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Prodotti a semiconduttore discreti(5717)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)
SI6933DQ-T1-GE3	-	Richiesta di offerta	7142	Vishay Siliconix	TrenchFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm)	SI6933	MOSFET (ossido di metallo)	1 W	8-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali P (doppio)		30 V	-		45 mOhm a 3,5 A, 10 V	1 V a 250 µA (min)	30nC a 10V		-	Porta a livello logico
SQ4080EY-T1_GE3	1.3300	Richiesta di offerta	23	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	SQ4080	MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	150 V	18A (Tc)	10 V	85 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 250 µA	33 nC a 10 V	±20 V	1590 pF a 75 V	-	7,1 W(Tc)
IRLZ44PBF-BE3	2.8800	Richiesta di offerta	647	Vishay Siliconix	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IRLZ44	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento		1 (illimitato)		742-IRLZ44PBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	60 V	50A (Tc)		28 mOhm a 31 A, 5 V	2 V a 250 µA	66 nC a 5 V	±10 V	3300 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
SUP85N02-03-E3	-	Richiesta di offerta	3975	Vishay Siliconix	TrenchFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	SUP85	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN	20 V	85A (Tc)	2,5 V, 4,5 V	3 mOhm a 30 A, 4,5 V	450 mV a 2 mA (min)	200 nC a 4,5 V	±8 V	21250 pF a 20 V	-	250 W(Tc)
SI8808DB-T2-E1	0,4500	Richiesta di offerta	1	Vishay Siliconix	TrenchFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-UFBGA	SI8808	MOSFET (ossido di metallo)		4-Micropiede	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	30 V	1,8A(Ta)	1,5 V, 4,5 V	95 mOhm a 1 A, 4,5 V	900 mV a 250 µA	10 nC a 8 V	±8 V	330 pF a 15 V	-	500mW (Ta)
IRFU320	-	Richiesta di offerta	4241	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	IRFU3	MOSFET (ossido di metallo)		TO-251AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	*IRFU320	EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN	400 V	3,1 A(Tc)	10 V	1,8 Ohm a 1,9 A, 10 V	4 V a 250 µA	20 nC a 10 V	±20 V	350 pF a 25 V	-	2,5 W (Ta), 42 W (Tc)
IRFIB7N50A	-	Richiesta di offerta	7980	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata	IRFIB7	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	*IRFIB7N50A	EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN	500 V	6,6 A(Tc)	10 V	520 mOhm a 4 A, 10 V	4 V a 250 µA	52 nC a 10 V	±30 V	1423 pF a 25 V	-	60 W (Tc)
SIHA120N60E-GE3	5.2500	Richiesta di offerta	3707	Vishay Siliconix	E	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	SIHA120	MOSFET (ossido di metallo)		Pacchetto completo TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN	600 V	25A (Tc)	10 V	120 mOhm a 12 A, 10 V	5 V a 250 µA	45 nC a 10 V	±30 V	1562 pF a 100 V	-	34 W (Tc)
SI2307BDS-T1-E3	0,6400	Richiesta di offerta	32	Vishay Siliconix	TrenchFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2307	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3 (TO-236)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canale P	30 V	2,5A(Ta)	4,5 V, 10 V	78 mOhm a 3,2 A, 10 V	3 V a 250 µA	15 nC a 10 V	±20 V	380 pF a 15 V	-	750 mW(Ta)
IRFP054PBF	4.5800	Richiesta di offerta	1	Vishay Siliconix	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IRFP054	MOSFET (ossido di metallo)		TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		*IRFP054PBF	EAR99	8541.29.0095	25		CanaleN	60 V	70A (Tc)	10 V	14 mOhm a 54 A, 10 V	4 V a 250 µA	160 nC a 10 V	±20 V	4500 pF a 25 V	-	230 W(Tc)
IRFR214PBF	0,6159	Richiesta di offerta	7829	Vishay Siliconix	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IRFR214	MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		*IRFR214PBF	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	250 V	2,2 A(Tc)	10 V	2 Ohm a 1,3 A, 10 V	4 V a 250 µA	8,2 nC a 10 V	±20 V	140 pF a 25 V	-	2,5 W (Ta), 25 W (Tc)
IRFR9014TRLPBF	1.5200	Richiesta di offerta	2	Vishay Siliconix	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IRFR9014	MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	60 V	5,1 A(Tc)	10 V	500 mOhm a 3,1 A, 10 V	4 V a 250 µA	12 nC a 10 V	±20 V	270 pF a 25 V	-	2,5 W (Ta), 25 W (Tc)
SI7430DP-T1-GE3	2.9200	Richiesta di offerta	6268	Vishay Siliconix	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	PowerPAK®SO-8	SI7430	MOSFET (ossido di metallo)		PowerPAK®SO-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	150 V	26A (Tc)	8 V, 10 V	45 mOhm a 5 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	43 nC a 10 V	±20 V	1735 pF a 50 V	-	5,2 W (Ta), 64 W (Tc)
SIHF9540PBF	-	Richiesta di offerta	7246	Vishay Siliconix	*	Tubo	Attivo				SIHF9540				-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	50
IRFBC40STRLPBF	4.4500	Richiesta di offerta	3642	Vishay Siliconix	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IRFBC40	MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN	600 V	6,2 A(Tc)	10 V	1,2 Ohm a 3,7 A, 10 V	4 V a 250 µA	60 nC a 10 V	±20 V	1300 pF a 25 V	-	3,1 W (Ta), 130 W (Tc)
IRFR11N25D	-	Richiesta di offerta	3930	Vishay Siliconix	-	Tubo	Attivo	-	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IRFR11	MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)		*IRFR11N25D	EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN	250 V	-		-	-				-	-
SISS4402DN-T1-GE3	1.6800	Richiesta di offerta	7879	Vishay Siliconix	TrenchFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	PowerPAK®1212-8S	SIS4402	MOSFET (ossido di metallo)		PowerPAK®1212-8S	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	40 V	35,5 A (Ta), 128 A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,2 mOhm a 15 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	70 nC a 10 V	+20 V, -16 V	3850 pF a 20 V	-	5 W (Ta), 65,7 W (Tc)
SQ9407EY-T1_GE3	1.1800	Richiesta di offerta	8	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	SQ9407	MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P	60 V	4,6 A(Tc)	4,5 V, 10 V	85 mOhm a 3,5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	40 nC a 10 V	±20 V	1140 pF a 30 V	-	3,75 W(Tc)
SI7633DP-T1-GE3	1.6700	Richiesta di offerta	4392	Vishay Siliconix	TrenchFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	PowerPAK®SO-8	SI7633	MOSFET (ossido di metallo)		PowerPAK®SO-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	20 V	60A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,3 mOhm a 20 A, 10 V	3 V a 250 µA	260 nC a 10 V	±20 V	9500 pF a 10 V	-	6,25 W (Ta), 104 W (Tc)
IRL640STRL	-	Richiesta di offerta	7857	Vishay Siliconix	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IRL640	MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK (TO-263)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN	200 V	17A(Tc)	4V, 5V	180 mOhm a 10 A, 5 V	2 V a 250 µA	66 nC a 5 V	±10 V	1800 pF a 25 V	-	3,1 W (Ta), 125 W (Tc)
SI1307DL-T1-E3	-	Richiesta di offerta	8792	Vishay Siliconix	TrenchFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	SI1307	MOSFET (ossido di metallo)		SC-70-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canale P	12 V	850mA (Ta)	1,8 V, 4,5 V	290 mOhm a 1 A, 4,5 V	450 mV a 250 µA (min)	5 nC a 4,5 V	±8 V		-	290 mW (Ta)
SI3585DV-T1-GE3	-	Richiesta di offerta	5975	Vishay Siliconix	TrenchFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6	SI3585	MOSFET (ossido di metallo)	830 mW	6-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	Canali N e P		20 V	2A, 1,5A		125 mOhm a 2,4 A, 4,5 V	600 mV a 250 µA (min)	3,2 nC a 4,5 V		-	Porta a livello logico
IRF730L	-	Richiesta di offerta	9249	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	IRF730	MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	*IRF730L	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	400 V	5,5 A (TC)	10 V	1 Ohm a 3,3 A, 10 V	4 V a 250 µA	22 nC a 10 V	±20 V	600 pF a 25 V	-	-
IRFP048PBF	4.7600	Richiesta di offerta	7338	Vishay Siliconix	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IRFP048	MOSFET (ossido di metallo)		TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		*IRFP048PBF	EAR99	8541.29.0095	25		CanaleN	60 V	70A (Tc)	10 V	18 mOhm a 44 A, 10 V	4 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V	2400 pF a 25 V	-	190 W(Tc)
SQD100N02-3M5L_GE3	1.6000	Richiesta di offerta	1	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	SQD100	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN	20 V	100A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,5 mOhm a 30 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V	5500 pF a 10 V	-	83 W (Tc)
SI4943CDY-T1-E3	1.7000	Richiesta di offerta	8274	Vishay Siliconix	TrenchFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-50°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	SI4943	MOSFET (ossido di metallo)	3,1 W	8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	2.500	2 canali P (doppio)		20 V	8A		19,2 mOhm a 8,3 A, 10 V	3 V a 250 µA	62nC a 10 V		1945 pF a 10 V	Porta a livello logico
SI1499DH-T1-E3	0,6700	Richiesta di offerta	16	Vishay Siliconix	TrenchFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1499	MOSFET (ossido di metallo)		SC-70-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	8 V	1,6 A(Tc)	1,2 V, 4,5 V	78 mOhm a 2 A, 4,5 V	800mV a 250μA	16 nC a 4,5 V	±5 V	650 pF a 4 V	-	2,5 W (Ta), 2,78 W (Tc)
SI1902DL-T1-GE3	0,5200	Richiesta di offerta	127	Vishay Siliconix	TrenchFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SI1902	MOSFET (ossido di metallo)	270 mW	SC-70-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali N (doppio)		20 V	660mA		385 mOhm a 660 mA, 4,5 V	1,5 V a 250 µA	1,2 nC a 4,5 V		-	Porta a livello logico
SI3458BDV-T1-GE3	0,9100	Richiesta di offerta	8	Vishay Siliconix	TrenchFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6	SI3458	MOSFET (ossido di metallo)		6-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	60 V	4.1A (Tc)	4,5 V, 10 V	100 mOhm a 3,2 A, 10 V	3 V a 250 µA	11 nC a 10 V	±20 V	350 pF a 30 V	-	2 W (Ta), 3,3 W (Tc)
SIHU2N80E-GE3	0,6689	Richiesta di offerta	4396	Vishay Siliconix	E	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	SIHU2	MOSFET (ossido di metallo)		TO-251AA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	800 V	2,8 A(Tc)	10 V	2,75 Ohm a 1 A, 10 V	4 V a 250 µA	19,6 nC a 10 V	±30 V	315 pF a 100 V	-	62,5 W(Tc)