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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Voltaggio: nominale | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Frequenza | Tecnologia | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Corrente nominale (Amp) | Potenza-Uscita | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Figura di rumore | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Tensione - Prova |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DE150-102N02A | - | ![]() | 6942 | 0.00000000 | IXYS-RF | DE | Tubo | Obsoleto | 1000 V | 6-SMD, piazzola esposta conduttore piatto | DE150 | - | MOSFET | DE150 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | CanaleN | 2A | 200 W | - | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFK44N50F | - | ![]() | 6527 | 0.00000000 | IXYS-RF | HiPerRF™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-264-3, TO-264AA | IXFK44 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-264AA | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | CanaleN | 500 V | 44A(Tc) | 10 V | 120 mOhm a 22 A, 10 V | 5,5 V a 4 mA | 156 nC a 10 V | ±20 V | 5500 pF a 25 V | - | 500 W(Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | 475-501N44A-00 | - | ![]() | 2270 | 0.00000000 | IXYS-RF | DE | Tubo | Obsoleto | 500 V | 6-SMD, piazzola esposta conduttore piatto | 475-501N | - | MOSFET | DE475 | scaricamento | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | DE475-501N44A-00 | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | CanaleN | 48A | 1800 W | - | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 275-201N25A-00 | - | ![]() | 6984 | 0.00000000 | IXYS-RF | DE | Tubo | Obsoleto | 200 V | 6-SMD, piazzola esposta conduttore piatto | 275-201 | - | MOSFET | DE275 | scaricamento | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | DE275-201N25A-00 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 25A | 590 W | - | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 375-102N15A-00 | - | ![]() | 3354 | 0.00000000 | IXYS-RF | DE | Tubo | Obsoleto | 1000 V | 6-SMD, piazzola esposta conduttore piatto | 375-102 | - | MOSFET | DE375 | scaricamento | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | DE375-102N15A-00 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | CanaleN | 15A | 940W | - | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IXZR16N60 | - | ![]() | 6904 | 0.00000000 | IXYS-RF | Z-MOS™ | Tubo | Obsoleto | 600 V | TO-247-3 | 65 MHz | MOSFET | PLUS247™-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 18A | 350 W | 23dB | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 275-101N30A-00 | - | ![]() | 8946 | 0.00000000 | IXYS-RF | DE | Tubo | Obsoleto | 100 V | 6-SMD, piazzola esposta conduttore piatto | 275-101 | - | MOSFET | DE275 | scaricamento | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 30A | 550W | - | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SS275TI12205 | - | ![]() | 5189 | 0.00000000 | IXYS-RF | - | Tubo | Obsoleto | Montaggio superficiale | 6-SMD, piazzola esposta conduttore piatto | SS275 | SiC (carburo di silicio) Schottky | DE275 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 3 Indipendente | 1200 V | 5A | 1,8 V a 5 A | 0 ns | 200 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IXZR08N120A-00 | - | ![]() | 5349 | 0.00000000 | IXYS-RF | Z-MOS™ | Tubo | Obsoleto | 1200 V | TO-247-3 | 65 MHz | MOSFET | PLUS247™-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 8A | 250 W | 23dB | - | 100 V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXZ316N60 | - | ![]() | 2656 | 0.00000000 | IXYS-RF | Z-MOS™ | Tubo | Obsoleto | 600 V | 6-SMD, piazzola esposta conduttore piatto | 65 MHz | MOSFET | DE375 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | CanaleN | 18A | 880W | 23dB | - | 100 V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 475-102N20A-00 | - | ![]() | 2181 | 0.00000000 | IXYS-RF | DE | Tubo | Obsoleto | 1000 V | 6-SMD, piazzola esposta conduttore piatto | 475-102N | - | MOSFET | DE475 | scaricamento | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | DE475-102N20A-00 | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | CanaleN | 20A | 1800 W | - | - |

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