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Memoria(5712)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS61WV5128BLL-10TLI | 4.2600 |  | 4 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS61WV5128 | SRAM-Asincrono | 2,4 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volatile | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 512K×8 | Parallelo | 10ns | |||
 | IS46LR32160C-6BLA2-TR | 12.3150 | | 7363 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS46LR32160 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 166 MHz | Volatile | 512Mbit | 5,5 ns | DRAM | 16Mx32 | Parallelo | 12ns | ||
 | IS42S83200D-6TL | - | | 5030 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S83200 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 32Mx8 | Parallelo | - | ||
 | IS61DDP2B41M18A-400M3L | 44.1540 | | 6511 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | IS61DDP2 | SRAM: sincro, DDR IIP | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 400 MHz | Volatile | 18Mbit | SRAM | 1Mx18 | Parallelo | - | |||
 | IS43DR86400C-3DBL | 3.9375 | | 9319 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Design non per nuovi | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | IS43DR86400 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-TWBGA (8x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 242 | 333 MHz | Volatile | 512Mbit | 450 CV | DRAM | 64Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
 | IS66WVH16M8DBLL-100B1LI | 5.0400 | | 7 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | IS66WVH16M8 | PSRAM (Pseudo SRAM) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 100 MHz | Volatile | 128Mbit | 40 ns | PSRAM | 16Mx8 | Parallelo | 40ns | ||
 | IS46TR16128BL-15HBLA2-TR | - | | 7385 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 667 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | IS61NLP102418B-200TQLI-TR | 13.9821 | | 7444 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IS61NLP102418 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Volatile | 18Mbit | 3 ns | SRAM | 1Mx18 | Parallelo | - | ||
 | IS64WV102416EDBLL-12B4A3 | - | | 8098 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | IS64WV102416 | SRAM-Asincrono | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS64WV102416EDBLL-12B4A3 | OBSOLETO | 210 | Volatile | 16Mbit | 12 ns | SRAM | 1Mx16 | Parallelo | 12ns | |||
 | IS25LP080D-JNLA3 | 1.1500 | | 11 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | IS25LP080 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS25LP080D-JNLA3 | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 133 MHz | Non volatile | 8Mbit | FLASH | 1M x 8 | SPI: quattro I/O, QPI, DTR | 800 µs | ||
| IS42S32400F-7BL | 4.7838 | | 6287 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS42S32400 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4Mx32 | Parallelo | - | ||
 | IS61VF51236A-6.5B3I-TR | - | | 6923 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | IS61VF51236 | SRAM: sincronismo, SDR | 2.375 V~2.625 V | 165-TFBGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 133 MHz | Volatile | 18Mbit | 6,5 n | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | ||
 | IS42S16100F-5TL | - | | 8264 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 50-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S16100 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 50-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | 200 MHz | Volatile | 16Mbit | 5 ns | DRAM | 1Mx16 | Parallelo | - | ||
| IS66WVQ4M4DBLL-133BLI | 3.4400 | | 358 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | IS66WVQ4M4 | PSRAM (Pseudo SRAM) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS66WVQ4M4DBLL-133BLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 133 MHz | Volatile | 16Mbit | PSRAM | 4M x 4 | SPI - I/O quadruplo | 37,5ns | ||
 | IS25WQ020-JBLE | - | | 6871 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | IS25WQ020 | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | Non volatile | 2Mbit | FLASH | 256K×8 | SPI | 1 ms | |||
| IS61VPS102418A-250B3I | - | | 8308 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | IS61VPS102418 | SRAM: sincronismo, SDR | 2.375 V~2.625 V | 165-TFBGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | Volatile | 18Mbit | 2,6 ns | SRAM | 1Mx18 | Parallelo | - | ||
| IS65WV25616BLL-70TLA3 | 9.7086 | | 6029 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS65WV25616 | SRAM-Asincrono | 2,5 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volatile | 4Mbit | 70 ns | SRAM | 256K×16 | Parallelo | 70ns | |||
| IS42S32800D-6BL | - | | 3603 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8Mx32 | Parallelo | - | ||
| IS25LD020-JNLE | - | | 4825 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | IS25LD020 | FLASH | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 100 MHz | Non volatile | 2Mbit | FLASH | 256K×8 | SPI | 5 ms | |||
| IS61DDP2B251236A-400M3L | 44.1540 | | 4278 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | IS61DDP2 | SRAM: sincro, DDR IIP | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 400 MHz | Volatile | 18Mbit | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | |||
| IS25CQ032-JBLE-TR | - | | 2799 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | IS25CQ032 | FLASH | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | 104 MHz | Non volatile | 32Mbit | FLASH | 4M x 8 | SPI | 4 ms | |||
| IS25WJ032F-JYLE-TR | 0,7368 | | 4694 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS25WJ032F-JYLE-TR | 5.000 | |||||||||||||||||||
 | IS42S32200L-7TLI-TR | 3.7059 | | 7951 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S32200 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 143 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 2Mx32 | Parallelo | - | ||
| IS61NLP102436B-200B3LI-TR | 79.0500 | | 3208 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | IS61NLP102436 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-TFBGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 200 MHz | Volatile | 36Mbit | 3,1 ns | SRAM | 1Mx36 | Parallelo | - | ||
| IS46LQ16128A-062TBLA1 | 10.6342 | | 4344 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Massa | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-TFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-TFBGA (10x14,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS46LQ16128A-062TBLA1 | 136 | 1,6GHz | Volatile | 2Gbit | 3,5 ns | DRAM | 128Mx16 | LVSTL | 18ns | |||||
| IS42VM32200M-75BLI-TR | 3.1263 | | 1546 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS42VM32200 | SDRAM-Mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 2.500 | 133 MHz | Volatile | 64Mbit | 6 ns | DRAM | 2Mx32 | Parallelo | - | ||
 | IS61LV25616AL-10BLI-TR | 3.7646 | | 3189 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | IS61LV25616 | SRAM-Asincrono | 3,135 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Volatile | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K×16 | Parallelo | 10ns | |||
| IS61VPS25636A-200TQLI | 15.4275 | | 8319 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IS61VPS25636 | SRAM: sincronismo, SDR | 2.375 V~2.625 V | 100-LQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Volatile | 9Mbit | 3,1 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallelo | - | ||
 | IS43R86400E-5BLI | - | | 5738 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | IS43R86400 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 190 | 200 MHz | Volatile | 512Mbit | 700 CV | DRAM | 64Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
 | IS46LR16320C-6BLA2 | 12.8034 | | 5088 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | IS46LR16320 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-TFBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 300 | 166 MHz | Volatile | 512Mbit | 5,5 ns | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns |
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