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Memoria(5712)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS61LV12816L-10TLI | - |  | 6376 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS61LV12816 | SRAM-Asincrono | 3,135 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volatile | 2Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 16 | Parallelo | 10ns | |||
 | IS43DR16128B-25EBL-TR | - | | 9046 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 84-TFBGA | IS43DR16128 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TW-BGA (10,5x13,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 400 MHz | Volatile | 2Gbit | 400 CV | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | IS61WV25616BLL-10BI-TR | - | | 8222 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | IS61WV25616 | SRAM-Asincrono | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Volatile | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K×16 | Parallelo | 10ns | |||
 | IS61LPS204818B-200TQLI | 80.9126 | | 5428 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IS61LPS204818 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Volatile | 36Mbit | 3,1 ns | SRAM | 2Mx18 | Parallelo | - | ||
 | IS63WV1024BLL-12JLI | 1.8965 | | 1098 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-BSOJ (0,300", larghezza 7,62 mm) | IS63WV1024 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 32-SOJ | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 22 | Volatile | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 128K×8 | Parallelo | 12ns | |||
 | IS49NLC36800A-25EWBLI | 31.9177 | | 3382 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | RLDRAM2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS49NLC36800A-25EWBLI | 104 | 400 MHz | Volatile | 288Mbit | 15 ns | DRAM | 8Mx36 | HSTL | - | ||||
 | IS43DR86400C-25DBL | 6.1873 | | 5652 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Design non per nuovi | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | IS43DR86400 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-TWBGA (8x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 242 | 400 MHz | Volatile | 512Mbit | 400 CV | DRAM | 64Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
 | IS43DR16320C-3DBL-TR | 3.2736 | | 4512 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 84-TFBGA | IS43DR16320 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 333 MHz | Volatile | 512Mbit | 450 CV | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| IS61WV20488FBLL-8TLI-TR | 9.2060 | | 4969 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | SRAM-Asincrono | 2,4 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS61WV20488FBLL-8TLI-TR | 1.000 | Volatile | 16Mbit | 8 ns | SRAM | 2Mx8 | Parallelo | 8ns | ||||||
 | IS61DDB21M36-275M3 | - | | 2785 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | IS61DDB21 | SRAM: sincronismo, DDR II | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 275 MHz | Volatile | 36Mbit | SRAM | 1Mx36 | Parallelo | - | |||
 | IS43R16320D-5TL | 5.8923 | | 8863 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Design non per nuovi | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS43R16320 | SDRAM-DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 200 MHz | Volatile | 512Mbit | 700 CV | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| IS61NLF12836EC-7.5TQLI-TR | 6.8099 | | 3408 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IS61NLF12836 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 7,5 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | ||
| IS61NLF51236B-6.5TQLI-TR | 13.2194 | | 3584 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | SRAM-Sincrono, ZBT | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS61NLF51236B-6.5TQLI-TR | 800 | 133 MHz | Volatile | 18Mbit | 6,5 n | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | ||||
| IS43LQ32640A-062BLI-TR | - | | 3791 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-VFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43LQ32640A-062BLI-TR | 2.500 | 1,6GHz | Volatile | 2Gbit | 3,5 ns | DRAM | 64Mx32 | LVSTL | 18ns | |||||
| IS25WP020E-JYLE-TR | 0,3919 | | 3917 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 8-UFDFN | FLASH-NORE (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 8-USO (2x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS25WP020E-JYLE-TR | 5.000 | 104 MHz | Non volatile | 2Mbit | 8 ns | FLASH | 256K×8 | SPI - Quad I/O, QPI | 40 µs, 1,2 ms | |||||
 | IS49RL18320-093EBLI | - | | 6610 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 168-LBGA | IS49RL18320 | DRAM | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-FBGA (13,5x13,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 119 | 1.066GHz | Volatile | 576Mbit | 8 ns | DRAM | 32Mx18 | Parallelo | - | ||
 | IS61VPS51236A-250B3L | - | | 1534 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | IS61VPS51236 | SRAM: sincronismo, SDR | 2.375 V~2.625 V | 165-TFBGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | Volatile | 18Mbit | 2,6 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | ||
 | IS46TR16128BL-125KBLA2-TR | - | | 2214 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 800 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| IS43TR82560C-125KBL-TR | 3.7776 | | 1721 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 78-TWBGA (8x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43TR82560C-125KBL-TR | 2.000 | 800 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 256Mx8 | Parallelo | 15ns | |||||
| IS43TR16640CL-107MBLI | 4.6700 | | 1 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS43TR16640CL-107MBLI | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 933 MHz | Volatile | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | 15ns | |
| IS46TR16640ED-125KBLA2-TR | 8.2688 | | 3087 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS46TR16640ED-125KBLA2-TR | 1.500 | 800 MHz | Volatile | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64Mx16 | SSTL_15 | 15ns | |||||
 | IS42S32160A-75B-TR | - | | 4180 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-LFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-LFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 133 MHz | Volatile | 512Mbit | 6 ns | DRAM | 16Mx32 | Parallelo | - | ||
| IS61NLP12836EC-200TQLI-TR | 6.8099 | | 4914 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IS61NLP12836 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 3,1 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | ||
 | IS43R16320D-5BL | 8.4157 | | 5348 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Design non per nuovi | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | IS43R16320 | SDRAM-DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 190 | 200 MHz | Volatile | 512Mbit | 700 CV | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | IS61DDPB22M18A-400M3L | 71.5551 | | 7344 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | IS61DDPB22 | SRAM: sincro, DDR IIP | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 400 MHz | Volatile | 36Mbit | SRAM | 2Mx18 | Parallelo | - | |||
| IS43R16160B-6TL-TR | - | | 2974 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS43R16160 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 166 MHz | Volatile | 256Mbit | 700 CV | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| IS42VM32800K-75BLI | 6.0630 | | 6372 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS42VM32800 | SDRAM-Mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 133 MHz | Volatile | 256Mbit | 6 ns | DRAM | 8Mx32 | Parallelo | - | ||
| IS43DR16320D-25DBI | - | | 6184 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 84-TFBGA | IS43DR16320 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 209 | 400 MHz | Volatile | 512Mbit | 400 CV | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| IS43QR16512A-075VBLI | 19.5230 | | 9859 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-TWBGA (10x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43QR16512A-075VBLI | 136 | 1.333GHz | Volatile | 8Gbit | 18 ns | DRAM | 512Mx16 | Parallelo | 15ns | |||||
| IS64WV25616EFBLL-10CTLA3-TR | 5.7734 | | 6509 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | SRAM-Asincrono | 2,4 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS64WV25616EFBLL-10CTLA3-TR | 1.000 | Volatile | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K×16 | Parallelo | 10ns |
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