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Memoria(5712)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS46TR16128AL-125KBLA2 | - |  | 8804 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM-DDR3 | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | IS42SM16160E-75BLI-TR | - | | 8736 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TFBGA | IS42SM16160 | SDRAM-Mobile | 2,7 V ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 133 MHz | Volatile | 256Mbit | 6 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | - | ||
 | IS62WV1288DALL-55BLI | - | | 9485 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 36-TFBGA | IS62WV1288 | SRAM-Asincrono | 1,65 V~2,2 V | 36-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 128K×8 | Parallelo | 55ns | |||
 | IS43R32160D-5BL | - | | 4370 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 144-LFBGA | IS43R32160 | SDRAM-DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 144-LFBGA (12x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 189 | 200 MHz | Volatile | 512Mbit | 700 CV | DRAM | 16Mx32 | Parallelo | 15ns | ||
 | IS45S32400E-6TLA1-TR | - | | 7194 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS45S32400 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 166 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4Mx32 | Parallelo | - | ||
 | IS43LR32200B-6BLI-TR | - | | 7464 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS43LR32200 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 166 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,5 ns | DRAM | 2Mx32 | Parallelo | 15ns | ||
| IS45S32200E-7BLA2-TR | - | | 8274 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS45S32200 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 143 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,5 ns | DRAM | 2Mx32 | Parallelo | - | ||
 | IS64WV25616BLL-10BLA3-TR | 9.4500 | | 2623 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | IS64WV25616 | SRAM-Asincrono | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Volatile | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K×16 | Parallelo | 10ns | |||
 | IS61NLF102418B-7.5TQLI | 17.2425 | | 9394 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IS61NLF102418 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | Volatile | 18Mbit | 7,5 ns | SRAM | 1Mx18 | Parallelo | - | ||
 | IS25WQ020-JNLE | - | | 4837 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | IS25WQ020 | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | Non volatile | 2Mbit | FLASH | 256K×8 | SPI | 1 ms | |||
 | IS43LR16320B-6BL | - | | 5638 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | IS43LR16320 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-TFBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 300 | 166 MHz | Volatile | 512Mbit | 5,5 ns | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 12ns | ||
 | IS49NLS93200-33BI | - | | 4856 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | IS49NLS93200 | RLDRAM2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 MHz | Volatile | 288Mbit | 20 ns | DRAM | 32Mx9 | Parallelo | - | ||
 | IS42S16400D-7BLI | - | | 4753 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | IS42S16400 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 60-MiniBGA (6,4x10,1) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 286 | 143 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4Mx16 | Parallelo | - | ||
 | IS43R83200B-5TL | - | | 9073 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS43R83200 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 200 MHz | Volatile | 256Mbit | 700 CV | DRAM | 32Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
| IS43TR16256ECL-125LB2LI | - | | 7982 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 96-BGA | SDRAM-DDR3L | - | 96-BGA | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43TR16256ECL-125LB2LI | 136 | 800 MHz | Volatile | 4Gbit | DRAM | 256Mx16 | Parallelo | - | ||||||
| IS22TF128G-JCLA2-TR | 78.0045 | | 9539 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-VFBGA | FLASH-NAND (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS22TF128G-JCLA2-TR | 2.000 | 200 MHz | Non volatile | 1Tbit | FLASH | 128G x 8 | eMMC_5.1 | - | ||||||
| IS43TR16512S2DL-107MBLI | 21.8669 | | 6929 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-LFBGA | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-LWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43TR16512S2DL-107MBLI | 190 | 933 MHz | Volatile | 8Gbit | 20 ns | DRAM | 512Mx16 | Parallelo | 15ns | |||||
| IS42S32160B-75TL | - | | 3510 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S32160 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 144 | 133 MHz | Volatile | 512Mbit | 5,5 ns | DRAM | 16Mx32 | Parallelo | - | ||
| IS43LR16160H-6BL-TR | 4.2766 | | 8478 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-TFBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43LR16160H-6BL-TR | 2.000 | 166 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,5 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 15ns | |||||
 | IS46DR81280B-25DBLA1-TR | - | | 6590 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | IS46DR81280 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-TWBGA (8x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 2.000 | 400 MHz | Volatile | 1Gbit | 400 CV | DRAM | 128Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
| IS61NLP25618A-200TQI | - | | 5502 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IS61NLP25618 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 3,1 ns | SRAM | 256K×18 | Parallelo | - | ||
 | IS61LV5128AL-10TLI-TR | 3.3915 | | 9529 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS61LV5128 | SRAM-Asincrono | 3,135 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Volatile | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 512K×8 | Parallelo | 10ns | |||
 | IS43LD16640A-3BL-TR | - | | 2174 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | 0°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 134-TFBGA | IS43LD16640 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-TFBGA (10x11,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.200 | 333 MHz | Volatile | 1Gbit | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | 15ns | |||
| IS64WV6416BLL-15TA3 | - | | 7701 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS64WV6416 | SRAM-Asincrono | 2,5 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 135 | Volatile | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallelo | 15ns | |||
| IS42S32160F-75ETL-TR | 11.4600 | | 7540 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S32160 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 133 MHz | Volatile | 512Mbit | 6 ns | DRAM | 16Mx32 | Parallelo | - | ||
| IS42S16160G-5BL-TR | 6.5400 | | 4990 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TFBGA | IS42S16160 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 200 MHz | Volatile | 256Mbit | 5 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | - | ||
 | IS25CD025-JNLE | - | | 3687 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | IS25CD025 | FLASH | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 100 MHz | Non volatile | 256Kbit | FLASH | 32K×8 | SPI | 5 ms | |||
 | IS42S16100H-6TL-TR | 1.0897 | | 4391 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 50-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S16100 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 50-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 1.000 | 166 MHz | Volatile | 16Mbit | 5,5 ns | DRAM | 1Mx16 | Parallelo | - | ||
 | IS46LD32128B-18BPLA1 | - | | 1401 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 168-VFBGA | IS46LD32128 | SDRAM-Mobile LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS46LD32128B-18BPLA1 | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 533 MHz | Volatile | 4Gbit | 5,5 ns | DRAM | 128Mx32 | HSUL_12 | 15ns | |
| IS66WV1M16EBLL-70BLI-TR | 2.8644 | | 5565 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | IS66WV1M16 | PSRAM (Pseudo SRAM) | 2,5 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Volatile | 16Mbit | 70 ns | PSRAM | 1Mx16 | Parallelo | 70ns |
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