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Prodotti a semiconduttori discreti(1142)

Immagine	Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	ECAD	Quantità disponibile	Peso(Kg)	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F
	RL2V1	-	Richiesta di offerta		9251	0.00000000	Sanken	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto		Foro passante	Assiale	RL2	Standard	-	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0080	1.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												400 V	1,3 V a 2 A	50 n	10 µA a 400 V	-40°C~150°C	2A	-
	EKI07117	-	Richiesta di offerta		7336	0.00000000	Sanken	-	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)	TO-220-3	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EKI07117 non sa	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	75 V	62A(Tc)	4,5 V, 10 V	9,3 mOhm a 31,2 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	57 nC a 10 V	±20 V	4040 pF a 25 V	-	116 W(Tc)