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Prodotti a semiconduttore discreti(2909)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
1SS309(TE85L,F)	0,4100	Richiesta di offerta	385	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	1SS309	Standard		SMV	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.10.0070	3.000	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità												4 Catodo comune	80 V	100mA	1,2 V a 100 mA	4nn	500 nA a 80 V	125°C (massimo)
TPN13008NH,L1Q	1.0600	Richiesta di offerta	656	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVIII-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	TPN13008	MOSFET (ossido di metallo)		8-TSON Avanzato (3.1x3.1)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN	80 V	18A (Tc)	10 V	13,3 mOhm a 9 A, 10 V	4 V a 200 µA	18 nC a 10 V	±20 V	1600 pF a 40 V	-	700 mW (Ta), 42 W (Tc)
RN1963(TE85L,F)	0,4700	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN1963		200 mW	US6	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	3.000																						50 V	100mA	100nA (ICBO)	2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	70 a 10 mA, 5 V	250 MHz	22kOhm	22kOhm
TK65S04N1L,LXHQ	1.2300	Richiesta di offerta	5169	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVIII-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	TK65S04	MOSFET (ossido di metallo)		DPAK+	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN	40 V	65A (Ta)	4,5 V, 10 V	4,3 mOhm a 32,5 A, 10 V	2,5 V a 300 µA	39 nC a 10 V	±20 V	2550 pF a 10 V	-	107 W(Tc)
TK39A60W,S4VX	9.7500	Richiesta di offerta	100	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK39A60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	600 V	38,8A(Ta)	10 V	65 mOhm a 19,4 A, 10 V	3,7 V a 1,9 mA	110 nC a 10 V	±30 V	4100 pF a 300 V	-	50 W (Tc)
TK8R2A06PL,S4X	1.0200	Richiesta di offerta	1381	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSIX-H	Tubo	Attivo	175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK8R2A06	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	60 V	50A (Tc)	4,5 V, 10 V	11,4 mOhm a 8 A, 4,5 V	2,5 V a 300 µA	28,4 nC a 10 V	±20 V	1990 pF a 25 V	-	36 W (Tc)
2SC3074-Y(Q)	-	Richiesta di offerta	5361	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	2SC3074		1 W	PW-STAMPO	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0075	200																						50 V	5A	1μA (ICBO)	NPN	400 mV a 150 mA, 3 A	120 @ 1A, 1V	120 MHz
2SA1837,TOA1F(J	-	Richiesta di offerta	8224	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	2SA1837		2 W	TO-220NIS	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0075	1																						230 V	1A	1μA (ICBO)	PNP	1,5 V a 50 mA, 500 mA	100 a 100 mA, 5 V	70 MHz
RN1967FE(TE85L,F)	-	Richiesta di offerta	7266	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	RN1967		100 mW	ES6	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	4.000																						50 V	100mA	100nA (ICBO)	2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	250 MHz	10kOhm	47kOhm
RN2117(T5L,F,T)	-	Richiesta di offerta	9782	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	RN2117		100 mW	SSM	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0075	3.000																						50 V	100 mA	500nA	PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	30 a 10 mA, 5 V	200 MHz	10 kOhm	4,7 kOhm
RN2902,LF(CT	0,2800	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN2902		200 mW	US6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	3.000																						50 V	100mA	500nA	2 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	50 a 10 mA, 5 V	200 MHz	10kOhm	10kOhm
SSM3K333R,LF	0,4500	Richiesta di offerta	86	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVII-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-3 Derivazioni piatte	SSM3K333	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	30 V	6A (Ta)	4,5 V, 10 V	28 mOhm a 5 A, 10 V	2,5 V a 100 µA	3,4 nC a 4,5 V	±20 V	436 pF a 15 V	-	1 W (Ta)
TK31J60W,S1VQ	9.3800	Richiesta di offerta	15	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3	TK31J60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-3P(N)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	25		CanaleN	600 V	30,8A(Ta)	10 V	88 mOhm a 15,4 A, 10 V	3,7 V a 1,5 mA	86 nC a 10 V	±30 V	3000 pF a 300 V	-	230 W(Tc)
RN4981FE,LXHF(CT	0,3800	Richiesta di offerta	7	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	RN4981		100 mW	ES6	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	4.000																						50 V	100mA	500nA	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	30 a 10 mA, 5 V	250 MHz, 200 MHz	4,7 kOhm	4,7 kOhm
2SA2056(TE85L,F)	0,1275	Richiesta di offerta	9013	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SA2056		625 mW	TSM	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	3.000																						50 V	2A	100nA (ICBO)	PNP	200 mV a 33 mA, 1 A	200 a 300 mA, 2 V	-
RN1318(TE85L,F)	0,2800	Richiesta di offerta	470	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	RN1318		100 mW	SC-70	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0075	3.000																						50 V	100 mA	500nA	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	50 a 10 mA, 5 V	250 MHz	47 kOhm	10 kOhm
TJ40S04M3L(T6L1,NQ	1.7200	Richiesta di offerta	1939	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVI	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	TJ40S04	MOSFET (ossido di metallo)		DPAK+	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	2.000		Canale P	40 V	40A (Ta)	6 V, 10 V	9,1 mOhm a 20 A, 10 V	3 V a 1 mA	83 nC a 10 V	+10 V, -20 V	4140 pF a 10 V	-	68 W(Tc)
TK3R1E04PL,S1X	1.4400	Richiesta di offerta	50	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSIX-H	Tubo	Attivo	175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	TK3R1E04	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	40 V	100A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,8 mOhm a 30 A, 4,5 V	2,4 V a 500 µA	63,4 nC a 10 V	±20 V	4670 pF a 20 V	-	87 W(Tc)
CLS01(TE16L,PAS,Q)	-	Richiesta di offerta	8647	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto		Montaggio superficiale	L-FLAT™	CLS01	Schottky		L-FLAT™ (4x5,5)	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.10.0080	1	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													30 V		470 mV a 10 A		1 mA a 30 V	-40°C ~ 125°C	10A	530 pF a 10 V, 1 MHz
2SA1837,YHF(M	-	Richiesta di offerta	1662	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	2SA1837		2 W	TO-220NIS	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0075	1																						230 V	1A	1μA (ICBO)	PNP	1,5 V a 50 mA, 500 mA	100 a 100 mA, 5 V	70 MHz
TK3R9E10PL,S1X	2.3700	Richiesta di offerta	100	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	175°C	Foro passante	TO-220-3	TK3R9E10	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	100 V	100A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,9 mOhm a 50 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	96 nC a 10 V	±20 V	6320 pF a 50 V	-	230 W(Tc)
RN1703JE(TE85L,F)	0,4700	Richiesta di offerta	7	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-553	RN1703		100 mW	ESV	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	4.000																						50 V	100mA	100nA (ICBO)	2 NPN - Pre-polarizzato (doppio) (emettitore accoppiato)	300 mV a 250 µA, 5 mA	70 a 10 mA, 5 V	250 MHz	22kOhm	22kOhm
RN1706JE(TE85L,F)	-	Richiesta di offerta	8712	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro tagliato (CT)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-553	RN1706		100 mW	ESV	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	4.000																						50 V	100mA	100nA (ICBO)	2 NPN - Pre-polarizzato (doppio) (emettitore accoppiato)	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	250 MHz	4,7 kOhm	47kOhm
RN4908FE,LXHF(CT	0,3800	Richiesta di offerta	8	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	RN4908		100 mW	ES6	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	4.000																						50 V	100mA	500nA	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	200 MHz, 250 MHz	22kOhm	47kOhm
RN2311,LXHF	0,3900	Richiesta di offerta	5	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	RN2311		100 mW	SC-70	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0075	3.000																						50 V	100 mA	100nA (ICBO)	PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	120 a 1 mA, 5 V	200 MHz	10 kOhm
TPH1R005PL,L1Q	2.0000	Richiesta di offerta	6103	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSIX-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	TPH1R005	MOSFET (ossido di metallo)		Avanzamento 8-SOP (5x5)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN	45 V	150A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,04 mOhm a 50 A, 10 V	2,4 V a 1 mA	99 nC a 10 V	±20 V	9600 pF a 22,5 V	-	960 mW (Ta), 170 W (Tc)
2SC5201(TE6,F,M)	-	Richiesta di offerta	1063	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SC5201		900 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	1																						600 V	50 mA	1μA (ICBO)	NPN	1 V a 500 mA, 20 mA	100 a 20 mA, 5 V	-
CRH01(TE85R,Q,M)	0,5200	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOD-123F	CRH01	Standard		S-PIATTO (1,6x3,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.10.0080	3.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													200 V		980 mV a 1 A	35 ns	10 µA a 200 V	-40°C~150°C	1A	-
TPN7R506NH,L1Q	1.0200	Richiesta di offerta	5	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVIII-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	TPN7R506	MOSFET (ossido di metallo)		8-TSON Avanzato (3.1x3.1)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN	60 V	26A (Tc)	6,5 V, 10 V	7,5 mOhm a 13 A, 10 V	4 V a 200 µA	22 nC a 10 V	±20 V	1800 pF a 30 V	-	700 mW (Ta), 42 W (Tc)
2SA1298-Y,LF	0,4200	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SA1298		200 mW	S-Mini	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0075	3.000																						25 V	800 mA	100nA (ICBO)	PNP	400mV a 20mA, 500mA	160 a 100 mA, 1 V	120 MHz