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Prodotti a semiconduttore discreti(2909)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Tipo FET	Condizione di prova	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)	Figura di rumore (dB tipo @ f)
GT10G131(TE12L,Q)	-	Richiesta di offerta	4336	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)	GT10G131	Standard		1 W	8-SOP (5,5x6,0)	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	3.000			-																					-	400 V		200A	2,3 V a 4 V, 200 A	-	3,1 µs/2 µs
CRS09(TE85L,Q,M)	0,5000	Richiesta di offerta	174	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOD-123F	CRS09		Schottky		S-PIATTO (1,6x3,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.10.0080	3.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)															30 V		460 mV a 1,5 A		50 µA a 30 V	-40°C~150°C	1,5 A	90 pF a 10 V, 1 MHz
2SC2655-Y(T6ND2,AF	-	Richiesta di offerta	3741	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SC2655			900 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0075	1																									50 V	2A					1μA (ICBO)	NPN	500 mV a 50 mA, 1 A	70 a 500 mA, 2 V	100 MHz
2SK4016(Q)	-	Richiesta di offerta	1323	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	2SK4016		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			600 V	13A (Ta)	10 V	500 mOhm a 6,5 A, 10 V	4 V a 1 mA	62 nC a 10 V	±30 V	3100 pF a 25 V	-	50 W (Tc)
RN1909FE,LXHF(CT	0,3800	Richiesta di offerta	8	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	RN1909			100 mW	ES6	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	4.000																									50 V	100mA					500nA	2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	70 a 10 mA, 5 V	250 MHz	47kOhm	22kOhm
SSM6K204FE,LF	0,5400	Richiesta di offerta	4982	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SSM6K204		MOSFET (ossido di metallo)		ES6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	4.000		CanaleN			20 V	2A (Ta)	1,5 V, 4 V	126 mOhm a 1 A, 4 V	1 V@1 mA	3,4 nC a 10 V	±10 V	195 pF a 10 V	-	500 mW (Ta)
HN1D02FU(T5L,F,T)	0,4700	Richiesta di offerta	8	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	HN1D02		Standard		ES6	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.10.0070	3.000	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità														Catodo comune a 2 coppie	80 V	100mA	1,2 V a 100 mA	4nn	500 nA a 80 V	125°C (massimo)
TK11S10N1L,LXHQ	0,9700	Richiesta di offerta	1392	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVIII-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	TK11S10		MOSFET (ossido di metallo)		DPAK+	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN			100 V	11A (Ta)	4,5 V, 10 V	28 mOhm a 5,5 A, 10 V	2,5 V a 100 µA	15 nC a 10 V	±20 V	850 pF a 10 V	-	65 W (Tc)
TK190E65Z,S1X	2.7800	Richiesta di offerta	156	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	150°C	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			650 V	15A (Ta)	10 V	190 mOhm a 7,5 A, 10 V	4 V a 610 µA	25 nC a 10 V	±30 V	1370 pF a 300 V	-	130 W(Tc)
2SA2060(TE12L,F)	0,6100	Richiesta di offerta	827	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	2SA2060			1 W	PW-MINI	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	1.000																									50 V	2A					100nA (ICBO)	PNP	200 mV a 33 mA, 1 A	200 a 300 mA, 2 V	-
RN2116MFV,L3F	0,1800	Richiesta di offerta	15	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-723	RN2116			150 mW	VESM	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	8.000																									50 V	100 mA					500nA	PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 500 µA, 5 mA	50 a 10 mA, 5 V		4,7 kOhm	10 kOhm
RN4901,LF(CT	0,2800	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4901			200 mW	US6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	3.000																									50 V	100mA					500nA	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	30 a 10 mA, 5 V	250 MHz, 200 MHz	4,7 kOhm	4,7 kOhm
2SC2655-Y(T6OMI,FM	-	Richiesta di offerta	9618	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SC2655			900 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0075	1																									50 V	2A					1μA (ICBO)	NPN	500 mV a 50 mA, 1 A	70 a 500 mA, 2 V	100 MHz
RN2603(TE85L,F)	0,4700	Richiesta di offerta	3159	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	RN2603			300 mW	SM6	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	3.000																									50 V	100mA					100nA (ICBO)	2 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	70 a 10 mA, 5 V	200 MHz	22kOhm	22kOhm
2SA1618-Y(TE85L,F)	0,4700	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	125°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	2SA1618			300 mW	SMV	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	3.000																									50 V	150mA					100nA (ICBO)	2 PNP (doppia) coppia abbinata, emettitore comune	300 mV a 10 mA, 100 mA	120 a 2 mA, 6 V	80 MHz
HN3C10FUTE85LF	0,5600	Richiesta di offerta	101	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	HN3C10			200 mW	US6	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	3.000				11,5dB																					12V	80 mA						2 NPN (doppio)		80 a 20 mA, 10 V	7GHz			1,1 dB a 1 GHz
RN1412TE85LF	0,3000	Richiesta di offerta	1	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN1412			200 mW	S-Mini	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0075	3.000																									50 V	100 mA					100nA (ICBO)	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	120 a 1 mA, 5 V	250 MHz	22 kOhm
HN1B04FU-Y(T5L,F,T	-	Richiesta di offerta	1894	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	125°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	HN1B04			200 mW	US6	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0075	3.000																									50 V	150mA					100nA (ICBO)	PNP, PNP	250mV a 10mA, 100mA	120 a 2 mA, 6 V	150 MHz
TTC004B,Q	0,5300	Richiesta di offerta	6	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-225AA, TO-126-3	TTC004			10 W	TO-126N	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0075	250																									160 V	1,5 A					100nA (ICBO)	NPN	500mV a 50mA, 500mA	140 a 100 mA, 5 V	100 MHz
TPH1R306P1,L1Q	2.4900	Richiesta di offerta	3131	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSIX-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	TPH1R306		MOSFET (ossido di metallo)		Avanzamento 8-SOP (5x5)	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN			60 V	100A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,28 mOhm a 50 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	91 nC a 10 V	±20 V	8100 pF a 30 V	-	960 mW (Ta), 170 W (Tc)
TK13A50D(STA4,Q,M)	3.0300	Richiesta di offerta	7833	Toshiba Semiconduttori e storage	π-MOSVII	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK13A50		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			500 V	13A (Ta)	10 V	400 mOhm a 6,5 A, 10 V	4 V a 1 mA	38 nC a 10 V	±30 V	1800 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
RN2903,LF	-	Richiesta di offerta	1909	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN2903			200 mW	US6	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	3.000																									50 V	100mA					500nA	2 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	70 a 10 mA, 5 V	200 MHz	22kOhm	22kOhm
RN2711JE(TE85L,F)	0,4700	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-553	RN2711			100 mW	ESV	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	4.000																									50 V	100mA					100nA (ICBO)	2 PNP - Pre-polarizzato (doppio) (emettitore accoppiato)	300 mV a 250 µA, 5 mA	120 a 1 mA, 5 V	200 MHz	10kOhm	-
TRS6E65F,S1Q	2.7600	Richiesta di offerta	40	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo		Foro passante	TO-220-2	TRS6E65		SiC (carburo di silicio) Schottky		TO-220-2L	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.10.0080	50	Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)															650 V		1,6 V a 6 A	0 ns	30 µA a 650 V	175°C (massimo)	6A	22 pF a 650 V, 1 MHz
RN1903,LF(CT	0,2700	Richiesta di offerta	55	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN1903			200 mW	US6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	3.000																									50 V	100mA					100nA (ICBO)	2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	70 a 10 mA, 5 V	250 MHz	22kOhm	22kOhm
2SC5233BTE85LF	-	Richiesta di offerta	8582	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	125°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	2SC5233			100 mW	USM	-		1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0075	3.000																									12 V	500 mA					100nA (ICBO)	NPN	250mV a 10mA, 200mA	500 a 10 mA, 2 V	130 MHz
RN1402S,LF	-	Richiesta di offerta	4581	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN1402			200 mW	S-Mini	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0075	3.000																									50 V	100 mA					500nA	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	50 a 10 mA, 5 V	250 MHz	10 kOhm	10 kOhm
TK25E60X5,S1X	4.5900	Richiesta di offerta	50	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV-H	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	TK25E60		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			600 V	25A (Ta)	10 V	140 mOhm a 7,5 A, 10 V	4,5 V a 1,2 mA	60 nC a 10 V	±30 V	2400 pF a 300 V	-	180 W(Tc)
TPCA8120,LQ(CM	-	Richiesta di offerta	9207	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVI	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	TPCA8120		MOSFET (ossido di metallo)		Avanzamento 8-SOP (5x5)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P			30 V	45A (Ta)	4,5 V, 10 V	3 mOhm a 22,5 A, 10 V	2 V a 1 mA	190 nC a 10 V	+20 V, -25 V	7420 pF a 10 V	-	1,6 W (Ta), 45 W (Tc)
TK31E60W,S1VX	8.2200	Richiesta di offerta	3779	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	TK31E60		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			600 V	30,8A(Ta)	10 V	88 mOhm a 15,4 A, 10 V	3,7 V a 1,5 mA	86 nC a 10 V	±30 V	3000 pF a 300 V	-	230 W(Tc)