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Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Applicazioni	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Tipo	Caratteristiche	Numero del prodotto base	Corrente - Fornitura	Tipo di uscita	Numero di circuito	Tensione - Alimentazione	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Funzione	Standard	Interfaccia di controllo	Tensione - Alimentazione, singola/doppia (±)	Tasso di risposta	Corrente - Uscita/Canale	Tipo di amplificatore	Ottieni il prodotto della larghezza di banda	Corrente: polarizzazione di ingresso	Tensione - Offset di ingresso	Tensione - Intervallo di alimentazione (Min)	Tensione - Intervallo di alimentazione (max)	Potenza di uscita massima x canali al carico
NJM8534V-TE1	0,7910	Richiesta di offerta	1575	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 125°C		Montaggio superficiale	14-LSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm)			NJM8534	1,2 mA	Ferrovia-ferrovia	4		14-SSOP	scaricamento					EAR99	8542.33.0001	2.000					0,4 V/μs	20 mA	Scopo generale	1 megahertz	50 nA	1 mV	1,8 V	14 V
NJM4558L	0,4320	Richiesta di offerta	6065	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Tubo	Acquisto per l'ultima volta	-40°C ~ 85°C		Foro passante	8-SIP			NJM4558	3,5mA	-	2		8-SIP	scaricamento					EAR99	8542.33.0001	2.000					1 V/μs		Scopo generale	3 MHz	25 nA	500 µV	8 V	36 V
NJM2114MD-TE2	-	Richiesta di offerta	4081	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-20°C~75°C		Montaggio superficiale	8-SOIC (0,197", larghezza 5,00 mm)				9mA	-	2		8-DMP	-					OBSOLETO		2.000					15 V/μs	60 mA	Audio	13 MHz	500 nA	200 µV	6 V	44 V
NJM2234M-TE1	-	Richiesta di offerta	5009	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Video dei consumatori	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,197", larghezza 5,00 mm)							4,75 V~13 V	8-DMP	scaricamento					OBSOLETO		2.000	Interruttore video, 3 ingressi 1 uscita	-	-
NJM2059M	0,4320	Richiesta di offerta	6833	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 85°C		Montaggio superficiale	14-SOIC (0,197", larghezza 5,00 mm)			NJM2059	7mA	-	4		14-DMP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	2 (1 anno)	REACH Inalterato		EAR99	8542.33.0001	50					2 V/μs		Scopo generale	6 MHz	20 nA	500 µV	8 V	36 V
NJU77552G-TE2	2.6700	Richiesta di offerta	1	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 125°C		Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			NJU77552	50 µA	Ferrovia-ferrovia	2		8-SOP	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8542.33.0001	2.500					0,8 V/μs	60 mA	Scopo generale	1,7 MHz	1 pA	1 mV	1,8 V	5,5 V
NJM2746M-TE1	0,5508	Richiesta di offerta	5604	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C		Montaggio superficiale	8-SOIC (0,197", larghezza 5,00 mm)			NJM2746	4mA	Ferrovia-ferrovia	2		8-DMP	scaricamento					EAR99	8542.33.0001	2.000					3,5 V/μs		Scopo generale	10 MHz	100 nA	1 mV	2,5 V	14 V
NJU7043V-TE1	1.0044	Richiesta di offerta	6160	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C		Montaggio superficiale	8-LSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm)			NJU7043	600μA	Ferrovia-ferrovia	2		8-SSOP	scaricamento					EAR99	8542.33.0001	2.000					0,7 V/μs	40 mA	CMOS	800 chilocicli	1 pA	10 mV	1,8 V	5,5 V
NJM741M-TE1	-	Richiesta di offerta	4100	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C		Montaggio superficiale	8-SOIC (0,197", larghezza 5,00 mm)				1,7mA	-	1		8-DMP	scaricamento					OBSOLETO		2.000					0,5 V/μs		Scopo generale		30 nA	2 mV	6 V	36 V
NJM2274R-TE1	0,9072	Richiesta di offerta	3278	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Scopo generale	Montaggio superficiale	8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", larghezza 3,00 mm)			NJM2274	9,3 mA	-	1		8-VSP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	2 (1 anno)	REACH Inalterato		EAR99	8542.33.0001	2.000				2,8 V ~ 5,5 V	-
NJM8202E-TE1	0,7875	Richiesta di offerta	8168	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C		Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			NJM8202	4mA	Differenziale, Rail-to-Rail	2		8-SOP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	2 (1 anno)	REACH Inalterato		EAR99	8542.33.0001	2.000					3,5 V/μs		Scopo generale	10 MHz	100 nA	1 mV	2,5 V	14 V
NJM4741M-TE1	-	Richiesta di offerta	3921	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C		Montaggio superficiale	14-SOIC (0,197", larghezza 5,00 mm)				5mA	-	4		14-DMP	scaricamento					OBSOLETO		2.000					1,6 V/μs		Scopo generale	3,5 MHz	60 nA	1 mV	8 V	40 V
NJU7051D	-	Richiesta di offerta	4314	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-20°C~75°C		Foro passante	8 DIP (0,300", 7,62 mm)				15 µA	Ferrovia-ferrovia	1		8-DIP	scaricamento	RoHS non conforme	2 (1 anno)			EAR99	8542.33.0001	50					0,05 V/μs		Scopo generale	100 chilocicli	1 pA	2 mV	1 V	16 V
NJU8752V-TE1	2.1600	Richiesta di offerta	4451	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)		Montaggio superficiale	14-LSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm)	Classe D	Muto, protezione da cortocircuito, standby	NJU8752		1 canale (mono)		2,7 V ~ 3,6 V	14-SSOP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8542.33.0001	2.000													-
NJM2772V-TE1#	0,3780	Richiesta di offerta	7551	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-20°C ~ 75°C (TA)		Montaggio superficiale	14-LSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm)	Classe AB	Muto, Standby	NJM2772		Cuffie, 2 canali (stereo)		1,8 V ~ 4,5 V	14-SSOP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8542.33.0001	2.000													8 mW x 2 a 16 Ohm
NJM064MT-TE2	-	Richiesta di offerta	9567	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C		Montaggio superficiale	14-SOIC (0,197", larghezza 5,00 mm)				200μA	-	4		14-DMP	scaricamento					EAR99	8542.33.0001	2.000					3,5 V/μs		J-FET	1 megahertz	2 pA	3 mV	4 V	36 V
NJM072BM-TE3	-	Richiesta di offerta	9491	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C		Montaggio superficiale	8-SOIC (0,197", larghezza 5,00 mm)				3mA	-	2		8-DMP	scaricamento					OBSOLETO		2.000					13 V/μs		J-FET	3 MHz	30 pA	3 mV	8 V	36 V
NJM318E-TE1	-	Richiesta di offerta	9747	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C		Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)				5mA	-	1		8-SOP	scaricamento					OBSOLETO		2.000					70 V/μs	20 mA	Scopo generale	15 MHz	150 nA	4 mV	10 V	40 V
NJM4562M-TE2	-	Richiesta di offerta	8412	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C		Montaggio superficiale	8-SOIC (0,197", larghezza 5,00 mm)				3,5mA	-	2		8-DMP	scaricamento					OBSOLETO		2.000					-		Scopo generale		100 nA	500 µV	8 V	36 V
NJM2070M-TE1	-	Richiesta di offerta	2114	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)		Montaggio superficiale	8-SOIC (0,197", larghezza 5,00 mm)	Classe AB	-			1 canale (mono)		1,8 V~15 V	8-DMP	scaricamento					OBSOLETO		2.000													600 mW x 1 su 4 Ohm
NJM2121M#	-	Richiesta di offerta	3247	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-20°C~75°C		Montaggio superficiale	8-SOIC (0,197", larghezza 5,00 mm)				2,3 mA	-	2		8-DMP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8542.33.0001	100					4 V/μs	50 mA	Scopo generale	14 MHz	200 nA	800 µV	6 V	36 V
NJM2749M-TE1	1.4688	Richiesta di offerta	2542	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C		Montaggio superficiale	8-SOIC (0,197", larghezza 5,00 mm)			NJM2749	3,8 mA	-	2		8-DMP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	2 (1 anno)	REACH Inalterato		EAR99	8542.33.0001	100					13 V/μs		J-FET	2,2 MHz	50 pA	800 µV	12 V	32 V
NJU7046F3-TE2	0,6600	Richiesta di offerta	3049	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 125°C		Montaggio superficiale	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353			NJU7046	1,4mA	Ferrovia-ferrovia	1		SC-88A	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8542.33.0001	3.000					9 V/μs	110 mA	CMOS	5 MHz	1 pA	900 µV	2,7 V	5,5 V
NJM2904BRT1-TE1	1.3300	Richiesta di offerta	1457	Nisshinbo Micro Devices Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 125°C		Montaggio superficiale	8-LSSOP, 8-MSOP (0,110", larghezza 2,80 mm)				700μA	Spingi-tira	2		8-MSOP (VSP8)	-		1 (illimitato)		2129-NJM2904BRT1-TE1DKR			2.000					0,4 V/μs	40 mA	Scopo generale	900 chilocicli	10 nA	500 µV	3 V	36 V
NJU7092AF-TE1#	0,6045	Richiesta di offerta	5482	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C		Montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753			NJU7092	80μA	Ferrovia-ferrovia	1		SOT-23-5 (MTP5)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8542.33.0001	3.000					1 V/μs		Scopo generale	1 megahertz	1 pA	2 mV	1 V	5,5 V
NJM2082DD	-	Richiesta di offerta	1075	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 85°C		Foro passante	8 DIP (0,300", 7,62 mm)				4mA	-	2		8-DIP	-					OBSOLETO		50					20 V/μs		J-FET	5 MHz	30 pA	2 mV	8 V	36 V
NJM2058V-TE1	0,4320	Richiesta di offerta	6293	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C		Montaggio superficiale	14-LSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm)			NJM2058	7mA	-	4		14-SSOP	scaricamento					EAR99	8542.33.0001	2.000					1 V/μs		Scopo generale		20 nA	500 µV	8 V	36 V
NJM592M8	-	Richiesta di offerta	8085	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Tubo	Obsoleto		Differenziale	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm)					Differenziale	1		8-DMP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	2 (1 anno)	REACH Inalterato		EAR99	8542.33.0001	100				-	-	24 mA
NJM2279M-TE1	-	Richiesta di offerta	7747	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Video dei consumatori	Montaggio superficiale	14-SOIC (0,197", larghezza 5,00 mm)							8 V ~ 14 V, ±4 V ~ 7 V	14-DMP	scaricamento					OBSOLETO		2.000	Interruttore video, 3 ingressi, 2 uscite	-	-
MUSE01	38.4250	Richiesta di offerta	8100	Nisshinbo Micro Devices Inc.	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 85°C		Foro passante	8 DIP (0,300", 7,62 mm)				8,5mA	-	2		8-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8542.33.0001	50					12 V/μs	25 mA	Audio	3,3 MHz	200 pA	800 µV	18 V	32 V