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Memoria(4449)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Tensione - Alimentazione	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Frequenza dell'orologio	Tipo di memoria	Dimensioni della memoria	Orario di accesso	Formato memoria	Organizzazione della memoria	Interfaccia di memoria	Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina	SIC programmabile
CY7C1011CV33-12ZC	3.4700	Richiesta di offerta	125	Cypress Semiconductor Corp	-	Massa	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	32-SOIC (0,400", larghezza 10,16 mm)	CY7C1011	SRAM-Asincrono	3 V ~ 3,6 V	32-TSOP II	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)	RAGGIUNGERE Interessato		3A991B2A	8542.32.0041	1		Volatile	2Mbit	12 ns	SRAM	128K x 16	Parallelo	12ns
CY62147DV30L-55BVIT	2.0400	Richiesta di offerta	2	Cypress Semiconductor Corp	MoBL®	Massa	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	48-VFBGA	CY62147	SRAM-Asincrono	2,2 V ~ 3,6 V	48-VFBGA (6x8)	scaricamento	Non applicabile	3 (168 ore)	Venditore non definito		3A991B2A	8542.32.0041	2.000		Volatile	4Mbit	55 ns	SRAM	256K×16	Parallelo	55ns
CY7C057V-12BBC	86.3300	Richiesta di offerta	2	Cypress Semiconductor Corp	-	Vassoio	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	172-LBGA	CY7C057	SRAM: doppia porta, asincrona	3 V ~ 3,6 V	172-FBGA (15x15)	scaricamento	RoHS non conforme				3A991B2A	8542.32.0041	126		Volatile	1.152Mbit	12 ns	SRAM	32K x 36	Parallelo	12ns	Non verificato
CY62158DV30LL-70BVI	-	Richiesta di offerta	7134	Cypress Semiconductor Corp	MoBL®	Massa	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	48-VFBGA	CY62158	SRAM-Asincrono	2,2 V ~ 3,6 V	48-VFBGA (6x8)	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)	RAGGIUNGERE Interessato		3A991B2A	8542.32.0041	1		Volatile	8Mbit	70 ns	SRAM	1M x 8	Parallelo	70ns
CY7C1570KV18-500BZXC	282.2400	Richiesta di offerta	295	Cypress Semiconductor Corp	-	Massa	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	165-LBGA	CY7C1570	SRAM: sincronizzato, DDR II+	1,7 V ~ 1,9 V	165-FBGA (13x15)	scaricamento							2	500 MHz	Volatile	72Mbit		SRAM	2Mx36	Parallelo	-	Non verificato
FM24V10-GTR	22.8700	Richiesta di offerta	995	Cypress Semiconductor Corp	F-RAM™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	FM24V10	FRAM (RAM ferroelettrica)	2 V ~ 3,6 V	8-SOIC	scaricamento							22	3,4 MHz	Non volatile	1Mbit	130 n	FRAM	128K×8	I²C	-	Non verificato
CY7C1347F-133BGI	-	Richiesta di offerta	7063	Cypress Semiconductor Corp	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	119-BGA	CY7C1347	SRAM: sincronismo, SDR	3,15 V ~ 3,6 V	119-PBGA (14x22)	scaricamento	Non applicabile	3 (168 ore)	Venditore non definito		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	Volatile	4,5 Mbit	4 ns	SRAM	128K x 36	Parallelo	-
S34MS02G200BHV000	-	Richiesta di offerta	8984	Cypress Semiconductor Corp	MS-2	Vassoio	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 105°C (TA)	Montaggio superficiale	63-VFBGA	S34MS02	FLASH-NAND	1,7 V ~ 1,95 V	63-BGA (11x9)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	210		Non volatile	2Gbit	45 ns	FLASH	256Mx8	Parallelo	45ns
CY62128BLL-55ZRIT	1.6400	Richiesta di offerta	585	Cypress Semiconductor Corp	MoBL®	Massa	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	32-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm)	CY62128	SRAM-Asincrono	4,5 V ~ 5,5 V	32-RTSOP	scaricamento	Non applicabile	3 (168 ore)	Venditore non definito		3A991B2B	8542.32.0041	1		Volatile	1Mbit	55 ns	SRAM	128K×8	Parallelo	55ns
CY7C1170KV18-450BZXC	41.2200	Richiesta di offerta	591	Cypress Semiconductor Corp	-	Massa	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	165-LBGA	CY7C1170	SRAM: sincronizzato, DDR II+	1,7 V ~ 1,9 V	165-FBGA (13x15)	scaricamento							8	450 MHz	Volatile	18Mbit		SRAM	512K x 36	Parallelo	-	Non verificato
CY7C1518JV18-250BZC	121.3300	Richiesta di offerta	484	Cypress Semiconductor Corp	-	Vassoio	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	165-LBGA	CY7C1518	SRAM: sincronismo, DDR II	1,7 V ~ 1,9 V	165-FBGA (15x17)	scaricamento	RoHS non conforme				3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	Volatile	72Mbit		SRAM	4Mx18	Parallelo	-	Non verificato
CY62147CV33-70BVI	2.4800	Richiesta di offerta	479	Cypress Semiconductor Corp	*	Massa	Attivo								-	Non applicabile	3 (168 ore)	Venditore non definito		3A991B2A	8542.32.0041	1
S25FL512SDSMFB010	10.0500	Richiesta di offerta	1	Cypress Semiconductor Corp	Automobilistico, AEC-Q100, FL-S	Massa	Attivo	-40°C ~ 105°C (TA)	Montaggio superficiale	16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm)	S25FL512	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	16-SOIC	scaricamento							30	80 MHz	Non volatile	512Mbit		FLASH	64Mx8	SPI - I/O quadruplo	-	Non verificato
CY62256VNLL-70ZIT	0,7100	Richiesta di offerta	861	Cypress Semiconductor Corp	MoBL®	Massa	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	28-TSSOP (0,465", larghezza 11,80 mm)	CY62256	SRAM-Asincrono	2,7 V ~ 3,6 V	28-TSOP I	scaricamento	Non applicabile	3 (168 ore)	Venditore non definito		EAR99	8542.32.0041	1.500		Volatile	256Kbit	70 ns	SRAM	32K×8	Parallelo	70ns
S29GL01GT11DHV010	-	Richiesta di offerta	5551	Cypress Semiconductor Corp	GL-T	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 105°C (TA)	Montaggio superficiale	64-LBGA	S29GL01	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	64-FBGA (9x9)	scaricamento	RoHS non conforme	Non applicabile	Venditore non definito	2832-S29GL01GT11DHV010	3A991B1A	8542.32.0070	1		Non volatile	1Gbit	110 n	FLASH	128Mx8	Parallelo	60ns	Non verificato
S29GL256P10FAI020	15.8700	Richiesta di offerta	56	Cypress Semiconductor Corp	GL-P	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	64-LBGA	S29GL256	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	64-FBGA (13x11)	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)	Informazioni REACH disponibili su richiesta	2832-S29GL256P10FAI020	3A991B1A	8542.32.0050	32		Non volatile	256Mbit	100 n	FLASH	16Mx16	CFI	100ns
CY7C0251-25AXC	-	Richiesta di offerta	1564	Cypress Semiconductor Corp	-	Vassoio	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	100-LQFP	CY7C0251	SRAM: doppia porta, asincrona	4,5 V ~ 5,5 V	100-TQFP (14x14)	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8542.32.0041	3		Volatile	144Kbit	25 ns	SRAM	8K×18	Parallelo	25ns	Non verificato
CY62146G-45ZSXI	-	Richiesta di offerta	8646	Cypress Semiconductor Corp	MoBL®	Massa	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	CY62146	SRAM-Asincrono	4,5 V ~ 5,5 V	44-TSOP II	scaricamento							1		Volatile	4Mbit	45 ns	SRAM	256K×16	Parallelo	45ns	Non verificato
S29GL512S11FHI020	10.5100	Richiesta di offerta	342	Cypress Semiconductor Corp	GL-S	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	64-LBGA	S29GL512	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	64-FBGA (11x13)	scaricamento							48		Non volatile	512Mbit	110 n	FLASH	32Mx16	Parallelo	60ns	Verificato
CY7C1383KVE33-133AXI	34.1600	Richiesta di offerta	50	Cypress Semiconductor Corp	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	100-LQFP	CY7C1383	SRAM: sincronismo, SDR	3,135 V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20)	scaricamento							9	133 MHz	Volatile	18Mbit	6,5 n	SRAM	1Mx18	Parallelo	-	Non verificato
CY7C25702KV18-500BZC	318.6600	Richiesta di offerta	298	Cypress Semiconductor Corp	-	Vassoio	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	165-LBGA	CY7C25702	SRAM: sincronizzato, DDR II+	1,7 V ~ 1,9 V	165-FBGA (13x15)	scaricamento	RoHS non conforme				3A991B2A	8542.32.0041	1	500 MHz	Volatile	72Mbit		SRAM	2Mx36	Parallelo	-	Non verificato
S34MS01G204BHI010	-	Richiesta di offerta	3148	Cypress Semiconductor Corp	MS-2	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	63-VFBGA	S34MS01	FLASH-NAND	1,7 V ~ 1,95 V	63-BGA (11x9)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	210		Non volatile	1Gbit	45 ns	FLASH	64Mx16	Parallelo	45ns
CY7C09279V-12AXCKJ	38.4000	Richiesta di offerta	168	Cypress Semiconductor Corp	*	Massa	Attivo								scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-CY7C09279V-12AXCKJ-428			1
S34ML01G100TFB000	-	Richiesta di offerta	2092	Cypress Semiconductor Corp	ML-1	Vassoio	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 105°C (TA)	Montaggio superficiale	48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm)	S34ML01	FLASH-NAND	2,7 V ~ 3,6 V	48-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	96		Non volatile	1Gbit		FLASH	128Mx8	Parallelo	25ns
STK12C68-WF45	57.7800	Richiesta di offerta	14	Cypress Semiconductor Corp	-	Tubo	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Foro passante	28 DIP (0,600", 15,24 mm)	STK12C68	NVSRAM (SRAM non volatile)	4,5 V ~ 5,5 V	28-PDIP	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8542.32.0041	13		Non volatile	64Kbit	45 ns	NVSRAM	8K×8	Parallelo	45ns	Non verificato
CY14B101NA-ZS25XI	-	Richiesta di offerta	5557	Cypress Semiconductor Corp	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	CY14B101	NVSRAM (SRAM non volatile)	2,7 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	scaricamento							1		Non volatile	1Mbit	25 ns	NVSRAM	64K x 16	Parallelo	25ns	Non verificato
CY7C167A-35VC	-	Richiesta di offerta	5879	Cypress Semiconductor Corp	-	Massa	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	20-BSOJ (0,300", larghezza 7,62 mm)	CY7C167	Standard SRAM	4,5 V ~ 5,5 V	20-SOJ	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8542.32.0041	1		Volatile	16Kbit	35 ns	SRAM	16K×1	Parallelo	35ns
CY27C256-70JC	-	Richiesta di offerta	5696	Cypress Semiconductor Corp	-	Massa	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	32-LCC (cavo J)	CY27C256	EPROM-OTP	4,5 V ~ 5,5 V	32-PLCC (13,97x11,43)	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8542.32.0071	1		Non volatile	256Kbit	70 ns	EPROM	32K×8	Parallelo	-
CY7C1314CV18-250BZC	34.9600	Richiesta di offerta	154	Cypress Semiconductor Corp	-	Vassoio	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	165-LBGA	CY7C1314	SRAM-Sincrono, QDR II	1,7 V ~ 1,9 V	165-FBGA (13x15)	scaricamento	RoHS non conforme				3A991B2A	8542.32.0041	9	250 MHz	Volatile	18Mbit		SRAM	512K x 36	Parallelo	-	Non verificato
CY62177DV30LL-70BAI	-	Richiesta di offerta	7099	Cypress Semiconductor Corp	*	Massa	Attivo								-	Non applicabile	3 (168 ore)	Venditore non definito		3A991B2A	8542.32.0041	1