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Memoria(158)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Tensione - Alimentazione	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Frequenza dell'orologio	Tipo di memoria	Dimensioni della memoria	Orario di accesso	Formato memoria	Organizzazione della memoria	Interfaccia di memoria	Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina
MB85RC16VPNF-G-JNE1	-	Richiesta di offerta	7286	Kaga FEI America, Inc.	-	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	MB85RC16	FRAM (RAM ferroelettrica)	3 V ~ 5,5 V	8-SOP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	865-1174	EAR99	8542.32.0071	1.500	1 megahertz	Non volatile	16Kbit	550 n	FRAM	2K×8	I²C	-
MB85RS1MTPH-G-JNE1	-	Richiesta di offerta	5117	Kaga FEI America, Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Foro passante	8 DIP (0,300", 7,62 mm)	MB85RS1	FRAM (RAM ferroelettrica)	1,8 V ~ 3,6 V	8-DIP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	50	40 MHz	Non volatile	1Mbit		FRAM	128K×8	SPI	-
MB85R8M2TABGL	-	Richiesta di offerta	4199	Kaga FEI America, Inc.	-	Vassoio	Attivo								-				865-MB85R8M2TABGL	EAR99	8542.32.0071	1
MB85AS8MTPW-G-KBAERE1	-	Richiesta di offerta	4398	Kaga FEI America, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	11-XFBGA, WLBGA	MB85AS8	ReRAM (RAM resistiva)	1,6 V ~ 3,6 V	11-WLP (2,07x2,88)	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		865-MB85AS8MTPW-G-KBAERE1TR	EAR99	8542.32.0071	10.000	10 MHz	Non volatile	8Mbit	35 ns	RAM	1M x 8	SPI	10ms
MB85RE4M2TFN-G-ASE1	-	Richiesta di offerta	7278	Kaga FEI America, Inc.	-	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	MB85RE4	FRAM (RAM ferroelettrica)	1,8 V ~ 3,6 V	44-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)			3A991B1B1	8542.32.0071	1		Non volatile	4Mbit		FRAM	256K×16	-	150ns
MB85RS2MTYPNF-G-AWE2	5.4363	Richiesta di offerta	6540	Kaga FEI America, Inc.	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 125°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	MB85RS2	FRAM (RAM ferroelettrica)	1,8 V ~ 3,6 V	8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		865-MB85RS2MTYPNF-G-AWE2	EAR99	8542.32.0071	85	50 MHz	Non volatile	2Mbit		FRAM	256K×8	SPI	-
MB85RS64TUPNF-G-JNERE2	3.1100	Richiesta di offerta	1	Kaga FEI America, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	MB85RS64	FRAM (RAM ferroelettrica)	1,8 V ~ 3,6 V	8-SOP	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)			EAR99	8542.32.0071	1.500	10 MHz	Non volatile	64Kbit		FRAM	8K×8	SPI	-
MB85R1002ANC-GE1	8.3332	Richiesta di offerta	4271	Kaga FEI America, Inc.	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	48-TFSOP (0,488", larghezza 12,40 mm)	MB85R1002	FRAM (RAM ferroelettrica)	3 V ~ 3,6 V	48-TSOP	-	Conformità ROHS3	2 (1 anno)	REACH Inalterato	865-1169	EAR99	8542.32.0071	128		Non volatile	1Mbit	150 n	FRAM	64K x 16	Parallelo	150ns