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Memoria(5712)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS42S32800B-7BL | - |  | 9231 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-LFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-LFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,5 ns | DRAM | 8Mx32 | Parallelo | - | ||
 | IS61WV20488FBLL-10T2LI-TR | 9.2060 | | 1192 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | SRAM-Asincrono | 2,4 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS61WV20488FBLL-10T2LI-TR | 1.500 | Volatile | 16Mbit | 10 ns | SRAM | 2Mx8 | Parallelo | 10ns | ||||||
 | IS46TR16128BL-125KBLA1 | - | | 8796 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | IS61DDB42M18C-250M3L | - | | 4152 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | IS61DDB42 | SRAM: sincronismo, DDR II | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Volatile | 36Mbit | 8,4 ns | SRAM | 2Mx18 | Parallelo | - | ||
| IS62WV10248HBLL-45BLI-TR | 3.8489 | | 9764 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-VFBGA | SRAM-Asincrono | 2,2 V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS62WV10248HBLL-45BLI-TR | 2.500 | Volatile | 8Mbit | 45 ns | SRAM | 1M x 8 | Parallelo | 45ns | ||||||
 | IS46R16320E-6BLA1 | 8.5354 | | 6096 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Design non per nuovi | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | IS46R16320 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 190 | 166 MHz | Volatile | 512Mbit | 700 CV | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | IS42VM16160K-6BLI-TR | 5.1153 | | 8327 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TFBGA | IS42VM16160 | SDRAM-Mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-TFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 166 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,5 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | - | ||
| IS43TR16128AL-15HBLI | - | | 9970 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | IS41LV16100B-60KL-TR | - | | 6277 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 42-BSOJ (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS41LV16100 | DRAM-EDO | 3 V ~ 3,6 V | 42-SOJ | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | Volatile | 16Mbit | 30 ns | DRAM | 1Mx16 | Parallelo | - | |||
| IS25WP128F-RMLE | - | | 2794 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 1,95 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS25WP128F-RMLE | OBSOLETO | 1 | 166 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI: quattro I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs | ||||
| IS22TF64G-JCLA2-TR | 53.0005 | | 1503 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-VFBGA | FLASH-NAND (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS22TF64G-JCLA2-TR | 2.000 | 200 MHz | Non volatile | 512Gbit | FLASH | 64G x 8 | eMMC_5.1 | - | ||||||
 | IS46LD32320A-3BLA2 | - | | 2517 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 134-TFBGA | IS46LD32320 | SDRAM-Mobile LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-TFBGA (10x11,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 171 | 333 MHz | Volatile | 1Gbit | DRAM | 32Mx32 | Parallelo | 15ns | |||
 | IS42S16100E-6TL | - | | 2256 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 50-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S16100 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 50-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | 166 MHz | Volatile | 16Mbit | 5,5 ns | DRAM | 1Mx16 | Parallelo | - | ||
| IS42S16400J-7BL | 1.8062 | | 9524 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TFBGA | IS42S16400 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 143 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4Mx16 | Parallelo | - | ||
| IS22TF08G-JCLA1-TR | 16.5585 | | 8320 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-VFBGA | FLASH-NAND (pSLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS22TF08G-JCLA1-TR | 2.000 | 200 MHz | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | eMMC_5.1 | - | ||||||
 | IS43DR81280B-25EBL | - | | 5488 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | IS43DR81280 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-TWBGA (8x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 242 | 400 MHz | Volatile | 1Gbit | 450 CV | DRAM | 128Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
 | IS25WP016D-JLLE | 0,8952 | | 4727 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Design non per nuovi | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | IS25WP016 | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-WSON (8x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | Non volatile | 16Mbit | FLASH | 2Mx8 | SPI: quattro I/O, QPI, DTR | 800 µs | |||
 | IS61C25616AL-10TLI | 3.7930 | | 6165 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS61C25616 | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volatile | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K×16 | Parallelo | 10ns | |||
 | IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR | 4.2627 | | 2290 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 36-TFBGA | IS61WV2568 | SRAM-Asincrono | 2,4 V ~ 3,6 V | 36-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Volatile | 2Mbit | 10 ns | SRAM | 256K×8 | Parallelo | 10ns | |||
| IS61QDB21M36C-250M3L | - | | 2734 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | IS61QDB21 | SRAM-Sincrono, QUAD | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Volatile | 36Mbit | 8,4 ns | SRAM | 1Mx36 | Parallelo | - | ||
| IS42SM16400K-6BLI-TR | - | | 9882 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TFBGA | IS42SM16400 | SDRAM-Mobile | 3 V ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 166 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,5 ns | DRAM | 4Mx16 | Parallelo | - | ||
| IS46TR16128B-15HBLA2-TR | - | | 3140 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 667 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | IS62WV102416BLL-25MLI | 19.3315 | | 6265 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | IS62WV102416 | SRAM-Asincrono | 1,65 V ~ 3,6 V | 48-miniBGA (9x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 210 | Volatile | 16Mbit | 25 ns | SRAM | 1Mx16 | Parallelo | 25ns | |||
 | IS62WV5128DBLL-45BI-TR | - | | 3407 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 36-TFBGA | IS62WV5128 | SRAM-Asincrono | 2,3 V ~ 3,6 V | 36-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 4Mbit | 45 ns | SRAM | 512K×8 | Parallelo | 45ns | |||
| IS42VM16320E-75BLI-TR | 8.0400 | | 6825 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TFBGA | IS42VM16320 | SDRAM-Mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-TFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 133 MHz | Volatile | 512Mbit | 6 ns | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | - | ||
| IS49NLC36160A-18WBLI | 57.2059 | | 8810 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | RLDRAM2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS49NLC36160A-18WBLI | 104 | 533 MHz | Volatile | 576Mbit | 15 ns | DRAM | 16Mx36 | HSTL | - | ||||
 | IS61LPS12836A-200TQLI | 10.4000 | | 3612 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IS61LPS12836 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 3,1 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | ||
| IS43TR16640CL-125JBLI | 4.5200 | | 2 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS43TR16640CL-125JBLI | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | Volatile | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | 15ns | |
 | IS61NVP51236-250B3I | - | | 3861 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | IS61NVP51236 | SRAM: sincronismo, SDR | 2.375 V~2.625 V | 165-TFBGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | Volatile | 18Mbit | 2,6 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | ||
 | IS61WV2568EDBLL-10KLI-TR | 4.5245 | | 8460 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 36-BSOJ (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS61WV2568 | SRAM-Asincrono | 2,4 V ~ 3,6 V | 36-SOJ | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | Volatile | 2Mbit | 10 ns | SRAM | 256K×8 | Parallelo | 10ns |
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