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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Applicazioni | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tipo | Caratteristiche | Numero del prodotto base | Corrente - Fornitura | Tipo di uscita | Numero di circuito | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Numero di elementi | Tensione - Alimentazione, singola/doppia (±) | Tensione - Ingresso offset (max) | Corrente - Polarizzazione in ingresso (max) | Corrente - Uscita (tip.) | Corrente - Quiescente (Max) | CMRR, PSRR (tipico) | Ritardo di propagazione (massimo) | Isteresi | Tasso di risposta | -3 dB di larghezza di banda | Corrente - Uscita/Canale | Tipo di amplificatore | Ottieni il prodotto della larghezza di banda | Corrente: polarizzazione di ingresso | Tensione - Offset di ingresso | Tensione - Intervallo di alimentazione (Min) | Tensione - Intervallo di alimentazione (max) | Potenza di uscita massima x canali al carico |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TC75S57FU(TE85L,F) | 0,4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | Scopo generale | TC75S57 | Spingi-tira | 5-SSOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 1 | 1,8 V ~ 7 V, ± 0,9 V ~ 3,5 V | 7mV a 5V | 1pA | 25 mA | 220μA | - | 140ns | - | |||||||||||||||||
![]() | TC75W58FK,LF | 0,2228 | ![]() | 7781 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-VFSOP (0,091", larghezza 2,30 mm) | Scopo generale | TC75W58 | Aprire lo scarico | 8-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 | 1,8 V ~ 7 V, ± 0,9 V ~ 3,5 V | 7mV a 5V | 1pA a 5V | 25 mA | 22μA | - | 800ns | - | |||||||||||||||||
![]() | TC75S59F,LF | 0,5200 | ![]() | 150 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | SC-74A, SOT-753 | Scopo generale | TC75S59 | Aprire lo scarico | SMV | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 1 | 1,8 V ~ 7 V, ± 0,9 V ~ 3,5 V | 7mV a 5V | 1pA | 25 mA | 220μA | - | 200ns | - | |||||||||||||||||
![]() | TC75S103F,LF(CT | 0,4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | TC75S103 | 100μA | Ferrovia-ferrovia | 1 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.33.0001 | 3.000 | 0,52 V/μs | 25 mA | CMOS | 300 chilocicli | 1 pA | 1,5 mV | 1,8 V | 5,5 V | |||||||||||||||||||
![]() | TC75S56FE,LM | - | ![]() | 3867 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | SOT-553 | Scopo generale | TC75S56 | Spingi-tira | ESV | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.33.0001 | 4.000 | 1 | 1,8 V ~ 7 V, ± 0,9 V ~ 3,5 V | 7mV a 5V | 1pA | 18 mA a 5 V | 22μA | - | 680ns | - | ||||||||||||||||||
![]() | TC75W59FU,LF | 0,5800 | ![]() | 330 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,110", larghezza 2,80 mm) | Scopo generale | TC75W59 | Aprire lo scarico | 8-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 | 1,8 V ~ 7 V, ± 0,9 V ~ 3,5 V | 7mV a 5V | 1pA a 5V | 25 mA | 220μA | - | 200ns | - | |||||||||||||||||
![]() | TC75S60FU(TE85L,F) | 0,2987 | ![]() | 4512 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | TC75S60 | 330μA | - | 1 | 5-SSOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.33.0001 | 3.000 | 5,1 V/μs | 1,25mA | Scopo generale | 1 pA | 2 mV | 1,8 V | 7 V | ||||||||||||||||||
![]() | TC75W55FK(TE85L,F) | 0,6400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-VFSOP (0,091", larghezza 2,30 mm) | TC75W55 | 20μA | - | 2 | 8-SSOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.33.0001 | 3.000 | 0,08 V/μs | CMOS | 160kHz | 1 pA | 2 mV | 1,8 V | 7 V | ||||||||||||||||||
![]() | TC75W70L8X,LF | - | ![]() | 6745 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-UFQFN Tampone esposto | Scopo generale | TC75W70 | Spingi-tira | SOT-902 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.33.0001 | 5.000 | 2 | 1,3 V ~ 5,5 V | 6mV a 3V | 1pA @ 3V | 18 mA a 3 V | 47μA | - | 800ns | - | ||||||||||||||||||
![]() | TC75W57FU,LF | 0,5800 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,110", larghezza 2,80 mm) | Scopo generale | TC75W57 | Spingi-tira | 8-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 | 1,8 V ~ 7 V, ± 0,9 V ~ 3,5 V | 7mV a 5V | 1pA a 5V | 25 mA | 400μA | - | 140ns | - | |||||||||||||||||
![]() | TC75S63TU,LF | 0,4800 | ![]() | 197 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (5 conduttori), cavo piatto | TC75S63 | 500 µA | - | 1 | UFV | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.33.0001 | 3.000 | 1 V/μs | 4 mA | CMOS | 3,5 MHz | 1 pA | 1 mV | 2,2 V | 5,5 V | |||||||||||||||||
![]() | TLP7820(B,TL,E | - | ![]() | 3896 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | Rilevamento corrente, gestione energetica | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | Isolamento | TLP7820 | 8-SO | - | 1 (illimitato) | 264-TLP7820(BTLE | OBSOLETO | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP7820(A-TP4,E | - | ![]() | 7407 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Rilevamento corrente, gestione energetica | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | Isolamento | TLP7820 | 8-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP7820(A-TP4ETR | EAR99 | 8542.33.0001 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP7820(D4A,TL,E | - | ![]() | 5141 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | Rilevamento corrente, gestione energetica | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | Isolamento | TLP7820 | 8-SO | - | 1 (illimitato) | 264-TLP7820(D4ATLE | OBSOLETO | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC75S56FUTE85LF | 0,4700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | Scopo generale | TC75S56 | Spingi-tira | 5-SSOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.33.0001 | 3.000 | 1 | 1,8 V ~ 7 V, ± 0,9 V ~ 3,5 V | 7mV a 5V | 1pA a 5V | 25 mA | 20μA | - | 680ns | - | |||||||||||||||||
![]() | TLP7920(D4,F | 6.5800 | ![]() | 46 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 105°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP7920 | 12 mA | Differenziale | 1 | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.33.0001 | 50 | - | 230kHz | Isolamento | 5,5 nA | 730 µV | 4,5 V | 5,5 V | ||||||||||||||||||
![]() | TC75S59FE(TE85L,F) | - | ![]() | 9165 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | SOT-553 | Scopo generale | TC75S59 | Aprire lo scarico | ESV | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 1 | 1,8 V ~ 7 V, ± 0,9 V ~ 3,5 V | 7mV a 5V | 1pA | 25 mA | 220μA | - | 200ns | - | ||||||||||||||||||
![]() | TLP7820(D4BTP4,E | - | ![]() | 6578 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Rilevamento corrente, gestione energetica | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | Isolamento | TLP7820 | 8-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP7820(D4BTP4ETR | EAR99 | 8542.33.0001 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA75W393FU,LF | 0,4400 | ![]() | 82 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,110", larghezza 2,80 mm) | Scopo generale | TA75W393 | CMOS, DTL, MOS, collettore aperto, TTL | 8-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 | 2V~36V, ±1V~18V | 5mV a 5V | 0,25 µA a 5 V | 16nA a 5V | 2mA | - | - | - | |||||||||||||||||
| TLP7820(D4ALF4,E | 6.5200 | ![]() | 8150 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP7820 | 12 mA | Differenziale | 1 | 8-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 5A991B1 | 8542.33.0001 | 75 | - | 230kHz | Isolamento | 5,5 nA | 900 µV | 4,5 V | 5,5 V | |||||||||||||||||||
| TLP7820(D4BLF4,E | 7.0400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP7820 | 12 mA | Differenziale | 1 | 8-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 5A991B1 | 8542.33.0001 | 75 | - | 230kHz | Isolamento | 5,5 nA | 900 µV | 4,5 V | 5,5 V | |||||||||||||||||||
![]() | TC75S67TU,LF | 0,4700 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (5 conduttori), cavo piatto | TC75S67 | 430μA | - | 1 | UFV | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.33.0001 | 3.000 | 1 V/μs | 4 mA | CMOS | 3,5 MHz | 1 pA | 500 µV | 2,2 V | 5,5 V | |||||||||||||||||
![]() | TLP7920(D4-LF1,F | 6.5800 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP7920 | 12 mA | Differenziale | 1 | 8-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.33.0001 | 50 | - | 230kHz | Isolamento | 5,5 nA | 730 µV | 4,5 V | 5,5 V | ||||||||||||||||||
![]() | TLP7920(F | 6.5800 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 105°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP7920 | 12 mA | Differenziale | 1 | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP7920(F(O | 5A991B1 | 8542.33.0001 | 50 | - | 230kHz | Isolamento | 55 nA | 730 µV | 4,5 V | 5,5 V | |||||||||||||||||
![]() | TC75S54FU(TE85L,F) | 0,1360 | ![]() | 4424 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | TC75S54 | 100μA | - | 1 | 5-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.33.0001 | 3.000 | 0,7 V/μs | 700 µA | Scopo generale | 1 pA | 2 mV | 1,8 V | 7 V | ||||||||||||||||||
![]() | TC75W60FU(TE12L,F) | - | ![]() | 7305 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,110", larghezza 2,80 mm) | TC75W60 | 660 µA | - | 2 | 8-SSOP | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.33.0001 | 3.000 | 5,1 V/μs | 1,25mA | Scopo generale | 1 pA | 2 mV | 1,8 V | 7 V | |||||||||||||||||||
![]() | TA75S01F,LF | 0,4800 | ![]() | 325 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | SC-74A, SOT-753 | TA75S01 | 400μA | - | 1 | SMV | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.33.0001 | 3.000 | - | 40 mA | Scopo generale | 300 chilocicli | 45 nA | 2 mV | 3 V | 12 V | |||||||||||||||||
![]() | TB2955HQ(O) | - | ![]() | 6969 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Interrotto alla SIC | - | Foro passante | Formato principale a 25 SIP | - | - | TB2955 | - | - | 25 HZIP | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.33.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | TC75W56FU,LF | 0,5100 | ![]() | 6044 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,110", larghezza 2,80 mm) | Scopo generale | TC75W56 | Spingi-tira | 8-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 | 1,8 V ~ 7 V, ± 0,9 V ~ 3,5 V | 7mV a 5V | 1pA a 5V | 25 mA | 40μA | - | 680ns | - | |||||||||||||||||
![]() | TLP7820(D4ATP4,E | - | ![]() | 5204 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Rilevamento corrente, gestione energetica | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | Isolamento | TLP7820 | 8-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP7820(D4ATP4ETR | EAR99 | 8542.33.0001 | 1.500 |

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