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Prodotti a semiconduttore discreti(2909)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente: max	Condizione di prova	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Resistenza @ Se, F	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)	Figura di rumore (dB tipo @ f)
TK39N60X,S1F	7.2100	Richiesta di offerta	2761	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV-H	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	TK39N60		MOSFET (ossido di metallo)		TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	30			CanaleN				600 V	38,8A(Ta)	10 V	65 mOhm a 12,5 A, 10 V	3,5 V a 1,9 mA	85 nC a 10 V	±30 V	4100 pF a 300 V	-	270 W(Tc)
HN1A01FU-Y,LF	0,2700	Richiesta di offerta	1	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	125°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	HN1A01			200 mW	US6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																											50 V	150mA							100nA (ICBO)		2 PNP (doppio)	300 mV a 10 mA, 100 mA	120 a 2 mA, 6 V	80 MHz
RN1962TE85LF	-	Richiesta di offerta	5519	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN1962			500 mW	US6	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																											50 V	100mA							100nA (ICBO)		2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	50 a 10 mA, 5 V	250 MHz	10kOhm	10kOhm
RN2311(TE85L,F)	0,2700	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	RN2311			100 mW	SC-70	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																											50 V	100 mA							100nA (ICBO)		PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	120 a 1 mA, 5 V	200 MHz	10 kOhm
2SC5065-Y(TE85L,F)	0,4100	Richiesta di offerta	5	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	125°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	2SC5065			100 mW	SC-70	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000						12dB~17dB																					12V	30mA									NPN		120 a 10 mA, 5 V	7GHz			1,1 dB a 1 GHz
RN2409,LF	0,1900	Richiesta di offerta	9037	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN2409			200 mW	S-Mini	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																											50 V	100 mA							500nA		PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	70 a 10 mA, 5 V	200 MHz	47 kOhm	22 kOhm
CMH08(TE12L,Q,M)	-	Richiesta di offerta	9412	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	SOD-128	CMH08		Standard		M-PIATTO (2,4x3,8)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS		CMH08(TE12LQM)	EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																400 V		1,3 V a 2 A	100 n	10 µA a 400 V	-40°C~150°C	2A	-
2SA1869-Y,Q(J	-	Richiesta di offerta	3028	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	2SA1869			10 W	TO-220NIS	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	1																											50 V	3A							1 µA (ICBO)		PNP	600 mV a 200 mA, 2 A	70 a 500 mA, 2 V	100 MHz
SSM6K202FE,LF	0,4600	Richiesta di offerta	15	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SSM6K202		MOSFET (ossido di metallo)		ES6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	4.000			CanaleN				30 V	2,3A(Ta)	1,8 V, 4 V	85 mOhm a 1,5 A, 4 V	1 V@1 mA		±12V	270 pF a 10 V	-	500 mW (Ta)
1SV307(TPH3,F)	0,4300	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	125°C (TJ)		SC-76, SOD-323	1SV307				USC	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	3.000				50 mA																					0,5 pF a 1 V, 1 MHz								PIN: singolo	30 V		1,5 Ohm a 10 mA, 100 MHz
RN4989(TE85L,F)	0,3400	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4989			200 mW	US6	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																											50 V	100mA							500nA		1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	70 a 10 mA, 5 V	250 MHz, 200 MHz	47kOhm	22kOhm
1SS362FV,L3F	0,2000	Richiesta di offerta	140	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-723	1SS362		Standard		VESM	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	8.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità															Connessione in serie da 1 paio	80 V	100mA	1,2 V a 100 mA	4nn	500 nA a 80 V	150°C (massimo)
RN1102ACT(TPL3)	-	Richiesta di offerta	6140	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	RN1102			100 mW	CST3	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	10.000																											50 V	80 mA							500nA		NPN - Prepolarizzato	150 mV a 250 µA, 5 mA	50 a 10 mA, 5 V		10 kOhm	10 kOhm
RN2309,LF	0,1800	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	RN2309			100 mW	SC-70	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																											50 V	100 mA							500nA		PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	70 a 10 mA, 5 V	200 MHz	47 kOhm	22 kOhm
1SV308(TH3,F)	-	Richiesta di offerta	8277	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto	125°C (TJ)		SC-79, SOD-523	1SV308				ESC	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0080	4.000				50 mA																					0,5 pF a 1 V, 1 MHz								PIN: singolo	30 V		1,5 Ohm a 10 mA, 100 MHz
CMG03(TE12L,Q,M)	-	Richiesta di offerta	2511	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	SOD-128	CMG03		Standard		M-PIATTO (2,4x3,8)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	CMG03(TE12LQM)	EAR99	8541.10.0080	3.000		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)																600 V		1,1 V a 2 A		10 µA a 600 V	-40°C~150°C	2A	-
TK9A65W,S5X	2.2200	Richiesta di offerta	1169	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK9A65		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN				650 V	9,3A(Ta)	10 V	500 mOhm a 4,6 A, 10 V	3,5 V a 350 µA	20 nC a 10 V	±30 V	700 pF a 300 V	-	30 W (Tc)
GT40RR21(STA1,E	3.6500	Richiesta di offerta	1369	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	175°C (TJ)	Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3	GT40RR21	Standard		230 W	TO-3P(N)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	25					280 V, 40 A, 10 Ohm, 20 V																600 n					-	1200 V	40A	200A	2,8 V a 15 V, 40 A	-, 540μJ (spento)	-
TK290P65Y,RQ	1.9500	Richiesta di offerta	7937	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSV	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	TK290P65		MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	2.000			CanaleN				650 V	11,5 A(Tc)	10 V	290 mOhm a 5,8 A, 10 V	4 V a 450 µA	25 nC a 10 V	±30 V	730 pF a 300 V	-	100 W (Tc)
RN2404TE85LF	-	Richiesta di offerta	6084	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN2404			200 mW	S-Mini	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																											50 V	100 mA							500nA		PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	200 MHz	47 kOhm	47 kOhm
TDTC114Y,LM	0,1800	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TDTC114			320 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																											50 V	100 mA							500nA		NPN - Prepolarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	79 a 5 mA, 5 V	250 MHz	10 kOhm
2SC2655-Y,T6APNF(M	-	Richiesta di offerta	3058	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SC2655			900 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	1																											50 V	2A							1 µA (ICBO)		NPN	500 mV a 50 mA, 1 A	70 a 500 mA, 2 V	100 MHz
RN1101MFV,L3F	0,0261	Richiesta di offerta	9895	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi		Montaggio superficiale	SOT-723	RN1101			150 mW	VESM	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	8.000																											50 V	100 mA							500nA		NPN - Prepolarizzato	300 mV a 500 µA, 5 mA	30 a 10 mA, 5 V		4,7 kOhm	4,7 kOhm
2SC2655-Y(TE6,F,M)	-	Richiesta di offerta	1528	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SC2655			900 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	1																											50 V	2A							1 µA (ICBO)		NPN	500 mV a 50 mA, 1 A	70 a 500 mA, 2 V	100 MHz
RN2307(TE85L,F)	-	Richiesta di offerta	3221	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	RN2307			100 mW	SC-70	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																											50 V	100 mA							500nA		PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	200 MHz	10 kOhm	47 kOhm
RN4907,LF	0,2800	Richiesta di offerta	3821	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4907			200 mW	US6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																											50 V	100mA							500nA		1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	200 MHz	10kOhm	47kOhm
SSM3J375F,LXHF	0,4900	Richiesta di offerta	6	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101, U-MOSVI	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET (ossido di metallo)		S-Mini	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canale P				20 V	2A (Ta)	1,5 V, 4,5 V	150 mOhm a 1 A, 4,5 V	1 V@1 mA	4,6 nC a 4,5 V	+6V, -8V	270 pF a 10 V	-	600mW(Ta)
XPJR6604PB,LXHQ	2.7700	Richiesta di offerta	1489	Toshiba Semiconduttori e storage	Automotive, AEC-Q101, U-MOSIX-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C	Montaggio superficiale	5-PowerSFN			MOSFET (ossido di metallo)		S-TOGL™	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1.500			CanaleN				40 V	200A (Ta)	6 V, 10 V	0,66 mOhm a 100 A, 10 V	3 V a 1 mA	128 nC a 10 V	±20 V	11380 pF a 10 V	-	375 W(Tc)
SSM6N7002BFE,LM	0,3300	Richiesta di offerta	28	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SSM6N7002		MOSFET (ossido di metallo)	150 mW	ES6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	4.000	2 canali N (doppio)						60 V	200mA		2,1 Ohm a 500 mA, 10 V	3,1 V a 250 µA	-		17 pF a 25 V	Porta a livello logico
RN2107MFV,L3F(CT	0,1800	Richiesta di offerta	16	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-723	RN2107			150 mW	VESM	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	8.000																											50 V	100 mA							500nA		PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 500 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V		10 kOhm	47 kOhm