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Prodotti a semiconduttore discreti(2909)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Tipo FET	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)	Figura di rumore (dB tipo @ f)
2SD2695(T6CANO,F,M	-	Richiesta di offerta	9371	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SD2695		900 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	1																							60 V	2A	10μA (ICBO)	NPN	1,5 V a 1 mA, 1 A	2000 a 1 A, 2 V	100 MHz
RN2111ACT(TPL3)	0,0527	Richiesta di offerta	10	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	RN2111		100 mW	CST3	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	10.000																							50 V	80 mA	100nA (ICBO)	PNP - Pre-polarizzato	150 mV a 250 µA, 5 mA	120 a 1 mA, 5 V		10 kOhm
2SK2845(TE16L1,Q)	-	Richiesta di offerta	5146	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	2SK2845	MOSFET (ossido di metallo)		PW-STAMPO	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN		900 V	1A (Ta)	10 V	9 Ohm a 500 mA, 10 V	4 V a 1 mA	15 nC a 10 V	±30 V	350 pF a 25 V	-	40 W (Tc)
CRS08(TE85L)	-	Richiesta di offerta	9469	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto		Montaggio superficiale	SOD-123F	CRS08	Schottky		S-PIATTO (1,6x3,5)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0080	3.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)														30 V		360 mV a 1,5 A		1 mA a 30 V	-40°C ~ 125°C	1,5 A	-
BAV70,LM	0,2100	Richiesta di offerta	1	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAV70	Standard		SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	3.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													1 paio di catodo comune	100 V	215 mA	1,25 V a 150 mA	4nn	200 nA a 80 V	150°C (massimo)
RN2911(T5L,F,T)	-	Richiesta di offerta	5354	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN2911		200 mW	US6	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																							50 V	100mA	100nA (ICBO)	2 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	120 a 1 mA, 5 V	200 MHz	10kOhm	-
2SA1020-Y(T6CANOFM	-	Richiesta di offerta	6361	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SA1020		900 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)	2SA1020YT6CANOFM	EAR99	8541.21.0075	1																							50 V	2A	1 µA (ICBO)	PNP	500 mV a 50 mA, 1 A	70 a 500 mA, 2 V	100 MHz
RN2107MFV,L3F	-	Richiesta di offerta	3225	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-723	RN2107		150 mW	VESM	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	8.000																							50 V	100 mA	500nA	PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V		10 kOhm	47 kOhm
RN2902,LF	-	Richiesta di offerta	7224	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN2902		200 mW	US6	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																							50 V	100mA	500nA	2 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	50 a 10 mA, 5 V	200 MHz	10kOhm	10kOhm
TK12A60W,S4VX	3.9800	Richiesta di offerta	50	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK12A60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		600 V	11,5A(Ta)	10 V	300 mOhm a 5,8 A, 10 V	3,7 V a 600 µA	25 nC a 10 V	±30 V	890 pF a 300 V	-	35 W (Tc)
RN1701JE(TE85L,F)	0,4700	Richiesta di offerta	12	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-553	RN1701		100 mW	ESV	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	4.000																							50 V	100mA	100nA (ICBO)	2 NPN - Pre-polarizzato (doppio) (emettitore accoppiato)	300 mV a 250 µA, 5 mA	30 a 10 mA, 5 V	250 MHz	4,7 kOhm	4,7 kOhm
2SC5096-R,LF	-	Richiesta di offerta	8066	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	125°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	2SC5096		100 mW	SSM	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000			1,4dB																				10 V	15 mA		NPN		50 a 7 mA, 6 V	10GHz			1,4 dB a 1 GHz
RN1416,LXHF	0,3400	Richiesta di offerta	6	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN1416		200 mW	S-Mini	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																							50 V	100 mA	500nA	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	50 a 10 mA, 5 V	250 MHz	4,7 kOhm	10 kOhm
RN1902FE,LF(CT	0,3400	Richiesta di offerta	22	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	RN1902		100 mW	ES6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	4.000																							50 V	100mA	100nA (ICBO)	2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	30 a 10 mA, 5 V	250 MHz	10kOhm	1kOhm
RN4983FE,LF(CT	0,2700	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	RN4983		100 mW	ES6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	4.000																							50 V	100mA	100nA (ICBO)	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	70 a 10 mA, 5 V	250 MHz	22kOhm	22kOhm
TPC8110(TE12L,Q,M)	-	Richiesta di offerta	6368	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSIII	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)	TPC8110	MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP (5,5x6,0)	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P		40 V	8A (Ta)	4 V, 10 V	25 mOhm a 4 A, 10 V	2 V a 1 mA	48 nC a 10 V	±20 V	2180 pF a 10 V	-	1 W (Ta)
1SS367,H3F	0,2000	Richiesta di offerta	63	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323	1SS367	Schottky		USC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	3.000	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità														10 V		500 mV a 100 mA		20 µA a 10 V	125°C (massimo)	100mA	40 pF a 0 V, 1 MHz
2SC4738-Y,LF	0,2000	Richiesta di offerta	8	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	125°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	2SC4738		100 mW	SSM	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																							50 V	150 mA	100nA (ICBO)	NPN	250mV a 10mA, 100mA	120 a 2 mA, 6 V	80 MHz
2SA1162S-GR,LF(D	-	Richiesta di offerta	6832	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	125°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SA1162		150 mW	S-Mini	scaricamento		1 (illimitato)	2SA1162S-GRLF(D	EAR99	8541.21.0095	3.000																							50 V	150 mA	100nA (ICBO)	PNP	300 mV a 10 mA, 100 mA	70 a 2 mA, 6 V	80 MHz
RN4908(T5L,F,T)	-	Richiesta di offerta	6703	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4908		200 mW	US6	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																							50 V	100mA	100nA (ICBO)	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	200 MHz	22kOhm	47kOhm
2SC3669-Y,T2PASF(M	-	Richiesta di offerta	5810	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	SC-71	2SC3669		1 W	MSTM	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	1																							80 V	2A	1 µA (ICBO)	NPN	500 mV a 50 mA, 1 A	70 a 500 mA, 2 V	100 MHz
2SC2229-O(MIT1F,M)	-	Richiesta di offerta	5931	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SC2229		800 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	1																							150 V	50 mA	100nA (ICBO)	NPN	500 mV a 1 mA, 10 mA	70 a 10 mA, 5 V	120 MHz
RN4983,LXHF(CT	0,4400	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4983		200 mW	US6	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																							50 V	100mA	500nA	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	70 a 10 mA, 5 V	250 MHz, 200 MHz	22kOhm	22kOhm
TK12A50W,S5X	2.1100	Richiesta di offerta	50	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Tubo	Attivo	150°C	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		500 V	11,5A(Ta)	10 V	300 mOhm a 5,8 A, 10 V	3,7 V a 600 µA	25 nC a 10 V	±30 V	890 pF a 300 V	-	35 W (Tc)
1SS307(TE85L,F)	0,3700	Richiesta di offerta	9	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	1SS307	Standard		S-Mini	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	3.000	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità														30 V		1,3 V a 100 mA		10 nA a 30 V	125°C (massimo)	100mA	6 pF a 0 V, 1 MHz
2SA1020-Y,HOF(M	-	Richiesta di offerta	4288	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SA1020		900 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	1																							50 V	2A	1 µA (ICBO)	PNP	500 mV a 50 mA, 1 A	70 a 500 mA, 2 V	100 MHz
2SD2406-Y(F)	-	Richiesta di offerta	9090	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	2SD2406		25 W	TO-220NIS	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50																							80 V	4A	30μA (ICBO)	NPN	1,5 V a 300 mA, 3 A	120 a 500 mA, 5 V	8 MHz
RN2713JE(TE85L,F)	0,4700	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-553	RN2713		100 mW	ESV	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	4.000																							50 V	100mA	100nA (ICBO)	2 PNP - Pre-polarizzato (doppio) (emettitore accoppiato)	300 mV a 250 µA, 5 mA	120 a 1 mA, 5 V	200 MHz	47kOhm	-
CRH01(TE85L)	-	Richiesta di offerta	9197	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto		Montaggio superficiale	SOD-123F	CRH01	Standard		S-PIATTO (1,6x3,5)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0080	3.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)														200 V		980 mV a 1 A	35 ns	10 µA a 200 V	-40°C~150°C	1A	-
RN2317(TE85L,F)	0,2800	Richiesta di offerta	962	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	RN2317		100 mW	SC-70	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																							50 V	100 mA	500nA	PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	30 a 10 mA, 5 V	200 MHz	10 kOhm	4,7 kOhm