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Prodotti a semiconduttore discreti(2909)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
SSM5N16FU,LF	0,4500	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C	Montaggio superficiale	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	SSM5N16	MOSFET (ossido di metallo)	200mW (Ta)	USV	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali N (doppio)			20 V	100mA (Ta)		3 Ohm a 10 mA, 4 V	1,1 V a 100 µA	-		9,3 pF a 3 V	-
SSM6K208FE,LF	0,5200	Richiesta di offerta	2897	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SSM6K208	MOSFET (ossido di metallo)		ES6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	4.000			CanaleN	30 V	1,9A(Ta)	1,8 V, 4 V	133 mOhm a 1 A, 4 V	1 V@1 mA	1,9 nC a 4 V	±12V	123 pF a 15 V	-	500mW (Ta)
TK100S04N1L,LQ	2.8100	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVIII-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	TK100S04	MOSFET (ossido di metallo)		DPAK+	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	2.000			CanaleN	40 V	100A (Ta)	4,5 V, 10 V	2,3 mOhm a 50 A, 10 V	2,5 V a 500 µA	76 nC a 10 V	±20 V	5490 pF a 10 V	-	100 W (Tc)
CRS10I40B(TE85L,QM	0,4700	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOD-123F	CRS10I40	Schottky		S-PIATTO (1,6x3,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												40 V	450 mV a 1 A		100 µA a 40 V	150°C (massimo)	1A	62 pF a 10 V, 1 MHz
RN1510(TE85L,F)	0,4500	Richiesta di offerta	142	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro tagliato (CT)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	RN1510		300 mW	SMV	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0095	3.000																					50 V	100mA	100nA (ICBO)	2 NPN - Pre-polarizzato (doppio) (emettitore accoppiato)	300 mV a 250 µA, 5 mA	120 a 1 mA, 5 V	250 MHz	4,7 kOhm	-
RN1402,LXHF	0,3400	Richiesta di offerta	47	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN1402		200 mW	S-Mini	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0095	3.000																					50 V	100 mA	500nA	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	50 a 10 mA, 5 V	250 MHz	10 kOhm	10 kOhm
SSM3J16CT(TPL3)	-	Richiesta di offerta	2106	Toshiba Semiconduttori e storage	π-MOSVI	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	SSM3J16	MOSFET (ossido di metallo)		CST3	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0095	10.000			Canale P	20 V	100mA (Ta)	1,5 V, 4 V	8 Ohm a 10 mA, 4 V	1,1 V a 100 µA		±10 V	11 pF a 3 V	-	100mW (Ta)
TPH4R10ANL,L1Q	1.6500	Richiesta di offerta	7346	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVIII-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	TPH4R10	MOSFET (ossido di metallo)		Avanzamento 8-SOP (5x5)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	5.000			CanaleN	100 V	92A (Ta), 70A (Tc)	4,5 V, 10 V	4,1 mOhm a 35 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	75 nC a 10 V	±20 V	6300 pF a 50 V	-	2,5 W (Ta), 67 W (Tc)
TK50E06K3A,S1X(S	-	Richiesta di offerta	5024	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSIV	Tubo	Obsoleto	-	Foro passante	TO-220-3	TK50E06	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220-3	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN	60 V	50A (Tc)		8,5 mOhm a 25 A, 10 V	-	54 nC a 10 V			-	-
CLS03,LNITTOQ(O	-	Richiesta di offerta	6921	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto		Montaggio superficiale	L-FLAT™	CLS03	Schottky		L-FLAT™ (4x5,5)	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												60 V	580 mV a 10 A		1 mA a 60 V	-40°C ~ 125°C	10A	345 pF a 10 V, 1 MHz
SSM3K36TU,LF	0,3600	Richiesta di offerta	2021	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C	Montaggio superficiale	3-SMD, conduttori piatti	SSM3K36	MOSFET (ossido di metallo)		UFM	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0095	3.000			CanaleN	20 V	500mA (Ta)	1,5 V, 5 V	630 mOhm a 200 mA, 5 V	1 V@1 mA	1,23 nC a 4 V	±10 V	46 pF a 10 V	-	800 mW (Ta)
2SK2376(Q)	-	Richiesta di offerta	4520	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3, Scheda corta	2SK2376	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FL	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN	60 V	45A (Ta)	4 V, 10 V	17 mOhm a 25 A, 10 V	2 V a 1 mA	110 nC a 10 V	±20 V	3350 pF a 10 V	-	100 W (Tc)
HN1A01FE-GR,LF	0,3300	Richiesta di offerta	4	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	HN1A01		100 mW	ES6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0095	4.000																					50 V	150mA	100nA (ICBO)	2 PNP (doppio)	300 mV a 10 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 6 V	80 MHz
TK2K2A60F,S4X	0,9400	Richiesta di offerta	6	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	150°C	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK2K2A60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN	600 V	3,5A(Ta)	10 V	2,2 Ohm a 1,8 A, 10 V	4 V a 350 µA	13 nC a 10 V	±30 V	450 pF a 300 V	-	30 W (Tc)
SSM3J35CT,L3F	0,3400	Richiesta di offerta	7	Toshiba Semiconduttori e storage	π-MOSVI	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C	Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	SSM3J35	MOSFET (ossido di metallo)		CST3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0095	10.000			Canale P	20 V	100mA (Ta)	1,2 V, 4 V	8 Ohm a 50 mA, 4 V	1 V@1 mA		±10 V	12,2 pF a 3 V	-	100mW (Ta)
TPCA8103(TE12L,Q,M	-	Richiesta di offerta	6622	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	TPCA8103	MOSFET (ossido di metallo)		Avanzamento 8-SOP (5x5)	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	3.000			Canale P	30 V	40A (Ta)	4 V, 10 V	4,2 mOhm a 20 A, 10 V	2 V a 1 mA	184 nC a 10 V	±20 V	7880 pF a 10 V	-	1,6 W (Ta), 45 W (Tc)
RN1910,LF(CT	0,2700	Richiesta di offerta	8287	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN1910		100 mW	US6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0095	3.000																					50 V	100mA	100nA (ICBO)	2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	120 a 1 mA, 5 V	250 MHz	4,7 kOhm	-
RN2108ACT(TPL3)	-	Richiesta di offerta	4994	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	RN2108		100 mW	CST3	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0095	10.000																					50 V	80 mA	500nA	PNP - Prepolarizzato	150 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V		22 kOhm	47 kOhm
TTC4116FU,LF	0,2400	Richiesta di offerta	1	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	TTC4116		100 mW	SC-70	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0095	3.000																					50 V	150 mA	100nA (ICBO)	NPN	250mV a 10mA, 100mA	120 a 2 mA, 6 V	80 MHz
XPH3R206NC,L1XHQ	1.7500	Richiesta di offerta	19	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101, U-MOSVIII-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,197", larghezza 5,00 mm)	XPH3R206	MOSFET (ossido di metallo)		Avanzamento 8-SOP (5x5)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	5.000			CanaleN	60 V	70A (Ta)		3,2 mOhm a 35 A, 10 V	2,5 V a 500 µA	65 nC a 10 V	±20 V	4180 pF a 10 V	-	960 mW (Ta), 132 W (Tc)
CMS01(TE12L,Q,M)	0,6600	Richiesta di offerta	20	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOD-128	CMS01	Schottky		M-PIATTO (2,4x3,8)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												30 V	370 mV a 3 A		5 mA a 30 V	-40°C ~ 125°C	3A	-
TK31N60W5,S1VF	7.0800	Richiesta di offerta	3930	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	TK31N60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	30			CanaleN	600 V	30,8A(Ta)	10 V	99 mOhm a 15,4 A, 10 V	4,5 V a 1,5 mA	105 nC a 10 V	±30 V	3000 pF a 300 V	-	230 W(Tc)
RN2305(TE85L,F)	0,2700	Richiesta di offerta	107	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro tagliato (CT)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	RN2305		100 mW	SC-70	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0075	3.000																					50 V	100 mA	500nA	PNP - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	200 MHz	2,2 kOhm	47 kOhm
2SC2235(T6KMAT,F,M	-	Richiesta di offerta	3473	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SC2235		900 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0075	1																					120 V	800 mA	100nA (ICBO)	NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	80 a 100 mA, 5 V	120 MHz
RN2107,LXHF(CT	0,3300	Richiesta di offerta	5	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	RN2107		100 mW	SSM	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0095	3.000																					50 V	100 mA	500nA	PNP - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	200 MHz	10 kOhm	47 kOhm
TK040Z65Z,S1F	12.5400	Richiesta di offerta	2107	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSVI	Tubo	Attivo	150°C	Foro passante	TO-247-4	TK040Z65	MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-4L(T)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		264-TK040Z65ZS1F	EAR99	8541.29.0095	25			CanaleN	650 V	57A (Ta)	10 V	40 mOhm a 28,5 A, 10 V	4 V a 2,85 mA	105 nC a 10 V	±30 V	6250 pF a 300 V	-	360 W(Tc)
TRS6E65C,S1AQ	-	Richiesta di offerta	2406	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Obsoleto		Foro passante	TO-220-2	TRS6E65	SiC (carburo di silicio) Schottky		TO-220-2L	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	50		Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)												650 V	1,7 V a 6 A	0 ns	90 µA a 650 V	175°C (massimo)	6A	35 pF a 650 V, 1 MHz
2SC2235-Y(T6FJT,AF	-	Richiesta di offerta	6044	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SC2235		900 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0075	1																					120 V	800 mA	100nA (ICBO)	NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	80 a 100 mA, 5 V	120 MHz
CMS07(TE12L,Q,M)	0,1916	Richiesta di offerta	2620	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOD-128	CMS07	Schottky		M-PIATTO (2,4x3,8)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												30 V	450 mV a 2 A		500 µA a 30 V	-40°C~150°C	2A	-
CUS10S30,H3F	0,3500	Richiesta di offerta	195	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323	CUS10S30	Schottky		USC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												30 V	230 mV a 100 mA		500 µA a 30 V	125°C (massimo)	1A	135 pF a 0 V, 1 MHz