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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina | SIC programmabile |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 71V124SA15YGI8 | 2.6500 | ![]() | 303 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-BSOJ (0,400", larghezza 10,16 mm) | 71V124 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 32-SOJ | scaricamento | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 128K×8 | Parallelo | 15ns | |||||||
![]() | 71V3578S133PFI | - | ![]() | 9079 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71V3578 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 4,2 nn | SRAM | 256K×18 | Parallelo | - | |||
![]() | 71V3558S133BG | 3.3300 | ![]() | 129 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 119-BGA | 71V3558 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 119-PBGA (14x22) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 4,2 nn | SRAM | 256K×18 | Parallelo | - | |||
![]() | 71V016SA12PHI | - | ![]() | 5260 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | 71V016 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallelo | 12ns | ||||
![]() | 71V632S7PFG | 3.8500 | ![]() | 140 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71V632 | SRAM: sincronismo, SDR | 3,135 V ~ 3,63 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 66 MHz | Volatile | 2Mbit | 7nn | SRAM | 64K x 32 | Parallelo | - | ||||||
![]() | 71T75802S200BGG | 44.5700 | ![]() | 30 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 119-BGA | 71T75802 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 2.375 V~2.625 V | 119-PBGA (14x22) | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Volatile | 18Mbit | 3,2 ns | SRAM | 1Mx18 | Parallelo | - | ||||||
![]() | 6116LA35SO | 2.8000 | ![]() | 184 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | 6116LA | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 24-SOIC | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 16Kbit | 35 ns | SRAM | 2K×8 | Parallelo | 35ns | ||||
![]() | 71V546XS133PF | 1.6600 | ![]() | 388 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71V546 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 4,2 nn | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | |||
![]() | 71V3579YS85PF | 2.0100 | ![]() | 658 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71V3579 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 4,5 Mbit | 8,5 ns | SRAM | 256K×18 | Parallelo | - | ||||
![]() | 71V67703S80BG | 26.6900 | ![]() | 123 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 119-BGA | 71V67703 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 119-PBGA (14x22) | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatile | 9Mbit | 8 nn | SRAM | 256K x 36 | Parallelo | - | ||||||
![]() | 71V65703S85PFG | - | ![]() | 1060 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71V65703 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 9Mbit | 8,5 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallelo | - | |||||||
![]() | 71124S20YG | 4.3500 | ![]() | 523 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-BSOJ (0,400", larghezza 10,16 mm) | 71124S | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-SOJ | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 1Mbit | 20 ns | SRAM | 128K×8 | Parallelo | 20ns | |||||||
![]() | 71V65803S133PFG | 19.8800 | ![]() | 776 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71V65803 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatile | 9Mbit | 4,2 nn | SRAM | 512K×18 | Parallelo | - | ||||||
![]() | 71V67703S85PFI | - | ![]() | 2539 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71V67703 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 87 MHz | Volatile | 9Mbit | 8,5 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallelo | - | |||
![]() | 71V65803S133PFGI | 27.5600 | ![]() | 27 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71V65803 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatile | 9Mbit | 4,2 nn | SRAM | 512K×18 | Parallelo | - | ||||||
![]() | 6116LA90TDB | 22.3600 | ![]() | 71 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 125°C (TA) | Foro passante | 24 CDIP (0,300", 7,62 mm) | 6116LA | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 24-CDIP | scaricamento | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 16Kbit | 90 ns | SRAM | 2K×8 | Parallelo | 90ns | |||||||
![]() | 71V416S15YI | - | ![]() | 3921 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-BSOJ (0,400", larghezza 10,16 mm) | 71V416S | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 44-SOJ | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 256K×16 | Parallelo | 15ns | ||||
![]() | 71V124SA20PH | - | ![]() | 6603 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-SOIC (0,400", larghezza 10,16 mm) | 71V124 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 32-TSOP II | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 1Mbit | 20 ns | SRAM | 128K×8 | Parallelo | 20ns | ||||
![]() | 71V67603S166PF8 | 6.0000 | ![]() | 500 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71V67603 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Volatile | 9Mbit | 3,5 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallelo | - | |||
![]() | 71V3576S150PFI | - | ![]() | 1214 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71V3576 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 150 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 3,8 n | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | |||
![]() | 71V3577YS85PF | 1.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71V3577 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x20) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 4,5 Mbit | 8,5 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | ||||
![]() | 71V67603S133BQGI | 26.6900 | ![]() | 16 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | 71V67603 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-CABGA (13x15) | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatile | 9Mbit | 4,2 nn | SRAM | 256K x 36 | Parallelo | - | ||||||
![]() | 71V124SA20TYI | - | ![]() | 8157 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-BSOJ (0,300", larghezza 7,62 mm) | 71V124 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 32-SOJ | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 1Mbit | 20 ns | SRAM | 128K×8 | Parallelo | 20ns | ||||
![]() | 71V016SA10PHG | - | ![]() | 8764 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | 71V016 | SRAM-Asincrono | 3,15 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallelo | 10ns | |||||||
![]() | 71V3556SA133BGGI | 11.7900 | ![]() | 180 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 119-BGA | 71V3556 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 119-PBGA (14x22) | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 4,2 nn | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | ||||||
![]() | 71V3559S75PFG | 7.9600 | ![]() | 142 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71V3559 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 4,5 Mbit | 7,5 ns | SRAM | 256K×18 | Parallelo | - | |||||||
![]() | 71V416S10BE | 8.3300 | ![]() | 381 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | 71V416S | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 48-CABGA (9x9) | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K×16 | Parallelo | 10ns | |||||||
![]() | 71T75802S200BG | 44.5700 | ![]() | 16 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 119-BGA | 71T75802 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 2.375 V~2.625 V | 119-PBGA (14x22) | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Volatile | 18Mbit | 3,2 ns | SRAM | 1Mx18 | Parallelo | - | ||||||
![]() | 71V424YS12YGI | 2.0100 | ![]() | 9720 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 36-BSOJ (0,400", larghezza 10,16 mm) | 71V424 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 36-SOJ | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2156-71V424YS12YGI-IDT | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 20 | Volatile | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 512K×8 | Parallelo | 12ns | Non verificato | ||||
![]() | 71V416YFS15BEI | - | ![]() | 2605 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | 71V416Y | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 48-CABGA (9x9) | scaricamento | RoHS non conforme | 4 (72 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 256K×16 | Parallelo | 15ns |

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