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Acquisizione dati(10)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tipo | Numero del prodotto base | Numero di canali | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza di campionamento (al secondo) | Interfaccia dati | Risoluzione (bit) | Sorgente di alimentazione di tensione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP7830(D4KWJTLE | - |  | 9915 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP7830 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP7830(D4KWJTLE | OBSOLETO | 50 | ||||||||||||||
 | TLP7930(D4,F | 4.9512 | | 1759 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 105°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | Modulo isolato | TLP7930 | 1 | 3 V ~ 5,5 V | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | TLP7930(D4F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | Seriale | 1 b | Fornitura doppia | |
| TLP7830(D4-TL,E | - | | 5635 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP7830 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP7830(D4-TLE | OBSOLETO | 50 | ||||||||||||||
 | TLP7830(TP4,E | 7.0400 | | 1725 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | Modulatore | TLP7830 | 1 | 3 V ~ 5,5 V | 8-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | Seriale | 1 b | Fornitura doppia | ||
| TLP7830(D4-TP4,E | - | | 5869 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | Modulatore | TLP7830 | 1 | 3 V ~ 5,5 V, 3 V ~ 5,5 V | 8-SO | - | 1 (illimitato) | 264-TLP7830(D4-TP4ETR | 1.500 | - | Seriale | 1 b | Fornitura doppia | ||||
| TLP7830(D4-LF4,E | - | | 1852 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | Modulatore | TLP7830 | 1 | 3 V ~ 5,5 V, 3 V ~ 5,5 V | 8-SO | - | 1 (illimitato) | 264-TLP7830(D4-LF4E | 75 | - | Seriale | 1 b | Fornitura doppia | ||||
| TLP7830(D4,E | - | | 5656 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP7830 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP7830(D4E | OBSOLETO | 50 | ||||||||||||||
 | TLP7930(D4-TP1,F | 6.8300 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | Modulo isolato | TLP7930 | 1 | 3 V ~ 5,5 V | 8-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | Seriale | 1 b | Fornitura doppia | ||
| TLP7930(F | 4.9512 | | 6899 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 105°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | Modulo isolato | TLP7930 | 1 | 3 V ~ 5,5 V | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | Seriale | 1 b | Fornitura doppia | ||
| TLP7830(D4KWJT4E | - | | 6172 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | Modulatore | TLP7830 | 1 | 3 V ~ 5,5 V, 3 V ~ 5,5 V | 8-SO | - | 1 (illimitato) | 264-TLP7830(D4KWJT4ETR | 1.500 | - | Seriale | 1 b | Fornitura doppia |
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Unità di prodotto standard
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