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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) | Condizione di prova | Tipo Triac | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) | Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) | Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) | Tensione - Stato attivo (Vtm) (max) | Corrente - Stato attivo (It (AV)) (Max) | Corrente - Stato spento (max) | TipoSCR | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Collettore pulsato (Icm) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Cambiare energia | Carica di cancello | Td (acceso/spento) @ 25°C | Corrente - Interruzione collettore (max) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Z0103MA0,412 | 0,5100 | ![]() | 4042 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Massa | Attivo | 125°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead | Z0103 | TO-92-3 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 5.000 | Separare | 7 mA | Logica - Cancello sensibile | 600 V | 1A | 1,3 V | 12,5 A, 13,8 A | 3 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D0512006Q | 0,8343 | ![]() | 8420 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | WNSC2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | scaricamento | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,6 V a 5 A | 0 ns | 25 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 5A | 260 pF a 1 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D08650Q | 2.4700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | WNSC2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 1740-WNSC2D08650Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 40 µA a 650 V | 175°C | 8A | 260 pF a 1 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT152-1200TQ | 1.5100 | ![]() | 7314 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | BT152 | TO-220AB | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 60 mA | 1,2 kV | 31A | 1 V | 250A, 275A | 35 mA | 1,5 V | 20A | 2 mA | Norma di recupero | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NXPLQSC20650W6Q | 5.2685 | ![]() | 7020 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Massa | Acquisto per l'ultima volta | Foro passante | TO-247-3 | NXPLQSC | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | 934072086127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 240 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,85 V a 10 A | 0 ns | 230 µA a 650 V | 175°C (massimo) | 20A | 250 pF a 1 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV60W-600PSQ | 2.0689 | ![]() | 1643 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Massa | Attivo | Foro passante | TO-247-2 | BYV60 | Standard | TO-247-2 | scaricamento | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 2 V a 60 A | 55 ns | 10 µA a 600 V | 175°C | 60A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUJD105AD,118 | 0,3365 | ![]() | 3854 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | BUJD1 | 80 W | DPAK | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V | 8A | 100μA | NPN | 1 V a 800 mA, 4 A | 13 a 500 mA, 5 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA204-600E,127 | 0,7000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | 125°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | BTA204 | TO-220AB | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1.000 | Separare | 12 mA | Logica - Cancello sensibile | 600 V | 4A | 1,5 V | 25A, 27A | 10 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA203-800CTEP | 0,1836 | ![]() | 3957 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Massa | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BTA203 | TO-92-3 | scaricamento | Non applicabile | 934072051412 | EAR99 | 8541.30.0080 | 5.000 | Separare | 30 mA | Standard | 800 V | 3A | 1 V | 27A, 30A | 30 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BT138X-800/L02Q | 0,4371 | ![]() | 3059 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | 125°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | BT138 | TO-220F | scaricamento | 1 (illimitato) | 934067768127 | EAR99 | 8541.30.0080 | 600 | Separare | 30 mA | Standard | 800 V | 12A | 1 V | 95A, 105A | 70 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BTA425X-800BTQ | 1.5800 | ![]() | 11 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | BTA425 | TO-220F | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | Separare | 75 mA | Standard | 800 V | 25A | 1,3 V | 250A, 275A | 50 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WG50N65DHWQ | 3,5500 | ![]() | 754 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | WG50N65D | Standard | 278 W | TO-247-3 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1740-WG50N65DHWQ | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | 400 V, 50 A, 10 Ohm, 15 V | 105 n | Sosta sul campo di trincea | 650 V | 91A | 200A | 2 V a 15 V, 50 A | 1,7 mJ (acceso), 600 µJ (spento) | 160 nC | 66ns/163ns | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TYN50Y-800TQ | 0,6165 | ![]() | 8676 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | Scheda isolata TO-220-3 | TYN50 | TO-220AB | scaricamento | EAR99 | 8541.30.0080 | 1.000 | 60 mA | 800 V | 50A | 1,2 V | 500A, 550A | 15 mA | 1,65 V | 32A | 5 µA | Norma di recupero | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WCR03-12MEP | 0,1621 | ![]() | 9671 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 125°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | WCR03 | TO-92-3 | scaricamento | EAR99 | 8541.30.0080 | 5.000 | 5 mA | 1,25kV | 1,25 A | 800 mV | 20A, 22A | 90 µA | 1,3 V | 800 mA | 1μA | Cancello sensibile | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WCR03-12WMX | 0,1621 | ![]() | 8314 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | WCR03 | SC-73 | scaricamento | EAR99 | 8541.30.0080 | 4.000 | 5 mA | 1,25kV | 1,25 A | 800 mV | 20A, 22A | 90 µA | 1,3 V | 800 mA | 1μA | Cancello sensibile | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT169H-LML | 0,0821 | ![]() | 6994 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Nastro e scatola (TB) | Attivo | 125°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead | BT169 | TO-92-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | 934068725126 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10.000 | 3 mA | 800 V | 800 mA | 800 mV | 9A, 10A | 50 µA | 1,7 V | 500 mA | 100 µA | Cancello sensibile | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA425Z-800CTQ | 2.4300 | ![]() | 75 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | CT | Tubo | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-3P-3, SC-65-3 | BTA425 | TO-3P | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | 1740-BTA425Z-800CTQ | EAR99 | 8541.30.0080 | 30 | Separare | 50 mA | Logica - Cancello sensibile | 800 V | 25A | 1,3 V | 250A, 275A | 35 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA312-600C,127 | 0,4521 | ![]() | 2911 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | 125°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | BTA312 | TO-220AB | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | Separare | 35 mA | Standard | 600 V | 12A | 1,5 V | 95A, 105A | 35 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BT236X-600G,127 | 0,3417 | ![]() | 2517 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | 125°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | BT236 | TO-220F | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1.000 | Separare | 40 mA | Standard | 600 V | 6A | 1,5 V | 65A, 71A | 50 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA206-800ET,127 | 0,2983 | ![]() | 9837 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | BTA206 | TO-220AB | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1.000 | Separare | 15 mA | Logica - Cancello sensibile | 800 V | 6A | 1,5 V | 60A, 66A | 10 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT131-800E/L01EP | 0,1183 | ![]() | 9343 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Massa | Attivo | 125°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BT131 | TO-92-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | 934068979412 | EAR99 | 8541.30.0080 | 2.000 | Separare | 10 mA | Standard | 800 V | 1A | 1 V | 12,5 A, 13,7 A | 10 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT137-600/DG,127 | - | ![]() | 6222 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Interrotto alla SIC | 125°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | BT137 | TO-220AB | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | Separare | 20 mA | Standard | 600 V | 8A | 1,5 V | 65A, 71A | 35 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BYV29D-600PJ | 0,6400 | ![]() | 18 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | BYV29 | Standard | DPAK | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 1,3 V a 8 A | 75 ns | 10 µA a 600 V | 175°C (massimo) | 9A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYR29X-800,127 | 1.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-2 Confezione completa, scheda isolata | BYR29 | Standard | TO-220FP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 800 V | 1,7 V a 8 A | 75 ns | 10 µA a 800 V | 150°C (massimo) | 8A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ACTT8X-800C0Q | 0,3993 | ![]() | 1817 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | 125°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | ACTT8 | TO-220F | scaricamento | 1 (illimitato) | 934067394127 | EAR99 | 8541.30.0080 | 1.000 | Separare | 35 mA | Standard | 800 V | 8A | 1 V | 80A, 88A | 30 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT1308W-600D,135 | 0,0892 | ![]() | 2173 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 125°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | BT1308 | SC-73 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 934060158135 | EAR99 | 8541.30.0080 | 4.000 | Separare | 10 mA | Logica - Cancello sensibile | 600 V | 800 mA | 2 V | 9A, 10A | 5 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT152B-400R,118 | 1.2700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | BT152 | D2PAK | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 800 | 60 mA | 450 V | 20A | 1,5 V | 200A, 220A | 32 mA | 1,75 V | 13A | 1 mA | Norma di recupero | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYC30W-600PT2Q | 2.3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Massa | Attivo | Foro passante | TO-247-2 | BYC30 | Standard | TO-247-2 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 934072030127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 450 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 2,75 V a 30 A | 34 ns | 10 µA a 600 V | 175°C (massimo) | 30A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D10650DJ | 2.7300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | WNSC2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | DPAK | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | 175°C | 10A | 310 pF a 1 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT169D,126 | 0,4900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | - | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead | BT169 | TO-92-3 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 10.000 | 5 mA | 400 V | 800 mA | 800 mV | 8A, 9A | 200 µA | 1,7 V | 500 mA | 100 µA | Cancello sensibile |

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