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Prodotti a semiconduttore discreti(61)

Immagine	Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	ECAD	Quantità disponibile	Peso(Kg)	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Tecnologia	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)
	SI2328A	0,4300	Richiesta di offerta		2	0.00000000	UMW	UMW	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET (ossido di metallo)	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	3.000	CanaleN	100 V	1,15A(Ta)	4,5 V, 10 V	245 mOhm a 1,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	4 nC a 10 V	±20 V	-	730 mW (Ta)