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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) | Condizione di prova | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tipo triac | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) | Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) | Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) | Tensione - Stato attivo (Vtm) (max) | Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max) | Corrente - Stato spento (max) | Tipo SCR | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Collettore pulsato (Icm) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Cambiare energia | Carica di cancello | Td (acceso/spento) @ 25°C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BT151U-500C,127 | 0,2906 | ![]() | 6968 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Foro passante | TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA | BT151 | I-PAK | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 3.750 | 20 mA | 500 V | 12A | 1,5 V | 100A, 110A | 15 mA | 1,75 V | 7,5 A | 500 µA | Norma di recupero | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BT138X-800/L02Q | 0,4371 | ![]() | 3059 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | 125°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | BT138 | TO-220F | scaricamento | 1 (illimitato) | 934067768127 | EAR99 | 8541.30.0080 | 600 | Separare | 30 mA | Standard | 800 V | 12A | 1 V | 95A, 105A | 70 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WCR03-12MEP | 0,1621 | ![]() | 9671 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 125°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | WCR03 | TO-92-3 | scaricamento | EAR99 | 8541.30.0080 | 5.000 | 5 mA | 1,25kV | 1,25 A | 800 mV | 20A, 22A | 90 µA | 1,3 V | 800 mA | 1μA | Cancello sensibile | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TYN50Y-800TQ | 0,6165 | ![]() | 8676 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | Scheda isolata TO-220-3 | TYN50 | TO-220AB | scaricamento | EAR99 | 8541.30.0080 | 1.000 | 60 mA | 800 V | 50A | 1,2 V | 500A, 550A | 15 mA | 1,65 V | 32A | 5 µA | Norma di recupero | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WG50N65DHWQ | 3,5500 | ![]() | 754 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | WG50N65D | Standard | 278 W | TO-247-3 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1740-WG50N65DHWQ | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | 400 V, 50 A, 10 Ohm, 15 V | 105 n | Sosta sul campo di trincea | 650 V | 91A | 200A | 2 V a 15 V, 50 A | 1,7 mJ (acceso), 600 µJ (spento) | 160 nC | 66ns/163ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAC223A6,127 | 1.8400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | 125°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | MAC223 | TO-220AB | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | Separare | 30 mA | Standard | 400 V | 25A | 1,5 V | 190A, 230A | 50 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA420-800CT,127 | 0,5576 | ![]() | 6483 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | BTA420 | TO-220AB | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1.000 | Separare | 40 mA | Standard | 800 V | 20A | 1 V | 200A, 220A | 35 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BTA206X-800CT/L01, | 0,8500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | BTA206 | TO-220F | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 934066531127 | EAR99 | 8541.30.0080 | 600 | Separare | 35 mA | Standard | 800 V | 6A | 1,5 V | 60A, 66A | 35 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA312-600C,127 | 0,4521 | ![]() | 2911 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | 125°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | BTA312 | TO-220AB | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | Separare | 35 mA | Standard | 600 V | 12A | 1,5 V | 95A, 105A | 35 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WCR03-12WMX | 0,1621 | ![]() | 8314 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | WCR03 | SC-73 | scaricamento | EAR99 | 8541.30.0080 | 4.000 | 5 mA | 1,25kV | 1,25 A | 800 mV | 20A, 22A | 90 µA | 1,3 V | 800 mA | 1μA | Cancello sensibile | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BT236X-600G,127 | 0,3417 | ![]() | 2517 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | 125°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | BT236 | TO-220F | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1.000 | Separare | 40 mA | Standard | 600 V | 6A | 1,5 V | 65A, 71A | 50 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA425Z-800CTQ | 2.4300 | ![]() | 75 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | CT | Tubo | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-3P-3, SC-65-3 | BTA425 | TO-3P | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | 1740-BTA425Z-800CTQ | EAR99 | 8541.30.0080 | 30 | Separare | 50 mA | Logica - Cancello sensibile | 800 V | 25A | 1,3 V | 250A, 275A | 35 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA206-800ET,127 | 0,2983 | ![]() | 9837 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | BTA206 | TO-220AB | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1.000 | Separare | 15 mA | Logica - Cancello sensibile | 800 V | 6A | 1,5 V | 60A, 66A | 10 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BTA420X-800CT/L03Q | 0,6107 | ![]() | 9882 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | BTA420 | TO-220F | scaricamento | 1 (illimitato) | 934068527127 | EAR99 | 8541.30.0080 | 600 | Separare | 40 mA | Standard | 800 V | 20A | 1 V | 200A, 220A | 35 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA312B-800ET,118 | 1.2000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | BTA312 | D2PAK | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 800 | Separare | 15 mA | Logica - Cancello sensibile | 800 V | 12A | 1,5 V | 95A, 105A | 10 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA212-600B,127 | 0,3767 | ![]() | 6431 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | 125°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | BTA212 | TO-220AB | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | Separare | 60 mA | Standard | 600 V | 12A | 1,5 V | 95A, 105A | 50 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV42E-150.127 | 1.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-3 | BYV42 | Standard | TO-220AB | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 150 V | 30A | 1,2 V a 30 A | 28 ns | 100 µA a 150 V | 150°C (massimo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NXPSC10650X6Q | 6.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Massa | Acquisto per l'ultima volta | Foro passante | TO-220-2 Confezione completa, scheda isolata | NXPSC | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220F | scaricamento | 1 (illimitato) | 934072089127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 250 µA a 650 V | 175°C (massimo) | 10A | 300 pF a 1 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV29G-600PQ | 0,3135 | ![]() | 8259 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA | BYV29 | Standard | I2PAK (TO-262) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 934072013127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 1,3 V a 8 A | 75 ns | 10 µA a 600 V | 175°C (massimo) | 9A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | N0118GAML | 0,1175 | ![]() | 8089 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead | N0118 | TO-92-3 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 934065597126 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10.000 | 5 mA | 600 V | 800 mA | 800 mV | 8A, 9A | 7 µA | 1,95 V | 510 mA | 10 µA | Cancello sensibile | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT131-600EQP | 0,3700 | ![]() | 69 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 125°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-92-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | EAR99 | 8541.30.0080 | 2.000 | Separare | 10 mA | Logica - Cancello sensibile | 600 V | 1A | 1 V | 12,5 A, 13,7 A | 10 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NXPS20H100CX,127 | - | ![]() | 6734 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Interrotto alla SIC | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | NXPS20 | Schottky | TO-220F | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 100 V | 10A | 770 mV a 10 A | 4,5 mA a 100 V | 175°C (massimo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA316-600E/DGQ | 0,4671 | ![]() | 6500 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | 125°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | BTA316 | TO-220AB | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 934067507127 | EAR99 | 8541.30.0080 | 1.000 | Separare | 15 mA | Logica - Cancello sensibile | 600 V | 16A | 1,5 V | 140A, 150A | 10 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BT137S-800G,118 | 0,7600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 125°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | BT137 | DPAK | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 2.500 | Separare | 40 mA | Standard | 800 V | 8A | 1 V | 65A, 71A | 100 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSCM80120RQ | 9.2597 | ![]() | 3688 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-4 | WNSCM80120 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-247-4L | - | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | CanaleN | 1200 V | 45A (Ta) | 20 V | 98 mOhm a 20 A, 20 V | 4,5 V a 6 mA | 59 nC a 20 V | +25 V, -10 V | 1350 pF a 1000 V | - | 270 W (Ta) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D06650DJ | 1.7300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | WNSC2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | DPAK | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 6 A | 0 ns | 30 µA a 650 V | 175°C | 6A | 198 pF a 1 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA330B-800BTJ | 0,7482 | ![]() | 7686 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | BTA330 | D2PAK | scaricamento | EAR99 | 8541.30.0080 | 800 | Separare | 75 mA | Standard | 800 V | 30A | 1,3 V | 270A, 297A | 50 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYC30WT-600PQ | 2.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | BYC30 | Standard | TO-247-3 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 934068091127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 2,75 V a 30 A | 22 ns | 10 µA a 600 V | 175°C (massimo) | 30A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA316Y-800CTQ | 1.1600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | Scheda isolata TO-220-3 | IITO-220E | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | EAR99 | 8541.30.0080 | 1.000 | Separare | 40 mA | Standard | 800 V | 16A | 1 V | 160A, 176A | 35 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACTT12-800CTQ | 0,4370 | ![]() | 2516 | 0.00000000 | WeEn Semiconduttori | - | Tubo | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | ACTT12 | TO-220AB | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 934068015127 | EAR99 | 8541.30.0080 | 1.000 | Separare | 50 mA | Standard | 800 V | 12A | 1 V | 120A, 132A | 35 mA |

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