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Prodotti a semiconduttore discreti(2909)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
RN2117(T5L,F,T)	-	Richiesta di offerta	9782	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	RN2117		100 mW	SSM	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																					50 V	100 mA	500nA			PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	30 a 10 mA, 5 V	200 MHz	10 kOhm	4,7 kOhm
TPN13008NH,L1Q	1.0600	Richiesta di offerta	656	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVIII-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	TPN13008	MOSFET (ossido di metallo)		8-TSON Avanzato (3.1x3.1)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	5.000			CanaleN	80 V	18A (Tc)	10 V	13,3 mOhm a 9 A, 10 V	4 V a 200 µA	18 nC a 10 V	±20 V	1600 pF a 40 V	-	700 mW (Ta), 42 W (Tc)
TK8R2A06PL,S4X	1.0200	Richiesta di offerta	1381	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSIX-H	Tubo	Attivo		175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK8R2A06	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN	60 V	50A (Tc)	4,5 V, 10 V	11,4 mOhm a 8 A, 4,5 V	2,5 V a 300 µA	28,4 nC a 10 V	±20 V	1990 pF a 25 V	-	36 W (Tc)
TK39A60W,S4VX	9.7500	Richiesta di offerta	100	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK39A60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN	600 V	38,8A(Ta)	10 V	65 mOhm a 19,4 A, 10 V	3,7 V a 1,9 mA	110 nC a 10 V	±30 V	4100 pF a 300 V	-	50 W (Tc)
RN1967FE(TE85L,F)	-	Richiesta di offerta	7266	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	RN1967		100 mW	ES6	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	4.000																					50 V	100mA	100nA (ICBO)			2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	250 MHz	10kOhm	47kOhm
TK7A65D(STA4,Q,M)	2.2100	Richiesta di offerta	50	Toshiba Semiconduttori e storage	π-MOSVII	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK7A65	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN	650 V	7A (Ta)	10 V	980 mOhm a 3,5 A, 10 V	4 V a 1 mA	24 nC a 10 V	±30 V	1200 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
TK65S04N1L,LXHQ	1.2300	Richiesta di offerta	5169	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVIII-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	TK65S04	MOSFET (ossido di metallo)		DPAK+	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	2.000			CanaleN	40 V	65A (Ta)	4,5 V, 10 V	4,3 mOhm a 32,5 A, 10 V	2,5 V a 300 µA	39 nC a 10 V	±20 V	2550 pF a 10 V	-	107 W(Tc)
RN1963(TE85L,F)	0,4700	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN1963		200 mW	US6	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																					50 V	100mA	100nA (ICBO)			2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	70 a 10 mA, 5 V	250 MHz	22kOhm	22kOhm
2SK2962(T6CANO,A,F	-	Richiesta di offerta	8525	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto			Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SK2962			TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	1					1A(Tj)
TPCA8036-H(TE12L,Q	-	Richiesta di offerta	8612	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVI-H	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	TPCA8036	MOSFET (ossido di metallo)		Avanzamento 8-SOP (5x5)	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	3.000			CanaleN	30 V	38A (Ta)	4,5 V, 10 V	4,2 mOhm a 19 A, 10 V	2,3 V a 500 µA	50 nC a 10 V	±20 V	4600 pF a 10 V	-	1,6 W (Ta), 45 W (Tc)
HN4C06J-BL(TE85L,F	0,1088	Richiesta di offerta	3999	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	HN4C06		300 mW	SMV	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																					120 V	100mA	100nA (ICBO)			2 Emettitore comune NPN (doppio).	300 mV a 1 mA, 10 mA	200 a 2 mA, 6 V	100 MHz
XPH4R10ANB,L1XHQ	2.2600	Richiesta di offerta	34	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVIII-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,197", larghezza 5,00 mm)	XPH4R10	MOSFET (ossido di metallo)		Avanzamento 8-SOP (5x5)	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	5.000			CanaleN	100 V	70A (Ta)	6 V, 10 V	4,1 mOhm a 35 A, 10 V	3,5 V a 1 mA	75 nC a 10 V	±20 V	4970 pF a 10 V	-	960 mW (Ta), 170 W (Tc)
SSM3K15AFS,LF	0,2800	Richiesta di offerta	107	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSIII	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	SSM3K15	MOSFET (ossido di metallo)		SSM	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000			CanaleN	30 V	100mA (Ta)	2,5 V, 4 V	3,6 Ohm a 10 mA, 4 V	1,5 V a 100 µA		±20 V	13,5 pF a 3 V	-	100mW (Ta)
2SA1586-GR,LXHF	0,3300	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323			200 mW	USM	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																					50 V	150 mA	100nA (ICBO)			PNP	300 mV a 10 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 6 V	80 MHz
SSM6J825R,LF	0,4400	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C	Montaggio superficiale	6-SMD, conduttori piatti	SSM6J825	MOSFET (ossido di metallo)		6-TSOP-F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canale P	30 V	4A (Ta)	4 V, 10 V	45 mOhm a 4 A, 10 V	2 V a 250 µA	6,2 nC a 4,5 V	+10 V, -20 V	492 pF a 10 V	-	1,5 W(Ta)
TTA006B,Q	0,6200	Richiesta di offerta	103	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Vassoio	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-225AA, TO-126-3			1,5 W	TO-126N	scaricamento		1 (illimitato)	264-TTA006BQ	EAR99	8541.29.0095	250																					230 V	1A	200nA (ICBO)			PNP	1,5 V a 50 mA, 500 mA	100 a 100 mA, 5 V	70 MHz
2SC2229-Y(MIT1,F,M	-	Richiesta di offerta	1503	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SC2229		800 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	1																					150 V	50 mA	100nA (ICBO)			NPN	500 mV a 1 mA, 10 mA	70 a 10 mA, 5 V	120 MHz
RN2427TE85LF	0,4200	Richiesta di offerta	4924	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN2427		200 mW	S-Mini	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																					50 V	800 mA	500nA			PNP - Pre-polarizzato	250 mV a 1 mA, 50 mA	90 a 100 mA, 1 V	200 MHz	2,2 kOhm	10 kOhm
TPCC8001-H(TE12LQM	-	Richiesta di offerta	4160	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSV-H	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Tampone esposto 8-VDFN	TPCC8001	MOSFET (ossido di metallo)		8-TSON Avanzato (3,3x3,3)	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	3.000			CanaleN	30 V	22A (Ta)	4,5 V, 10 V	8,3 mOhm a 11 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	27 nC a 10 V	±20 V	2500 pF a 10 V	-	700 mW (Ta), 30 W (Tc)
RN4903(T5L,F,T)	-	Richiesta di offerta	4486	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4903		200 mW	US6	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																					50 V	100mA	100nA (ICBO)			1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	70 a 10 mA, 5 V	200 MHz	22kOhm	22kOhm
CMZ22(TE12L,Q,M)	-	Richiesta di offerta	5156	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOD-128	CMZ22		2 W	M-PIATTO (2,4x3,8)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS		CMZ22(TE12LQM)	EAR99	8541.10.0050	3.000															1,2 V a 200 mA		10 µA a 16 V							22 V	30 Ohm
TK25S06N1L,LQ	1.0300	Richiesta di offerta	5833	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVIII-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	TK25S06	MOSFET (ossido di metallo)		DPAK+	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	2.000			CanaleN	60 V	25A (Ta)	4,5 V, 10 V	18,5 mOhm a 12,5 A, 10 V	2,5 V a 100 µA	15 nC a 10 V	±20 V	855 pF a 10 V	-	57 W(Tc)
RN2902,LF(CT	0,2800	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN2902		200 mW	US6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																					50 V	100mA	500nA			2 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	50 a 10 mA, 5 V	200 MHz	10kOhm	10kOhm
CRH01(TE85R,Q,M)	0,5200	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SOD-123F	CRH01	Standard		S-PIATTO (1,6x3,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												200 V	980 mV a 1 A	35 ns	10 µA a 200 V	-40°C~150°C	1A	-
SSM3K333R,LF	0,4500	Richiesta di offerta	86	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVII-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-3 Derivazioni piatte	SSM3K333	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	3.000			CanaleN	30 V	6A (Ta)	4,5 V, 10 V	28 mOhm a 5 A, 10 V	2,5 V a 100 µA	3,4 nC a 4,5 V	±20 V	436 pF a 15 V	-	1 W (Ta)
TK31J60W,S1VQ	9.3800	Richiesta di offerta	15	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3	TK31J60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-3P(N)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	25			CanaleN	600 V	30,8A(Ta)	10 V	88 mOhm a 15,4 A, 10 V	3,7 V a 1,5 mA	86 nC a 10 V	±30 V	3000 pF a 300 V	-	230 W(Tc)
2SA1298-Y,LF	0,4200	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SA1298		200 mW	S-Mini	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																					25 V	800 mA	100nA (ICBO)			PNP	400mV a 20mA, 500mA	160 a 100 mA, 1 V	120 MHz
SSM6P35AFU,LF	0,4300	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVII	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SSM6P35	MOSFET (ossido di metallo)	285 mW (Ta)	US6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali P (doppio)			20 V	250mA (Ta)		1,4 Ohm a 150 mA, 4,5 V	1 V a 100 µA	-		42 pF a 10 V	Porta a livello logico, azionamento da 1,2 V
CUS05(TE85L,Q,M)	-	Richiesta di offerta	2964	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323	CUS05	Schottky		USA-PIATTO (1,25x2,5)	-	Conforme alla direttiva RoHS		CUS05(TE85LQM)	EAR99	8541.10.0080	4.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												20 V	370 mV a 700 mA		1 mA a 20 V	-40°C ~ 125°C	1A	40 pF a 10 V, 1 MHz
RN1961(TE85L,F)	0,4600	Richiesta di offerta	35	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN1961		200 mW	US6	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																					50 V	100mA	100nA (ICBO)			2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	30 a 10 mA, 5 V	250 MHz	4,7 kOhm	4,7 kOhm