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Memoria(648)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina | SIC programmabile |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 71V65803S100BG | 26.6900 |  | 107 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 119-BGA | 71V65803 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 119-PBGA (14x22) | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatile | 9Mbit | 5 nn | SRAM | 512K×18 | Parallelo | - | |||||
 | 71V65803S100PFGI | 27.5600 | | 75 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71V65803 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatile | 9Mbit | 5 nn | SRAM | 512K×18 | Parallelo | - | |||||
 | 71024S20TYG | 2.8500 | | 1 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-BSOJ (0,300", larghezza 7,62 mm) | 71024S | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-SOJ | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 106 | Volatile | 1Mbit | 20 ns | SRAM | 128K×8 | Parallelo | 20ns | Non verificato | |||||
 | 71V424S15Y | 2.0100 | | 5675 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 36-BSOJ (0,400", larghezza 10,16 mm) | 71V424 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 36-SOJ | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 512K×8 | Parallelo | 15ns | |||
| 71V424L12YGI | - | | 7383 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 36-BSOJ (0,400", larghezza 10,16 mm) | 71V424 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 36-SOJ | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 512K×8 | Parallelo | 12ns | ||||||
 | 71T75802S100PF | - | | 1849 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71T75802 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 2.375 V~2.625 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatile | 18Mbit | 5 nn | SRAM | 1Mx18 | Parallelo | - | ||
| 71T75602S166PF | 6.6800 | | 133 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71T75602 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 2.375 V~2.625 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Volatile | 18Mbit | 3,5 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | ||
 | 71V016SA20BFG8 | 5.0600 | | 4 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-LFBGA | 71V016 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 48-CABGA (7x7) | scaricamento | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 1Mbit | 20 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallelo | 20ns | ||||||
| 71V67603S133BG | - | | 5479 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 119-BGA | 71V67603 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 119-PBGA (14x22) | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatile | 9Mbit | 4,2 nn | SRAM | 256K x 36 | Parallelo | - | |||||
 | 71V3577S75BQ | - | | 5562 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | 71V3577 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-CABGA (13x15) | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 117 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 7,5 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | |||||
 | 71P74604S250BQ | 6.6800 | | 486 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | 71P74 | SRAM-Sincrono, QDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-CABGA (13x15) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 MHz | Volatile | 18Mbit | 8,4 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | ||
 | 71256SA12TP | - | | 9879 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Foro passante | 28 DIP (0,300", 7,62 mm) | 71256SA | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-PDIP | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 256Kbit | 12 ns | SRAM | 32K×8 | Parallelo | 12ns | |||
 | 71V124SA15PHG | - | | 5038 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-SOIC (0,400", larghezza 10,16 mm) | 71V124 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 32-TSOP II | scaricamento | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 128K×8 | Parallelo | 15ns | ||||||
 | 71T016SA15PHG | 1.3400 | | 3979 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | 71T016 | SRAM-Asincrono | 2.375 V~2.625 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallelo | 15ns | |||
| 71256S85TDB | 39.7300 | | 11 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 125°C (TA) | Foro passante | 28-CDIP (0,300", 7,62 mm) | 71256S | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-CDIP | scaricamento | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 256Kbit | 85 ns | SRAM | 32K×8 | Parallelo | 85ns | ||||||
| 71V65803S100PF | - | | 4292 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71V65803 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatile | 9Mbit | 5 nn | SRAM | 512K×18 | Parallelo | - | ||
 | 6116SA15SOG | 5.2200 | | 71 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | 6116SA | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 24-SOIC | scaricamento | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 16Kbit | 15 ns | SRAM | 2K×8 | Parallelo | 15ns | ||||||
| 71V3557S80PFGI | 9.4300 | | 140 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71V3557 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 4,5 Mbit | 8 nn | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | ||||||
| 71P72804S167BQGI | 6.6800 | | 7051 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | 71P72 | SRAM-Sincrono, QDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-CABGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | Volatile | 18Mbit | 8,4 ns | SRAM | 1Mx18 | Parallelo | - | ||
| 71V016SA20PHI | - | | 2944 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | 71V016 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 1Mbit | 20 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallelo | 20ns | |||
| 71P74804S200BQG | 6.6800 | | 5712 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | 71P74 | SRAM-Sincrono, QDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-CABGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Volatile | 18Mbit | 8,4 ns | SRAM | 1Mx18 | Parallelo | - | ||
| 71T75802S100BG | 42.2200 | | 159 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 119-BGA | 71T75802 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 2.375 V~2.625 V | 119-PBGA (14x22) | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatile | 18Mbit | 5 nn | SRAM | 1Mx18 | Parallelo | - | |||||
 | 6116SA45TPI | 2.9400 | | 377 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Foro passante | 24 DIP (0,300", 7,62 mm) | 6116SA | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 24-PDIP | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 16Kbit | 45 ns | SRAM | 2K×8 | Parallelo | 45ns | |||
| 71V546S133PFGI | - | | 1909 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71V546 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 4,2 nn | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | |||||
| 71V016SA10BFGI | - | | 1825 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-LFBGA | 71V016 | SRAM-Asincrono | 3,15 V ~ 3,6 V | 48-CABGA (7x7) | scaricamento | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallelo | 10ns | ||||||
 | 7164S35FB | - | | 8717 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 125°C (TA) | 7164S | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 64Kbit | 35 ns | SRAM | 8K×8 | Parallelo | 35ns | ||||||
| 71V546X5S133PFGI | - | | 4304 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71V546 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x20) | - | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 1 | 133 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 4,2 nn | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | ||||
 | 6116SA120TDB | 22.3600 | | 45 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 125°C (TA) | Foro passante | 24 CDIP (0,300", 7,62 mm) | 6116SA | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 24-CDIP | scaricamento | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 16Kbit | 120 n | SRAM | 2K×8 | Parallelo | 120ns | ||||||
| 71V416L10BEG | - | | 7345 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | 71V416L | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 48-CABGA (9x9) | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K×16 | Parallelo | 10ns | ||||||
 | 71256SA20PZG8 | - | | 2533 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 28-TSSOP (0,465", larghezza 11,80 mm) | 71256SA | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-TSOP | scaricamento | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 256Kbit | 20 ns | SRAM | 32K×8 | Parallelo | 20ns |
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Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
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