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Memoria(5712)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS25WP256E-RMLE-TR | 4.0063 |  | 9019 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | FLASH-NORE (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS25WP256E-RMLE-TR | 1.000 | 166 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 32Mx8 | SPI: quattro I/O, QPI, DTR | 50μs, 1ms | ||||||
 | IS46TR16128BL-15HBLA2-TR | - | | 7385 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 667 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | IS42S16160J-7TLI-TR | 2.8125 | | 2320 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S16160 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 143 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | - | ||
 | IS46LD32128B-25BPLA2 | - | | 7327 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 168-VFBGA | IS46LD32128 | SDRAM-Mobile LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS46LD32128B-25BPLA2 | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 400 MHz | Volatile | 4Gbit | 5,5 ns | DRAM | 128Mx32 | HSUL_12 | 15ns | |
 | IS61NLP102418B-200TQLI-TR | 13.9821 | | 7444 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IS61NLP102418 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Volatile | 18Mbit | 3 ns | SRAM | 1Mx18 | Parallelo | - | ||
| IS64WV102416EDBLL-12B4A3 | - | | 8098 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | IS64WV102416 | SRAM-Asincrono | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS64WV102416EDBLL-12B4A3 | OBSOLETO | 210 | Volatile | 16Mbit | 12 ns | SRAM | 1Mx16 | Parallelo | 12ns | |||
 | IS42S16100F-5TL | - | | 8264 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 50-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S16100 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 50-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | 200 MHz | Volatile | 16Mbit | 5 ns | DRAM | 1Mx16 | Parallelo | - | ||
| IS42S16100C1-5T-TR | - | | 9785 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 50-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S16100 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 50-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 16Mbit | 5 ns | DRAM | 1Mx16 | Parallelo | - | ||
 | IS42S32400F-7BL | 4.7838 | | 6287 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS42S32400 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4Mx32 | Parallelo | - | ||
 | IS61VF51236A-6.5B3I-TR | - | | 6923 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | IS61VF51236 | SRAM: sincronismo, SDR | 2.375 V~2.625 V | 165-TFBGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 133 MHz | Volatile | 18Mbit | 6,5 n | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | ||
| IS25WJ032F-JBLE | 1.0600 | | 365 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | IS25WJ032F | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS25WJ032F-JBLE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | Non volatile | 32Mbit | 6 ns | FLASH | 4M x 8 | SPI: quattro I/O, QPI, DTR | 1,6 ms | |
 | IS25LP080D-JNLA3 | 1.1500 | | 11 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | IS25LP080 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS25LP080D-JNLA3 | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 133 MHz | Non volatile | 8Mbit | FLASH | 1M x 8 | SPI: quattro I/O, QPI, DTR | 800 µs | ||
 | IS66WVH16M8DBLL-100B1LI | 5.0400 | | 7 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | IS66WVH16M8 | PSRAM (Pseudo SRAM) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 100 MHz | Volatile | 128Mbit | 40 ns | PSRAM | 16Mx8 | Parallelo | 40ns | ||
| IS42VM32400G-6BL-TR | - | | 6340 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS42VM32400 | SDRAM-Mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 166 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,5 ns | DRAM | 4Mx32 | Parallelo | - | ||
| IS61LPS25618A-200TQLI | 8.3815 | | 2200 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IS61LPS25618 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 3,1 ns | SRAM | 256K×18 | Parallelo | - | ||
 | IS42S16400F-6BLI | - | | 2038 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TFBGA | IS42S16400 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4Mx16 | Parallelo | - | ||
 | IS25LP512MG-RMLE | - | | 9680 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | IS25LP512 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS25LP512MG-RMLE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 166 MHz | Non volatile | 512Mbit | 5,5 ns | FLASH | 64Mx8 | SPI: quattro I/O, QPI, DTR | 50μs, 1ms | |
| IS25LP010E-JNLE | 0,4000 | | 686 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | IS25LP010 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS25LP010E-JNLE | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | Non volatile | 1Mbit | 8 ns | FLASH | 128K×8 | SPI: quattro I/O, QPI, DTR | 1,2 ms | |
 | IS64WV10248EDBLL-10BLA3 | 14.9738 | | 5443 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | IS64WV10248 | SRAM-Asincrono | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volatile | 8Mbit | 10 ns | SRAM | 1M x 8 | Parallelo | 10ns | |||
| IS45S16320D-7CTLA2 | 24.4571 | | 9508 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Design non per nuovi | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS45S16320 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 108 | 143 MHz | Volatile | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | - | ||
| IS42S86400D-7TL | 12.8997 | | 6470 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Design non per nuovi | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S86400 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 MHz | Volatile | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 64Mx8 | Parallelo | - | ||
| IS43TR16640B-093NBL-TR | - | | 4654 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS43TR16640B-093NBL-TR | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.500 | 1.066GHz | Volatile | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | 15ns | |
| IS66WVH32M8DALL-166B1LI | 4.8440 | | 3885 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | PSRAM (Pseudo SRAM) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-TFBGA (6x8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS66WVH32M8DALL-166B1LI | 480 | 166 MHz | Volatile | 256Mbit | 36 ns | PSRAM | 32Mx8 | Parallelo | 36ns | |||||
 | IS43R83200D-5TL-TR | 4.9392 | | 2946 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS43R83200 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 200 MHz | Volatile | 256Mbit | 700 CV | DRAM | 32Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
| IS42S32800J-75EBL-TR | 5.6100 | | 8134 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 133 MHz | Volatile | 256Mbit | 6 ns | DRAM | 8Mx32 | Parallelo | - | ||
 | IS49NLC18160-25WBLI | - | | 8132 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | IS49NLC18160 | RLDRAM2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 400 MHz | Volatile | 288Mbit | 20 ns | DRAM | 16Mx18 | Parallelo | - | ||
| IS42S32400D-6B-TR | - | | 7653 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | IS42S32400 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 166 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4Mx32 | Parallelo | - | ||
 | IS42S32200C1-6T | - | | 3342 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S32200 | SDRAM | 3,15 V ~ 3,45 V | 86-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,5 ns | DRAM | 2Mx32 | Parallelo | - | ||
| IS61LV25616AL-10BI | - | | 5137 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | IS61LV25616 | SRAM-Asincrono | 3,135 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | Q11107054 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 220 | Volatile | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K×16 | Parallelo | 10ns | ||
| IS42S32400D-6T | - | | 4147 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S32400 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4Mx32 | Parallelo | - |
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