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Prodotti a semiconduttore discreti(2909)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Velocità Tipo FET Condizione di prova Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tensione - CC inversa (Vr) (max) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Td (acceso/spento) @ 25°C Corrente - Interruzione collettore (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
RN4905T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage RN4905T5LFT 0,1000
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 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4905 200 mW US6 scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA 100nA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 200 MHz 2,2 kOhm 47kOhm
2SC2235-Y,T6USNF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y,T6USNF(M -
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 ECAD 4600 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo 2SC2235 900 mW TO-92MOD scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 mA 100nA (ICBO) NPN 1 V a 50 mA, 500 mA 80 a 100 mA, 5 V 120 MHz
2SC2229-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y,F(J -
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 ECAD 5348 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo 2SC2229 800 mW TO-92MOD scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 mA 100nA (ICBO) NPN 500 mV a 1 mA, 10 mA 70 a 10 mA, 5 V 120 MHz
2SC5201(T6MURATAFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201(T6MURATAFM -
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 ECAD 5065 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo 2SC5201 900 mW TO-92MOD scaricamento 1 (illimitato) 2SC5201T6MURATAFM EAR99 8541.21.0095 1 600 V 50 mA 1 µA (ICBO) NPN 1 V a 500 mA, 20 mA 100 a 20 mA, 5 V -
RN1441ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1441ATE85LF -
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 ECAD 5685 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1441 200 mW S-Mini scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0095 3.000 20 V 300 mA 100nA (ICBO) NPN - Prepolarizzato 100 mV a 3 mA, 30 mA 200 a 4 mA, 2 V 30 MHz 5,6 kOhm
RN1112(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112(T5L,F,T) -
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 ECAD 1237 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale SC-75, SOT-416 RN1112 100 mW SSM scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100nA (ICBO) NPN - Prepolarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 120 a 1 mA, 5 V 250 MHz 22 kOhm
2SC3324-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3324-BL(TE85L,F -
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 ECAD 9331 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 125°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3324 150 mW TO-236 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0075 3.000 120 V 100 mA 100nA (ICBO) NPN 300 mV a 1 mA, 10 mA 350 a 2 mA, 6 V 100 MHz
CRS10I30C(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I30C(TE85L,QM 0,4500
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 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-123F CRS10I30 Schottky S-PIATTO (1,6x3,5) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 30 V 360 mV a 1 A 100 µA a 30 V 150°C (massimo) 1A 82 pF a 10 V, 1 MHz
RN2417,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2417,LXHF 0,3400
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 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2417 200 mW S-Mini scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500nA PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 30 a 10 mA, 5 V 200 MHz 10 kOhm 4,7 kOhm
CMS15(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS15(TE12L,Q,M) 0,6800
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 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-128 CMS15 Schottky M-PIATTO (2,4x3,8) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 60 V 580 mV a 3 A 300 µA a 60 V -40°C~150°C 3A 102pF a 10 V, 1 MHz
RN4905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4905FE,LF(CT 0,2700
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 ECAD 2228 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 RN4905 100 mW ES6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0095 4.000 50 V 100mA 100nA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 200 MHz 2,2 kOhm 47kOhm
RN2904,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2904,LF -
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 ECAD 6480 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2904 200 mW US6 scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA 500nA 2 PNP - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 200 MHz 47kOhm 47kOhm
CRZ16(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ16(TE85L,Q,M) 0,4900
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 ECAD 6370 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo ±10% -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123F CRZ16 700 mW S-PIATTO (1,6x3,5) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V a 200 mA 10 µA a 11 V 16 V 30 Ohm
2SD1221-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1221-Y(Q) -
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 ECAD 3084 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 2SD1221 1 W PW-STAMPO scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 200 60 V 3A 100μA (ICBO) NPN 1 V a 300 mA, 3 A 100 a 500 mA, 5 V 3 MHz
GT60N321(Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT60N321(Q) -
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 ECAD 5273 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-3PL GT60N321 Standard 170 W TO-3P(LH) - 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 100 - 2,5 µs - 1000 V 60A 120A 2,8 V a 15 V, 60 A - 330ns/700ns
2SC2229-O(T6MIT1FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O(T6MIT1FM -
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 ECAD 3344 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo 2SC2229 800 mW TO-92MOD scaricamento 1 (illimitato) 2SC2229OT6MIT1FM EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 mA 100nA (ICBO) NPN 500 mV a 1 mA, 10 mA 70 a 10 mA, 5 V 120 MHz
2SA1721RTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1721RTE85LF -
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 ECAD 7347 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1721 150 mW S-Mini scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0095 3.000 300 V 100 mA 100nA (ICBO) PNP 500 mV a 2 mA, 20 mA 30 a 20 mA, 10 V 50 MHz
2SA1020-Y(T6TOJ,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y(T6TOJ,FM -
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 ECAD 9874 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo 2SA1020 900 mW TO-92MOD scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2A 1 µA (ICBO) PNP 500 mV a 50 mA, 1 A 70 a 500 mA, 2 V 100 MHz
RN4986FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986FE,LF(CT 0,2600
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 ECAD 4319 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 RN4986 100 mW ES6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0095 4.000 50 V 100mA 500nA 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 250 MHz, 200 MHz 4,7 kOhm 47kOhm
HN1C01FYTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FYTE85LF 0,3300
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 ECAD 3827 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 125°C (TJ) Montaggio superficiale SC-74, SOT-457 HN1C01 300 mW SM6 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 150mA 100nA (ICBO) 2 NPN (doppio) 250mV a 10mA, 100mA 120 a 2 mA, 6 V 80 MHz
RN2110MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2110MFV,L3F 0,2000
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 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-723 RN2110 150 mW VESM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0095 8.000 50 V 100 mA 100nA (ICBO) PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 120 a 1 mA, 5 V 4,7 kOhm
2SC2655-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y,T6F(J -
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 ECAD 7873 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo 2SC2655 900 mW TO-92MOD scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2A 1 µA (ICBO) NPN 500 mV a 50 mA, 1 A 70 a 500 mA, 2 V 100 MHz
RN1404S,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1404S,LF -
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 ECAD 8748 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1404 200 mW S-Mini scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 250 MHz 47 kOhm 47 kOhm
RN2967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2967FE(TE85L,F) -
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 ECAD 6068 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 RN2967 100 mW ES6 scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0095 4.000 50 V 100mA 100nA (ICBO) 2 PNP - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 200 MHz 10kOhm 47kOhm
RN2310,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2310,LF 0,1700
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 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 RN2310 100 mW SC-70 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100nA (ICBO) PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 120 a 1 mA, 5 V 200 MHz 4,7 kOhm
2SA1837(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837(F,M) -
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 ECAD 5940 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo 2SA1837 2 W TO-220NIS scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0075 500 230 V 1A 1 µA (ICBO) PNP 1,5 V a 50 mA, 500 mA 100 a 100 mA, 5 V 70 MHz
SSM3J168F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J168F,LF 0,3700
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 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage U-MOSVI Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J168 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 60 V 400mA (Ta) 4 V, 10 V 1,9 Ohm a 100 mA, 4,5 V 2 V a 1 mA 3 nC a 10 V +20 V, -16 V 82 pF a 10 V - 1,2 W (Ta)
RN2967(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2967(TE85L,F) 0,4700
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 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2967 200 mW US6 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA 100nA (ICBO) 2 PNP - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 200 MHz 10kOhm 47kOhm
2SC4213-A(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4213-A(TE85L,F) 0,0742
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 ECAD 4305 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 125°C (TJ) Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 2SC4213 100 mW SC-70 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0095 3.000 20 V 300 mA 100nA (ICBO) NPN 100 mV a 3 mA, 30 A 200 a 4 mA, 2 V 30 MHz
2SA949-Y(T6ONK1,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y(T6ONK1,FM -
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 ECAD 8591 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo 2SA949 800 mW TO-92MOD scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 mA 100nA (ICBO) PNP 800 mV a 1 mA, 10 A 70 a 10 mA, 5 V 120 MHz
  • Daily average RFQ Volume

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  • Standard Product Unit

    30.000.000

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  • Worldwide Manufacturers

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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