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Prodotti a semiconduttore discreti(2909)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)	Assorbimento di corrente (Id) -Max	Rapporto di capacità	Condizione del rapporto di capacità	D@Vr, F
1SS402TE85LF	0,3800	Richiesta di offerta	25	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SC-82	1SS402	Schottky		USQ	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0070	3.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità												2 Indipendente	20 V	50mA	550 mV a 50 mA		500 nA a 20 V	125°C (massimo)
TK35N65W,S1F	7.8600	Richiesta di offerta	25	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	TK35N65	MOSFET (ossido di metallo)		TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	30			CanaleN	650 V	35A (Ta)	10 V	80 mOhm a 17,5 A, 10 V	3,5 V a 2,1 mA	100 nC a 10 V	±30 V	4100 pF a 300 V	-	270 W(Tc)
CLS03(TE16L,PSD,Q)	-	Richiesta di offerta	6614	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto			Montaggio superficiale	L-FLAT™	CLS03	Schottky		L-FLAT™ (4x5,5)	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													60 V		580 mV a 10 A		1 mA a 60 V	-40°C ~ 125°C	10A	345 pF a 10 V, 1 MHz
TPCL4202(TE85L,F)	-	Richiesta di offerta	3500	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-XFLGA	TPCL4202	MOSFET (ossido di metallo)	500 mW	Chip LGA a 4 (1,59x1,59)	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0095	4.000	2 canali N (mezzo ponte)			-	-		-	1,2 V a 200 µA	-		780 pF a 10 V	-
2SC4944-GR(TE85L,F	0,3500	Richiesta di offerta	11	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		125°C (TJ)	Montaggio superficiale	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	2SC4944		200 mW	USV	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0095	3.000																							50 V	150 mA						100nA (ICBO)			NPN	250mV a 10mA, 100mA	200 a 2 mA, 6 V	80 MHz
TRS4E65H,S1Q	1.8500	Richiesta di offerta	400	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo			Foro passante	TO-220-2		SiC (carburo di silicio) Schottky		TO-220-2L	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		264-TRS4E65H,S1Q	EAR99	8541.10.0080	50		Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)													650 V		1,35 V a 4 A	0 ns	55 µA a 650 V	175°C	4A	263pF @ 1V, 1MHz
RN4909FE,LXHF(CT	0,3800	Richiesta di offerta	8	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	RN4909		100 mW	ES6	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0095	4.000																							50 V	100mA						500nA			1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	70 a 10 mA, 5 V	200 MHz, 250 MHz	47kOhm	22kOhm
RN1411,LXHF	0,3400	Richiesta di offerta	6	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN1411		200 mW	S-Mini	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0095	3.000																							50 V	100 mA						100nA (ICBO)			NPN - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	120 a 1 mA, 5 V	250 MHz	10 kOhm
SSM3J356R,LF	0,4100	Richiesta di offerta	318	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVI	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-3 Derivazioni piatte	SSM3J356	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	3.000			Canale P	60 V	2A (Ta)	4 V, 10 V	300 mOhm a 1 A, 10 V	2 V a 1 mA	8,3 nC a 10 V	+10 V, -20 V	330 pF a 10 V	-	1 W (Ta)
RN2421(TE85L,F)	0,0906	Richiesta di offerta	3541	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi			Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN2421		200 mW	S-Mini	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0075	3.000																							50 V	800 mA						500nA			PNP - Prepolarizzato	250mV a 2mA, 50mA	60 a 100 mA, 1 V	200 MHz	1 kOhm	1 kOhm
RN4981,LXHF(CT	0,4400	Richiesta di offerta	6	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4981		200 mW	US6	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0075	3.000																							50 V	100mA						500nA			1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	30 a 10 mA, 5 V	250 MHz, 200 MHz	4,7 kOhm	4,7 kOhm
TJ30S06M3L,LXHQ	1.2000	Richiesta di offerta	137	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVI	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	TJ30S06	MOSFET (ossido di metallo)		DPAK+	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	2.000			Canale P	60 V	30A (Ta)	6 V, 10 V	21,8 mOhm a 15 A, 10 V	3 V a 1 mA	80 nC a 10 V	+10 V, -20 V	3950 pF a 10 V	-	68 W(Tc)
SSM6J511NU,LF	0,5000	Richiesta di offerta	24	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVII	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-WDFN Tampone esposto	SSM6J511	MOSFET (ossido di metallo)		6-UDFNB (2x2)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canale P	12 V	14A (Ta)		9,1 mOhm a 4 A, 8 V	1 V@1 mA	47 nC a 4,5 V		3350 pF a 6 V	-
TK6Q60W,S1VQ	1.9900	Richiesta di offerta	8673	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Tronchetto cavi, IPak	TK6Q60	MOSFET (ossido di metallo)		I-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	75			CanaleN	600 V	6,2A(Ta)	10 V	820 mOhm a 3,1 A, 10 V	3,7 V a 310 µA	12 nC a 10 V	±30 V	390 pF a 300 V	-	60 W (Tc)
CRZ10(TE85L,Q)	-	Richiesta di offerta	1889	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-40°C~150°C	Montaggio superficiale	SOD-123F	CRZ10		700 mW	S-PIATTO (1,6x3,5)	scaricamento		1 (illimitato)		CRZ10TR-NDR	EAR99	8541.10.0050	3.000																	1 V a 200 mA		10 µA a 6 V												10 V	30 Ohm
TK190U65Z,RQ	2.9200	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSVI	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C	Montaggio superficiale	8-PowerSFN		MOSFET (ossido di metallo)		PEDAGGIO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	2.000			CanaleN	650 V	15A (Ta)	10 V	190 mOhm a 7,5 A, 10 V	4 V a 610 µA	25 nC a 10 V	±30 V	1370 pF a 300 V	-	130 W(Tc)
1SV304TPH3F	0,4200	Richiesta di offerta	121	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		125°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323	1SV304			USC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	3.000																						6,6 pF a 4 V, 1 MHz			Separare	10 V														3	C1/C4	-
1SV228TPH3F	0,4400	Richiesta di offerta	20	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		125°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	1SV228			S-Mini	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	3.000																						13,7 pF a 8 V, 1 MHz			1 paio di catodo comune	15 V														2.6	C3/C8	-
1SV305,L3F	0,4400	Richiesta di offerta	13	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		125°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-79, SOD-523	1SV305			ESC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	8.000																						6,6 pF a 4 V, 1 MHz			Separare	10 V														3	C1/C4	-
CUS02(TE85L,Q,M)	-	Richiesta di offerta	2445	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323	CUS02	Schottky		USA-PIATTO (1,25x2,5)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	4.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													30 V		470 mV a 1 A		100 µA a 30 V	-40°C~150°C	1A	-
CMS21(TE12L,Q,M)	0,4900	Richiesta di offerta	4683	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo					CMS21				-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)				0000.00.0000	3.000
TK28E65W,S1X	5.8100	Richiesta di offerta	6456	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Tubo	Attivo		150°C	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN	650 V	27,6A(Ta)	10 V	110 mOhm a 13,8 A, 10 V	3,5 V a 1,6 mA	75 nC a 10 V	±30 V	3000 pF a 300 V	-	230 W(Tc)
JDV2S41FS(TPL3)	-	Richiesta di offerta	5763	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		125°C (TJ)	Montaggio superficiale	2-SMD, cavo piatto	JDV2S41			fSC	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0070	10.000																						16 pF a 2 V, 1 MHz			Separare	15 V															-	-
XPH3R114MC,L1XHQ	2.2500	Richiesta di offerta	2968	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVI	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	XPH3R114	MOSFET (ossido di metallo)		Avanzamento 8-SOP (5x5)	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	5.000			Canale P	40 V	100A (Ta)	4,5 V, 10 V	3,1 mOhm a 50 A, 10 V	2,1 V a 1 mA	230 nC a 10 V	+10 V, -20 V	9500 pF a 10 V	-	960 mW (Ta), 170 W (Tc)
SSM6L820R,LXHF	0,5800	Richiesta di offerta	7	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C	Montaggio superficiale	6-SMD, conduttori piatti	SSM6L820	MOSFET (ossido di metallo)	1,4 W(Ta)	6-TSOP-F	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	3.000	Canali N e P			30 V, 20 V	4A (Ta)		39,1 mOhm a 2 A, 4,5 V, 45 mOhm a 3,5 A, 10 V	1 V a 1 mA, 1,2 V a 1 mA	3,2 nC a 4,5 V, 6,7 nC a 4,5 V		310 pF a 15 V, 480 pF a 10 V	-
TPHR9203PL1,LQ	1.7200	Richiesta di offerta	19	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSIX-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN		MOSFET (ossido di metallo)		Avanzamento 8-SOP (5x5,75)	-		1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	5.000			CanaleN	30 V	150A (Tc)	4,5 V, 10 V	0,92 mOhm a 50 A, 10 V	2,1 V a 500 µA	81 nC a 10 V	±20 V	7540 pF a 15 V	-	960 mW (Ta), 170 W (Tc)
TPH2R903PL,L1Q	0,9400	Richiesta di offerta	8110	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSIX-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN		MOSFET (ossido di metallo)		Avanzamento 8-SOP (5x5)	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	5.000			CanaleN	30 V	70A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,9 mOhm a 35 A, 10 V	2,1 V a 200 µA	26 nC a 10 V	±20 V	2300 pF a 15 V	-	960 mW (Ta), 81 W (Tc)
1SS272TE85LF	0,4900	Richiesta di offerta	11	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SC-61AA	1SS272	Standard		SC-61B	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0070	3.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità												2 Indipendente	80 V	100mA	1,2 V a 100 mA	4nn	500 nA a 80 V	125°C (massimo)
2SK209-GR(TE85L,F)	0,4700	Richiesta di offerta	6	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		125°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SK209		150 mW	SC-59	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0095	3.000			CanaleN								13 pF a 10 V																50 V	14 mA a 10 V	1,5 V a 100 nA										14 mA
1SV270TPH3F	0,4200	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		125°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323	1SV270			USC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0070	3.000																						8,7 pF a 4 V, 1 MHz			Separare	10 V														2	C1/C4	-