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Prodotti a semiconduttore discreti(2909)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
2SA949-Y(TE6,F,M)	-	Richiesta di offerta	6398	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SA949		800 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0075	1																					150 V	50 mA	100nA (ICBO)	PNP	800 mV a 1 mA, 10 A	70 a 10 mA, 5 V	120 MHz
RN2106CT(TPL3)	-	Richiesta di offerta	9972	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	RN2106		50 mW	CST3	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	10.000																					20 V	50 mA	500nA	PNP - Prepolarizzato	150 mV a 250 µA, 5 mA	120 a 10 mA, 5 V		4,7 kOhm	47 kOhm
RN1112MFV,L3F	0,1800	Richiesta di offerta	8	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-723	RN1112		150 mW	VESM	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	8.000																					50 V	100 mA	100nA (ICBO)	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 500 µA, 5 mA	120 a 1 mA, 5 V		22 kOhm
TK11A65W,S5X	1.5300	Richiesta di offerta	101	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK11A65	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN	650 V	11.1A (Ta)	10 V	390 mOhm a 5,5 A, 10 V	3,5 V a 450 µA	25 nC a 10 V	±30 V	890 pF a 300 V	-	35 W (Tc)
CRS15I40A(TE85L,QM	0,4500	Richiesta di offerta	8628	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOD-123F	CRS15I40	Schottky		S-PIATTO (1,6x3,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												40 V	550 mV a 1,5 A		60 µA a 40 V	150°C (massimo)	1,5 A	35 pF a 10 V, 1 MHz
TPC8125,LQ(S	0,7300	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVI	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	TPC8125	MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	2.500			Canale P	30 V	10A (Ta)	4,5 V, 10 V	13 mOhm a 5 A, 10 V	2 V a 500 µA	64 nC a 10 V	+20 V, -25 V	2580 pF a 10 V	-	1 W (Ta)
2SC4793,F(J	-	Richiesta di offerta	3083	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	2SC4793		2 W	TO-220NIS	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0075	1																					230 V	1A	1μA (ICBO)	NPN	1,5 V a 50 mA, 500 mA	100 a 100 mA, 5 V	100 MHz
TK1K9A60F,S4X	0,9000	Richiesta di offerta	4438	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSIX	Tubo	Attivo	150°C	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK1K9A60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN	600 V	3,7A(Ta)	10 V	1,9 Ohm a 1,9 A, 10 V	4 V a 400 µA	14 nC a 10 V	±30 V	490 pF a 300 V	-	30 W (Tc)
CMF01(TE12L,Q,M)	-	Richiesta di offerta	3559	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	SOD-128	CMF01	Standard		M-PIATTO (2,4x3,8)	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												600 V	2 V e 2 A	100 n	50 µA a 600 V	-40°C~150°C	2A	-
RN2503(TE85L,F)	0,4800	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	RN2503		300 mW	SMV	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	3.000																					50 V	100mA	100nA (ICBO)	2 PNP - Pre-polarizzato (doppio) (emettitore accoppiato)	300 mV a 250 µA, 5 mA	70 a 10 mA, 5 V	200 MHz	22kOhm	22kOhm
SSM3K344R,LF	0,4400	Richiesta di offerta	32	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVII-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-3 Derivazioni piatte	SSM3K344	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	3.000			CanaleN	20 V	3A (Ta)	1,5 V, 4,5 V	71 mOhm a 3 A, 4,5 V	1 V@1 mA	2 nC a 4 V	±8 V	153 pF a 10 V	-	1 W (Ta)
SSM5N16FU,LF	0,4500	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C	Montaggio superficiale	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	SSM5N16	MOSFET (ossido di metallo)	200mW (Ta)	USV	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali N (doppio)			20 V	100mA (Ta)		3 Ohm a 10 mA, 4 V	1,1 V a 100 µA	-		9,3 pF a 3 V	-
SSM3J16CT(TPL3)	-	Richiesta di offerta	2106	Toshiba Semiconduttori e storage	π-MOSVI	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	SSM3J16	MOSFET (ossido di metallo)		CST3	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	10.000			Canale P	20 V	100mA (Ta)	1,5 V, 4 V	8 Ohm a 10 mA, 4 V	1,1 V a 100 µA		±10 V	11 pF a 3 V	-	100mW (Ta)
CLH01(TE16R,Q)	-	Richiesta di offerta	4207	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto		Montaggio superficiale	L-FLAT™	CLH01	Standard		L-FLAT™ (4x5,5)	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												200 V	980 mV a 3 A	35 ns	10 µA a 200 V	-40°C~150°C	3A	-
TK16V60W,LVQ	1.5822	Richiesta di offerta	7838	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-VSFN Tampone esposto	TK16V60	MOSFET (ossido di metallo)		4-DFN-EP (8x8)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN	600 V	15,8A(Ta)	10 V	190 mOhm a 7,9 A, 10 V	3,7 V a 790 µA	38 nC a 10 V	±30 V	1350 pF a 300 V	-	139 W(Tc)
TK100S04N1L,LQ	2.8100	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVIII-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	TK100S04	MOSFET (ossido di metallo)		DPAK+	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	2.000			CanaleN	40 V	100A (Ta)	4,5 V, 10 V	2,3 mOhm a 50 A, 10 V	2,5 V a 500 µA	76 nC a 10 V	±20 V	5490 pF a 10 V	-	100 W (Tc)
RN1402,LXHF	0,3400	Richiesta di offerta	47	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN1402		200 mW	S-Mini	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	3.000																					50 V	100 mA	500nA	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	50 a 10 mA, 5 V	250 MHz	10 kOhm	10 kOhm
2SK2376(Q)	-	Richiesta di offerta	4520	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3, Scheda corta	2SK2376	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FL	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN	60 V	45A (Ta)	4 V, 10 V	17 mOhm a 25 A, 10 V	2 V a 1 mA	110 nC a 10 V	±20 V	3350 pF a 10 V	-	100 W (Tc)
HN1A01FE-GR,LF	0,3300	Richiesta di offerta	4	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	HN1A01		100 mW	ES6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	4.000																					50 V	150mA	100nA (ICBO)	2 PNP (doppio)	300 mV a 10 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 6 V	80 MHz
CLS03,LNITTOQ(O	-	Richiesta di offerta	6921	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto		Montaggio superficiale	L-FLAT™	CLS03	Schottky		L-FLAT™ (4x5,5)	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												60 V	580 mV a 10 A		1 mA a 60 V	-40°C ~ 125°C	10A	345 pF a 10 V, 1 MHz
SSM3K36TU,LF	0,3600	Richiesta di offerta	2021	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C	Montaggio superficiale	3-SMD, conduttori piatti	SSM3K36	MOSFET (ossido di metallo)		UFM	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	3.000			CanaleN	20 V	500mA (Ta)	1,5 V, 5 V	630 mOhm a 200 mA, 5 V	1 V@1 mA	1,23 nC a 4 V	±10 V	46 pF a 10 V	-	800 mW (Ta)
RN1510(TE85L,F)	0,4500	Richiesta di offerta	142	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro tagliato (CT)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	RN1510		300 mW	SMV	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	3.000																					50 V	100mA	100nA (ICBO)	2 NPN - Pre-polarizzato (doppio) (emettitore accoppiato)	300 mV a 250 µA, 5 mA	120 a 1 mA, 5 V	250 MHz	4,7 kOhm	-
TK50E06K3A,S1X(S	-	Richiesta di offerta	5024	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSIV	Tubo	Obsoleto	-	Foro passante	TO-220-3	TK50E06	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220-3	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN	60 V	50A (Tc)		8,5 mOhm a 25 A, 10 V	-	54 nC a 10 V			-	-
2SB1457(T6CANO,F,M	-	Richiesta di offerta	2882	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SB1457		900 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	1																					100 V	2A	10 µA (ICBO)	PNP	1,5 V a 1 mA, 1 A	2000 a 1 A, 2 V	50 MHz
TK8S06K3L(T6L1,NQ)	1.2600	Richiesta di offerta	4739	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSIV	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	TK8S06	MOSFET (ossido di metallo)		DPAK+	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	2.000			CanaleN	60 V	8A (Ta)	6 V, 10 V	54 mOhm a 4 A, 10 V	3 V a 1 mA	10 nC a 10 V	±20 V	400 pF a 10 V	-	25 W (Tc)
RN1106,LXHF(CT	0,3300	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	RN1106		100 mW	SSM	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	3.000																					50 V	100 mA	500nA	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	250 MHz	4,7 kOhm	47 kOhm
TRS6A65F,S1Q	2.7600	Richiesta di offerta	6	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo		Foro passante	TO-220-2 Pacchetto completo	TRS6A65	SiC (carburo di silicio) Schottky		TO-220F-2L	-			EAR99	8541.10.0080	50		Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)												650 V	1,6 V a 6 A	0 ns	30 µA a 650 V	175°C (massimo)	6A	22 pF a 650 V, 1 MHz
RN1906(T5L,F,T)	-	Richiesta di offerta	8467	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN1906		200 mW	US6	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	3.000																					50 V	100mA	100nA (ICBO)	2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	250 MHz	4,7 kOhm	47kOhm
2SA2154MFV-GR(TPL3	-	Richiesta di offerta	6607	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-723	2SA2154		150 mW	VESM	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	8.000																					50 V	150 mA	100nA (ICBO)	PNP	300 mV a 10 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 6 V	80 MHz
CMS11(TE12L)	-	Richiesta di offerta	4213	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto		Montaggio superficiale	SOD-128	CMS11	Schottky		M-PIATTO (2,4x3,8)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												40 V	550 mV a 2 A		500 µA a 40 V	-40°C~150°C	2A	-