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Prodotti a semiconduttore discreti(2909)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente: max	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Resistenza @ Se, F	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)	Figura di rumore (dB tipo @ f)
2SC2859-O(TE85L,F)	-	Richiesta di offerta	7051	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	125°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SC2859		150 mW	S-Mini	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																									30 V	500 mA			100nA (ICBO)		NPN	250mV a 10mA, 100mA	70 a 100 mA, 1 V	300 MHz
RN1109,LF(CT	0,2000	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	RN1109		100 mW	SSM	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																									50 V	100 mA			100nA (ICBO)		NPN - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	70 a 10 mA, 5 V	250 MHz	47 kOhm	22 kOhm
CMS06(TE12L,Q,M)	0,5400	Richiesta di offerta	60	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOD-128	CMS06	Schottky		M-PIATTO (2,4x3,8)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)															30 V		370 mV a 2 A		3 mA a 30 V	-40°C ~ 125°C	2A	130 pF a 10 V, 1 MHz
TK56E12N1,S1X	1.6800	Richiesta di offerta	7085	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVIII-H	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	TK56E12	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN			120 V	56A (Ta)	10 V	7 mOhm a 28 A, 10 V	4 V a 1 mA	69 nC a 10 V	±20 V	4200 pF a 60 V	-	168 W(Tc)
2SK3565(Q,M)	-	Richiesta di offerta	8070	Toshiba Semiconduttori e storage	π-MOSIV	Massa	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	2SK3565	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN			900 V	5A (Ta)	10 V	2,5 Ohm a 3 A, 10 V	4 V a 1 mA	28 nC a 10 V	±30 V	1150 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
SSM6J412TU,LF	0,3700	Richiesta di offerta	5	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVI	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C	Montaggio superficiale	6-SMD, conduttori piatti	SSM6J412	MOSFET (ossido di metallo)		UF6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canale P			20 V	4A (Ta)	1,5 V, 4,5 V	42,7 mOhm a 3 A, 4,5 V	1 V@1 mA	12,8 nC a 4,5 V	±8 V	840 pF a 10 V	-	1 W (Ta)
TK10S04K3L(T6L1,NQ	-	Richiesta di offerta	6481	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSIV	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	TK10S04	MOSFET (ossido di metallo)		DPAK+	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	2.000			CanaleN			40 V	10A (Ta)	6 V, 10 V	28 mOhm a 5 A, 10 V	3 V a 1 mA	10 nC a 10 V	±20 V	410 pF a 10 V	-	25 W (Tc)
TK14E65W,S1X	3.0500	Richiesta di offerta	50	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	TK14E65	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN			650 V	13,7A(Ta)	10 V	250 mOhm a 6,9 A, 10 V	3,5 V a 690 µA	35 nC a 10 V	±30 V	1300 pF a 300 V	-	130 W(Tc)
RN2108,LF(CT	0,2000	Richiesta di offerta	6863	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	RN2108		100 mW	SSM	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																									50 V	100 mA			500nA		PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	200 MHz	22 kOhm	47 kOhm
2SK2963(TE12L,F)	-	Richiesta di offerta	5608	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	2SK2963	MOSFET (ossido di metallo)		PW-MINI	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	1.000			CanaleN			100 V	1A (Ta)	4 V, 10 V	700 mOhm a 500 mA, 10 V	2 V a 1 mA	6,3 nC a 10 V	±20 V	140 pF a 10 V	-	500mW (Ta)
SSM6L11TU(TE85L,F)	-	Richiesta di offerta	8093	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-SMD, conduttori piatti	SSM6L11	MOSFET (ossido di metallo)	500 mW	UF6	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000	Canali N e P					20 V	500mA		145 mOhm a 250 MA, 4 V	1,1 V a 100 µA	-		268 pF a 10 V	Porta a livello logico
TK4A60DB(STA4,Q,M)	-	Richiesta di offerta	3537	Toshiba Semiconduttori e storage	π-MOSVII	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK4A60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN			600 V	3,7A(Ta)	10 V	2 Ohm a 1,9 A, 10 V	4,4 V a 1 mA	11 nC a 10 V	±30 V	540 pF a 25 V	-	35 W (Tc)
2SC5065-O(TE85L,F)	-	Richiesta di offerta	8403	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	125°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	2SC5065		100 mW	SC-70	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000					-																				12V	30mA					NPN		80 a 10 mA, 5 V	7GHz			1 dB a 500 MHz
TK31N60W,S1VF	9.2900	Richiesta di offerta	1508	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	TK31N60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	30			CanaleN			600 V	30,8A(Ta)	10 V	88 mOhm a 15,4 A, 10 V	3,7 V a 1,5 mA	86 nC a 10 V	±30 V	3000 pF a 300 V	-	230 W(Tc)
RN1961(TE85L,F)	0,4600	Richiesta di offerta	35	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN1961		200 mW	US6	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																									50 V	100mA			100nA (ICBO)		2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	30 a 10 mA, 5 V	250 MHz	4,7 kOhm	4,7 kOhm
TTC008(Q)	0,8400	Richiesta di offerta	6705	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	TTC008		1,1 W	PW-MOLD2	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	TTC008Q	EAR99	8541.29.0095	200																									285 V	1,5 A			10μA (ICBO)		NPN	1 V a 62,5 mA, 500 mA	80 a 1 mA, 5 V	-
TK40P03M1(T6RDS-Q)	-	Richiesta di offerta	6022	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVI-H	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	TK40P03	MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	TK40P03M1T6RDSQ	EAR99	8541.29.0095	2.000			CanaleN			30 V	40A (Ta)	4,5 V, 10 V	10,8 mOhm a 20 A, 10 V	2,3 V a 100 µA	17,5 nC a 10 V	±20 V	1150 pF a 10 V	-	-
TRS8V65H,LQ	2.7700	Richiesta di offerta	5	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	4-VSFN Tampone esposto		SiC (carburo di silicio) Schottky		4-DFN-EP (8x8)	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0080	2.500		Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)															650 V		1,35 V a 8 A	0 ns	90 µA a 650 V	175°C	8A	520 pF a 1 V, 1 MHz
1SS300,LF	0,2200	Richiesta di offerta	127	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	1SS300	Standard		USM	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	3.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità														1 paio di anodo comune	80 V	100mA	1,2 V a 100 mA	4nn	500 nA a 80 V	125°C (massimo)
TPH5R906NH,L1Q	1.7200	Richiesta di offerta	29	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVIII-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	TPH5R906	MOSFET (ossido di metallo)		Avanzamento 8-SOP (5x5)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	5.000			CanaleN			60 V	28A (Ta)	10 V	5,9 mOhm a 14 A, 10 V	4 V a 300 µA	38 nC a 10 V	±20 V	3100 pF a 30 V	-	1,6 W (Ta), 57 W (Tc)
2SA1587-GR,LF	0,2300	Richiesta di offerta	28	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	125°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	2SA1587		100 mW	SC-70	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																									120 V	100 mA			100nA (ICBO)		PNP	300 mV a 1 mA, 10 mA	200 a 2 mA, 6 V	100 MHz
2SA1618-Y(TE85L,F)	0,4700	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	125°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	2SA1618		300 mW	SMV	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																									50 V	150mA			100nA (ICBO)		2 PNP (doppia) coppia abbinata, emettitore comune	300 mV a 10 mA, 100 mA	120 a 2 mA, 6 V	80 MHz
CUS08F30,H3F	0,3300	Richiesta di offerta	362	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323	CUS08F30	Schottky		USC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)															30 V		220 mV a 10 mA		50 µA a 30 V	125°C (massimo)	800 mA	170 pF a 0 V, 1 MHz
CCS15S40,L3F	0,3800	Richiesta di offerta	48	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	2-SMD, senza piombo	CCS15S40	Schottky		CST2C	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0080	10.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)															40 V		550 mV a 1,5 A		200 µA a 40 V	125°C (massimo)	1,5 A	170 pF a 0 V, 1 MHz
1SV308,L3F	0,4300	Richiesta di offerta	7	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	125°C (TJ)		SC-79, SOD-523	1SV308			ESC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	8.000				50 mA																				0,5 pF a 1 V, 1 MHz			PIN: singolo	30 V		1,5 Ohm a 10 mA, 100 MHz
RN46A1(TE85L,F)	-	Richiesta di offerta	2335	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	RN46A1		300 mW	SM6	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																									50 V	100mA			500nA		1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	70 a 10 mA, 5 V / 50 a 10 mA, 5 V	200 MHz, 250 MHz	22kOhm, 10kOhm	22kOhm, 10kOhm
CMG02(TE12L,Q,M)	-	Richiesta di offerta	8363	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	SOD-128	CMG02	Standard		M-PIATTO (2,4x3,8)	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	CMG02(TE12LQM)	EAR99	8541.10.0080	3.000		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)															400 V		1,1 V a 2 A		10 µA a 400 V	-40°C~150°C	2A	-
2SD1221-Y(Q)	-	Richiesta di offerta	3084	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	2SD1221		1 W	PW-STAMPO	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	200																									60 V	3A			100μA (ICBO)		NPN	1 V a 300 mA, 3 A	100 a 500 mA, 5 V	3 MHz
2SD2129,LS4ALPSQ(M	-	Richiesta di offerta	5024	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	2SD2129		2 W	TO-220NIS	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1																									100 V	3A			100μA (ICBO)		NPN	2 V a 12 mA, 3 A	2000 a 1,5 A, 3 V	-
TK31E60W,S1VX	8.2200	Richiesta di offerta	3779	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	TK31E60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN			600 V	30,8A(Ta)	10 V	88 mOhm a 15,4 A, 10 V	3,7 V a 1,5 mA	86 nC a 10 V	±30 V	3000 pF a 300 V	-	230 W(Tc)