - | | 9237 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | IS43LR16320 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-TFBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 2.000 | 166 MHz | Volatile | 512Mbit | 5,5 ns | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 12ns | ||
 | IS45S16100H-7TLA2 | 2.4926 | | 4646 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 50-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS45S16100 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 50-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | 143 MHz | Volatile | 16Mbit | 5,5 ns | DRAM | 1Mx16 | Parallelo | - | ||
 | IS43R16320E-6BI | - | | 8785 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | IS43R16320 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 190 | 166 MHz | Volatile | 512Mbit | 700 CV | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | IS45S16320F-6BLA1 | 13.1535 | | 8826 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TFBGA | IS45S16320 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TW-BGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 167 MHz | Volatile | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | - | ||
 | IS42VM16400K-75BLI | - | | 6228 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TFBGA | IS42VM16400 | SDRAM-Mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-TFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 133 MHz | Volatile | 64Mbit | 6 ns | DRAM | 4Mx16 | Parallelo | - | ||
| IS66WVQ4M4DALL-200BLI | 3.4400 | | 480 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | IS66WVQ4M4 | PSRAM (Pseudo SRAM) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS66WVQ4M4DALL-200BLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 200 MHz | Volatile | 16Mbit | PSRAM | 4M x 4 | SPI - I/O quadruplo | 40ns | ||
 | IS46TR16640CL-125JBLA25-TR | - | | 7779 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 115°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS46TR16640CL-125JBLA25-TR | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.500 | 800 MHz | Volatile | 1 Gbit | 20 ns | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | 15ns | |
| IS64LV25616AL-12TA3 | - | | 9400 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS64LV25616 | SRAM-Asincrono | 3,135 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volatile | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 256K×16 | Parallelo | 12ns | |||
 | IS25LP064A-JGLE-TR | - | | 9510 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | IS25LP064 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Non volatile | 64Mbit | FLASH | 8Mx8 | SPI - Quad I/O, QPI | 800 µs | |||
| IS43TR16128DL-107MBL-TR | 4.3745 | | 3701 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43TR16128DL-107MBL-TR | 1.500 | 933 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | 15ns | |||||
 | IS25LP128F-JBLA3 | 3.1700 | | 9 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | IS25LP128 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS25LP128F-JBLA3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 166 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI: quattro I/O, QPI, DTR | 800 µs | ||
| IS43R16160D-6BLI-TR | 5.5050 | | 3422 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | IS43R16160 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 166 MHz | Volatile | 256Mbit | 700 CV | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | IS42S32200L-6BI | - | | 2608 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS42S32200 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 2Mx32 | Parallelo | - |
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