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Prodotti a semiconduttore discreti(2909)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
RN1906,LXHF(CT	0,3600	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN1906			200 mW	US6	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																					50 V	100mA					500nA			2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	250 MHz	4,7 kOhm	47kOhm
RN2310,LXHF	0,3900	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	RN2310			100 mW	SC-70	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																					50 V	100 mA					100nA (ICBO)			PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	120 a 1 mA, 5 V	200 MHz	4,7 kOhm
TPH5200FNH,L1Q	2.9500	Richiesta di offerta	11	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVIII-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	TPH5200		MOSFET (ossido di metallo)		Avanzamento 8-SOP (5x5)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		250 V	26A (Tc)	10 V	52 mOhm a 13 A, 10 V	4 V a 1 mA	22 nC a 10 V	±20 V	2200 pF a 100 V	-	78 W (Tc)
RN2411,LF	0,1800	Richiesta di offerta	2606	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN2411			200 mW	S-Mini	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																					50 V	100 mA					100nA (ICBO)			PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	120 a 1 mA, 5 V	200 MHz	10 kOhm
TK1R5R04PB,LXGQ	2.6900	Richiesta di offerta	2158	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSIX-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	TK1R5R04		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK+	scaricamento		3 (168 ore)		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		40 V	160A (Ta)	6 V, 10 V	1,5 mOhm a 80 A, 10 V	3 V a 500 µA	103 nC a 10 V	±20 V	5500 pF a 10 V	-	205 W(Tc)
RN2417(TE85L,F)	0,2800	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN2417			200 mW	S-Mini	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																					50 V	100 mA					500nA			PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	30 a 10 mA, 5 V	200 MHz	10 kOhm	4,7 kOhm
2SC2655-Y(T6ND1,AF	-	Richiesta di offerta	5882	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SC2655			900 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	1																					50 V	2A					1 µA (ICBO)			NPN	500 mV a 50 mA, 1 A	70 a 500 mA, 2 V	100 MHz
RN2606(TE85L,F)	0,4800	Richiesta di offerta	910	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	RN2606			300 mW	SM6	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																					50 V	100mA					100nA (ICBO)			2 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	200 MHz	4,7 kOhm	47kOhm
TK12A50E,S5X	-	Richiesta di offerta	5246	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK12A50		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		500 V	12A (Ta)	10 V	520 mOhm a 6 A, 10 V	4 V a 1,2 mA	40 nC a 10 V	±30 V	1300 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
TK90S06N1L,LQ	2.2100	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVIII-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	TK90S06		MOSFET (ossido di metallo)		DPAK+	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN		60 V	90A (Ta)	4,5 V, 10 V	3,3 mOhm a 45 A, 10 V	2,5 V a 500 µA	81 nC a 10 V	±20 V	5400 pF a 10 V	-	157 W(Tc)
TK560P60Y,RQ	1.4700	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSV	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	TK560P60		MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN		600 V	7A(Tc)	10 V	560 mOhm a 3,5 A, 10 V	4 V a 240 µA	14,5 nC a 10 V	±30 V	380 pF a 300 V	-	60 W (Tc)
TPHR6503PL,L1Q	2.0600	Richiesta di offerta	51	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSIX-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	TPHR6503		MOSFET (ossido di metallo)		Avanzamento 8-SOP (5x5)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		30 V	150A (Tc)	4,5 V, 10 V	0,65 mOhm a 50 A, 10 V	2,1 V a 1 mA	110 nC a 10 V	±20 V	10.000 pF a 15 V	-	960 mW (Ta), 170 W (Tc)
1SS294,LF	0,3300	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	1SS294		Schottky		S-Mini	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	3.000	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità													40 V	600 mV a 100 mA	5 µA a 40 V	125°C (massimo)	100mA	25 pF a 0 V, 1 MHz
GT8G133(TE12L,Q)	-	Richiesta di offerta	4443	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm)	GT8G133	Standard		600 mW	8-TSSOP	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000			-																	-	400 V		150A	2,9 V a 4 V, 150 A	-	1,7 µs/2 µs
TK7R0E08QM,S1X	1.4500	Richiesta di offerta	172	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSX-H	Tubo	Attivo		175°C	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		80 V	64A(Tc)	6 V, 10 V	7 mOhm a 32 A, 10 V	3,5 V a 500 µA	39 nC a 10 V	±20 V	2700 pF a 40 V	-	87 W(Tc)
TPCA8055-H,LQ(M	-	Richiesta di offerta	2518	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVII-H	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	TPCA8055		MOSFET (ossido di metallo)		Avanzamento 8-SOP (5x5)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	56A (Ta)	4,5 V, 10 V	1,9 mOhm a 28 A, 10 V	2,3 V a 1 mA	91 nC a 10 V	±20 V	7700 pF a 10 V	-	1,6 W (Ta), 70 W (Tc)
TK20S06K3L(T6L1,NQ	-	Richiesta di offerta	3491	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSIV	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	TK20S06		MOSFET (ossido di metallo)		DPAK+	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN		60 V	20A (Ta)	6 V, 10 V	29 mOhm a 10 A, 10 V	3 V a 1 mA	18 nC a 10 V	±20 V	780 pF a 10 V	-	38 W (Tc)
SSM6J512NU,LF	0,4800	Richiesta di offerta	31	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVII	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-WDFN Tampone esposto	SSM6J512		MOSFET (ossido di metallo)		6-UDFNB (2x2)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P		12 V	10A (Ta)	1,8 V, 8 V	16,2 mOhm a 4 A, 8 V	1 V@1 mA	19,5 nC a 4,5 V	±10 V	1400 pF a 6 V	-	1,25 W(Ta)
2SA1586-Y(T5LND,F)	-	Richiesta di offerta	5318	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		125°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323				100 mW	SC-70	scaricamento		1 (illimitato)	264-2SA1586-Y(T5LNDF)TR	EAR99	8541.21.0095	3.000																					50 V	150 mA					100nA (ICBO)			PNP	300 mV a 10 mA, 100 mA	120 a 2 mA, 6 V	80 MHz
TPN19008QM,LQ	0,6800	Richiesta di offerta	3445	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSX-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	TPN19008		MOSFET (ossido di metallo)		8-TSON Avanzato (3.1x3.1)	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		80 V	34A(Tc)	6 V, 10 V	19 mOhm a 17 A, 10 V	3,5 V a 200 µA	16 nC a 10 V	±20 V	1400 pF a 40 V	-	630 mW (Ta), 57 W (Tc)
XPN6R706NC,L1XHQ	1.4200	Richiesta di offerta	29	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVIII-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	XPN6R706		MOSFET (ossido di metallo)		8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		60 V	40A (Ta)	4,5 V, 10 V	6,7 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 300 µA	35 nC a 10 V	±20 V	2000 pF a 10 V	-	840 mW (Ta), 100 W (Tc)
TPH4R008QM,LQ	1.5600	Richiesta di offerta	5	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSIX-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN			MOSFET (ossido di metallo)		Avanzamento 8-SOP (5x5,75)	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		80 V	86A(Tc)	6 V, 10 V	4 mOhm a 43 A, 10 V	3,5 V a 600 µA	57 nC a 10 V	±20 V	5300 pF a 40 V	-	960 mW (Ta), 170 W (Tc)
RN2706,LF	0,3000	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	RN2706			200 mW	USV	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																					50 V	100mA					500nA			2 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	200 MHz	4,7 kOhm	47kOhm
RN1105MFV,L3XHF(CT	0,3400	Richiesta di offerta	7	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SOT-723	RN1105			150 mW	VESM	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	8.000																					50 V	100 mA					500nA			NPN - Prepolarizzato	300 mV a 500 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V		2,2 kOhm	47 kOhm
CRZ20(TE85L,Q,M)	0,4900	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOD-123F	CRZ20			700 mW	S-PIATTO (1,6x3,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0050	3.000															1 V a 200 mA	10 µA a 14 V												20 V	30 Ohm
RN1105ACT(TPL3)	-	Richiesta di offerta	7215	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	RN1105			100 mW	CST3	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	10.000																					50 V	80 mA					500nA			NPN - Prepolarizzato	150 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V		2,2 kOhm	47 kOhm
2SC4944-Y(TE85L,F)	0,3500	Richiesta di offerta	557	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		125°C (TJ)	Montaggio superficiale	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	2SC4944			200 mW	USV	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																					50 V	150mA					100nA (ICBO)			2 coppie abbinate NPN (doppia), emettitore comune	250mV a 10mA, 100mA	120 a 2 mA, 6 V	80 MHz
TK1K0A60F,S4X	1.1100	Richiesta di offerta	68	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo		150°C	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK1K0A60		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		600 V	7,5A(Ta)	10 V	1 Ohm a 3,8 A, 10 V	4 V a 770 µA	24 nC a 10 V	±30 V	890 pF a 300 V	-	40 W (Tc)
RN2413,LF	0,0309	Richiesta di offerta	2205	Toshiba Semiconduttori e storage	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo										-	Conformità ROHS3		264-RN2413,LFTR			3.000
2SK2993(TE24L,Q)	-	Richiesta di offerta	9210	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	2SK2993		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SM	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		250 V	20A (Ta)	10 V	105 mOhm a 10 A, 10 V	3,5 V a 1 mA	100 nC a 10 V	±20 V	4000 pF a 10 V	-	100 W (Tc)