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Prodotti a semiconduttore discreti(4)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HTNFET-DC | - |  | 1677 | 0.00000000 | Honeywell aerospaziale | HTMOS™ | Massa | Attivo | - | Foro passante | Pad esposto da 8 CDIP | HTNFET | MOSFET (ossido di metallo) | - | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 55 V | - | 5 V | 400 mOhm a 100 mA, 5 V | 2,4 V a 100 µA | 4,3 nC a 5 V | 10 V | 290 pF a 28 V | - | 50 W (Tj) | ||
 | HTNFET-T | - | | 4674 | 0.00000000 | Honeywell aerospaziale | HTMOS™ | Massa | Attivo | -55°C ~ 225°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP | HTNFET | MOSFET (ossido di metallo) | 4-Scheda Potenza | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 55 V | - | 5 V | 400 mOhm a 100 mA, 5 V | 2,4 V a 100 µA | 4,3 nC a 5 V | 10 V | 290 pF a 28 V | - | 50 W (Tj) | ||
 | HTNFET-D | - | | 3097 | 0.00000000 | Honeywell aerospaziale | HTMOS™ | Massa | Attivo | -55°C ~ 225°C (TJ) | Foro passante | Pad esposto da 8 CDIP | HTNFET | MOSFET (ossido di metallo) | 8-CDIP-EP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | 342-1078 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 55 V | - | 5 V | 400 mOhm a 100 mA, 5 V | 2,4 V a 100 µA | 4,3 nC a 5 V | 10 V | 290 pF a 28 V | - | 50 W (Tj) | |
| HTNFET-TC | - | | 9171 | 0.00000000 | Honeywell aerospaziale | HTMOS™ | Massa | Attivo | - | Foro passante | - | HTNFET | MOSFET (ossido di metallo) | - | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 55 V | - | 5 V | 400 mOhm a 100 mA, 5 V | 2,4 V a 100 µA | 4,3 nC a 5 V | 10 V | 290 pF a 28 V | - | 50 W (Tj) |
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