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Prodotti a semiconduttore discreti(2909)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
TPC8066-H,LQ(S	-	Richiesta di offerta	9428	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVII-H	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	TPC8066			MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN						30 V	11A (Ta)	4,5 V, 10 V	16 mOhm a 5,5 A, 10 V	2,3 V a 100 µA	15 nC a 10 V	±20 V	1100 pF a 10 V	-	1 W (Ta)
SSM3K35MFV,L3F	-	Richiesta di offerta	6004	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			150°C	Montaggio superficiale	SOT-723	SSM3K35			MOSFET (ossido di metallo)		VESM	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	SSM3K35MFVL3F	EAR99	8541.21.0095	8.000			CanaleN						20 V	180mA (Ta)	1,2 V, 4 V	3 Ohm a 50 mA, 4 V	1 V@1 mA		±10 V	9,5 pF a 3 V	-	150mW (Ta)
TK13A65U(STA4,Q,M)	-	Richiesta di offerta	1833	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSII	Tubo	Obsoleto			150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK13A65			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	500			CanaleN						650 V	13A (Ta)	10 V	380 mOhm a 6,5 A, 10 V	5 V a 1 mA	17 nC a 10 V	±30 V	950 pF a 10 V	-	40 W (Tc)
2SA1020-Y(6MBH1,AF	-	Richiesta di offerta	3365	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto			150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SA1020				900 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	1																														50 V	2A						1μA (ICBO)			PNP	500 mV a 50 mA, 1 A	70 a 500 mA, 2 V	100 MHz
SSM3J352F,LF	0,4900	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVI	Nastro e bobina (TR)	Attivo			150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SSM3J352			MOSFET (ossido di metallo)		S-Mini	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canale P						20 V	2A (Ta)	1,8 V, 10 V	110 mOhm a 2 A, 10 V	1,2 V a 1 mA	5,1 nC a 4,5 V	±12V	210 pF a 10 V	-	1,2 W (Ta)
CMZ36(TE12L,Q,M)	0,5800	Richiesta di offerta	2937	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOD-128					2 W	M-PIATTO (2,4x3,8)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0050	3.000																							1,2 V a 200 mA		10 µA a 28,8 V													36 V	30 Ohm
RN1114(T5L,F,T)	-	Richiesta di offerta	5709	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	RN1114				100 mW	SSM	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																														50 V	100 mA						500nA			NPN - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	50 a 10 mA, 5 V	250 MHz	1 kOhm	10 kOhm
TK15A60D(STA4,Q,M)	-	Richiesta di offerta	5345	Toshiba Semiconduttori e storage	π-MOSVII	Tubo	Obsoleto			150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK15A60			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN						600 V	15A (Ta)	10 V	370 mOhm a 7,5 A, 10 V	4 V a 1 mA	45 nC a 10 V	±30 V	2600 pF a 25 V	-	50 W (Tc)
2SC2229-Y(T6MITIFM	-	Richiesta di offerta	7080	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto			150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SC2229				800 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)	2SC2229YT6MITIFM	EAR99	8541.21.0075	1																														150 V	50 mA						100nA (ICBO)			NPN	500 mV a 1 mA, 10 mA	70 a 10 mA, 5 V	120 MHz
CRS04(TE85L)	-	Richiesta di offerta	7404	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto				Montaggio superficiale	SOD-123F	CRS04			Schottky		S-PIATTO (1,6x3,5)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																			40 V		510 mV a 1 A		100 µA a 40 V	-40°C~150°C	1A	-
2SA1943N(S1,E,S)	2.4400	Richiesta di offerta	1	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo			150°C (TJ)	Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3	2SA1943				150 W	TO-3P(N)	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	2SA1943N(S1ES)	EAR99	8541.29.0075	25																														230 V	15A						5μA (ICBO)			PNP	3 V a 800 mA, 8 A	80 a 1 A, 5 V	30 MHz
2SA949-Y,ONK-1F(M	-	Richiesta di offerta	6594	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto			150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SA949				800 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	1																														150 V	50 mA						100nA (ICBO)			PNP	800 mV a 1 mA, 10 A	70 a 10 mA, 5 V	120 MHz
2SA1312-BL(TE85L,F	0,3300	Richiesta di offerta	33	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			125°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SA1312				150 mW	S-Mini	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																														120 V	100 mA						100nA (ICBO)			PNP	300 mV a 1 mA, 10 mA	350 a 2 mA, 6 V	100 MHz
HN2D03F(TE85L,F)	0,6000	Richiesta di offerta	8812	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	HN2D03			Standard		SM6	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	3.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità																		3 Indipendente	400 V	100mA	1,3 V a 100 mA	500 n	100 µA a 400 V	150°C (massimo)
GT50N322A	4.7800	Richiesta di offerta	76	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Vassoio	Attivo			150°C (TJ)	Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3		Standard			156 W	TO-3P(N)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	264-GT50N322A	EAR99	8541.29.0095	50					-																			800 n					-	1000 V	50A	120A	2,8 V a 15 V, 60 A	-	-
CTS05S30,L3F	0,3400	Richiesta di offerta	15	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	SOD-882	CTS05S30			Schottky		CST2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	10.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																			30 V		340 mV a 100 mA		150 µA a 10 V	125°C (massimo)	500mA	55 pF a 0 V, 1 MHz
2SC5714(TE12L,ZF)	-	Richiesta di offerta	5601	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Scatola	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA					1 W	PW-MINI	scaricamento				EAR99	8541.29.0095	1																														20 V	4A						100nA (ICBO)			NPN	150 mV a 32 mA, 1,6 A	400 a 500 mA, 2 V	-
RN1316,LXHF	0,3900	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	RN1316				100 mW	SC-70	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																														50 V	100 mA						500nA			NPN - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	50 a 10 mA, 5 V	250 MHz	4,7 kOhm	10 kOhm
RN1911,LF(CT	0,2800	Richiesta di offerta	8828	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN1911				100 mW	US6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																														50 V	100mA						100nA (ICBO)			2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	120 a 1 mA, 5 V	250 MHz	10kOhm	-
SSM6N813R,LF	0,5500	Richiesta di offerta	8	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo			175°C	Montaggio superficiale	6-SMD, conduttori piatti	SSM6N813			MOSFET (ossido di metallo)	1,5 W(Ta)	6-TSOP-F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)								100 V	3,5A(Ta)		112 mOhm a 3,5 A, 10 V	2,5 V a 100 µA	3,6 nC a 4,5 V		242 pF a 15 V	-
HN2S01FUTE85LF	0,3800	Richiesta di offerta	9	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	HN2S01			Schottky		US6	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	3.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità																		3 Indipendente	10 V	100mA	500 mV a 100 mA		20 µA a 10 V	125°C (massimo)
RN1104T5LFT	0,3800	Richiesta di offerta	528	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	RN1104				100 mW	SSM	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																														50 V	100 mA						500nA			NPN - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	250 MHz	47 kOhm	47 kOhm
CLH06(TE16R,Q)	-	Richiesta di offerta	7267	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto				Montaggio superficiale	L-FLAT™	CLH06			Standard		L-FLAT™ (4x5,5)	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																			300 V			35 ns		-	5A	-
TPH5900CNH,L1Q	1.0100	Richiesta di offerta	3577	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVIII-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	TPH5900			MOSFET (ossido di metallo)		Avanzamento 8-SOP (5x5)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	5.000			CanaleN						150 V	9A (Ta)	10 V	59 mOhm a 4,5 A, 10 V	4 V a 200 µA	7 nC a 10 V	±20 V	600 pF a 75 V	-	1,6 W (Ta), 42 W (Tc)
3SK293(TE85L,F)	0,5200	Richiesta di offerta	6	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi		12,5 V		Montaggio superficiale	SC-82A, SOT-343	3SK293		800 MHz	MOSFET		USQ	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000	Doppio cancello a canale N			30mA		10 mA	-	22dB											2,5dB																	6 V
TK15S04N1L,LQ	1.6400	Richiesta di offerta	4104	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVIII-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo			175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	TK15S04			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK+	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	2.000			CanaleN						40 V	15A (Ta)	4,5 V, 10 V	17,8 mOhm a 7,5 A, 10 V	2,5 V a 100 µA	10 nC a 10 V	±20 V	610 pF a 10 V	-	46 W (Tc)
2SA1429-Y(T2TR,F,M	-	Richiesta di offerta	8569	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto			150°C (TJ)	Foro passante	SC-71	2SA1429				1 W	MSTM	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	1																														80 V	2A						1μA (ICBO)			PNP	500 mV a 50 mA, 1 A	70 a 500 mA, 2 V	80 MHz
TPC8407,LQ(S	-	Richiesta di offerta	5590	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	TPC8407			MOSFET (ossido di metallo)	450 mW	8-SOP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	2.500	Canali N e P								30 V	9A, 7,4A		17 mOhm a 4,5 A, 10 V	2,3 V a 100 µA	17nC a 10V		1190 pF a 10 V	Porta a livello logico
RN4911(T5L,F,T)	-	Richiesta di offerta	9993	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4911				200 mW	US6	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																														50 V	100mA						100nA (ICBO)			1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	120 a 1 mA, 5 V	200 MHz	10kOhm	-
RN1118MFV,L3F	0,1800	Richiesta di offerta	6563	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	SOT-723	RN1118				150 mW	VESM	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	8.000																														50 V	100 mA						500nA			NPN - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	50 a 10 mA, 5 V	250 MHz	47 kOhm	10 kOhm