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Prodotti a semiconduttore discreti(2909)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Tipo FET	Corrente: max	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Resistenza @ Se, F	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)	Figura di rumore (dB tipo @ f)
TK16J60W,S1VQ	-	Richiesta di offerta	8499	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3	TK16J60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-3P(N)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	25		CanaleN			600 V	15,8A(Ta)	10 V	190 mOhm a 7,9 A, 10 V	3,7 V a 790 µA	38 nC a 10 V	±30 V	1350 pF a 300 V	-	130 W(Tc)
SSM6P16FE(TE85L,F)	-	Richiesta di offerta	1655	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro tagliato (CT)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	SSM6P16	MOSFET (ossido di metallo)		ES6	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	4.000		Canale P			20 V	100mA (Ta)		8 Ohm a 10 mA, 4 V	-			11 pF a 3 V	-	150mW (Ta)
SSM3K2615R,LF	0,4600	Richiesta di offerta	4	Toshiba Semiconduttori e storage	π-MOSV	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-3 Derivazioni piatte	SSM3K2615	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN			60 V	2A (Ta)	3,3 V, 10 V	300 mOhm a 1 A, 10 V	2 V a 1 mA		±20 V	150 pF a 10 V	-	1 W (Ta)
1SS196(TE85L,F)	0,3200	Richiesta di offerta	27	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	1SS196	Standard		SC-59-3	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	3.000	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità															80 V		1,2 V a 100 mA	4nn	500 nA a 80 V	125°C (massimo)	100mA	3pF @ 0V, 1MHz
RN1911FE,LXHF(CT	0,3800	Richiesta di offerta	7	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	RN1911		100 mW	ES6	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	4.000																								50 V	100mA			100nA (ICBO)		2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	120 a 1 mA, 5 V	250 MHz	10kOhm	-
1SS301SU,LF	-	Richiesta di offerta	1998	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	1SS301	Standard		SC-70	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	3.000	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità														1 paio di catodo comune	80 V	100mA	1,2 V a 100 mA	4nn	500 nA a 80 V	125°C (massimo)
SSM5H16TU,LF	0,4800	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSIII	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C	Montaggio superficiale	6-SMD (5 conduttori), cavo piatto	SSM5H16	MOSFET (ossido di metallo)		UFV	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN			30 V	1,9A(Ta)	1,8 V, 4 V	133 mOhm a 1 A, 4 V	1 V@1 mA	1,9 nC a 4 V	±12V	123 pF a 15 V	Diodo Schottky (isolato)	500mW (Ta)
RN4988,LXHF(CT	0,4400	Richiesta di offerta	6	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4988		200 mW	US6	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																								50 V	100mA			500nA		1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	250 MHz, 200 MHz	22kOhm	47kOhm
1SS315TPH3F	0,0600	Richiesta di offerta	6355	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	125°C (TJ)		SC-76, SOD-323	1SS315			USC	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	3.000			30 mA																				0,6 pF a 0,2 V, 1 MHz			Schottky - Single	5 V		-
2SC2712-BL,LXHF	0,3300	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			200 mW	S-Mini	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																								50 V	150 mA			100nA (ICBO)		NPN	250mV a 10mA, 100mA	350 a 2 mA, 6 V	80 MHz
RN4908,LF(CT	0,2800	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4908		200 mW	US6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																								50 V	100mA			500nA		1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	200 MHz, 250 MHz	22kOhm	47kOhm
2SC2714-O(TE85L,F)	0,0964	Richiesta di offerta	6404	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	125°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SC2714		100 mW	S-Mini	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000				23dB																				30 V	20 mA					NPN		70 a 1 mA, 6 V	550 MHz			2,5 dB a 100 MHz
TK110U65Z,RQ	4.5300	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSVI	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C	Montaggio superficiale	8-PowerSFN		MOSFET (ossido di metallo)		PEDAGGIO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN			650 V	24A (Ta)	10 V	110 mOhm a 12 A, 10 V	4 V a 1,02 mA	40 nC a 10 V	±30 V	2250 pF a 300 V	-	190 W(Tc)
2SA1312GRTE85LF	0,0618	Richiesta di offerta	5284	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	125°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SA1312		150 mW	S-Mini	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																								120 V	100 mA			100nA (ICBO)		PNP	300 mV a 1 mA, 10 mA	200 a 2 mA, 6 V	100 MHz
SSM3J378R,LXHF	0,5000	Richiesta di offerta	24	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101, U-MOSVI	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C	Montaggio superficiale	SOT-23-3 Derivazioni piatte		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P			20 V	6A (Ta)	1,5 V, 4,5 V	29,8 mOhm a 3 A, 4,5 V	1 V@1 mA	12,8 nC a 4,5 V	+6V, -8V	840 pF a 10 V	-	1 W (Ta)
TK5A90E,S4X	1.4600	Richiesta di offerta	9249	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	150°C	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			900 V	4,5A(Ta)	10 V	3,1 Ohm a 2,3 A, 10 V	4 V a 450 µA	20 nC a 10 V	±30 V	950 pF a 25 V	-	40 W (Tc)
SSM3J374R,LF	0,4400	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVI	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C	Montaggio superficiale	SOT-23-3 Derivazioni piatte	SSM3J374	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P			30 V	4A (Ta)	4 V, 10 V	71 mOhm a 3 A, 10 V	2 V a 100 µA	5,9 nC a 10 V	+10 V, -20 V	280 pF a 15 V	-	1 W (Ta)
RN4982,LF(CT	0,3700	Richiesta di offerta	9	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4982		200 mW	US6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																								50 V	100mA			100μA (ICBO)		1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	50 a 10 mA, 5 V	250 MHz, 200 MHz	10kOhm	10kOhm
TPC6110(TE85L,F,M)	-	Richiesta di offerta	4645	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVI	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6	TPC6110	MOSFET (ossido di metallo)		VS-6 (2,9x2,8)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canale P			30 V	4,5A(Ta)		56 mOhm a 2,2 A, 10 V	2 V a 100 µA	14 nC a 10 V		510 pF a 10 V	-	700mW (Ta)
TK10A60W,S4X	1.6339	Richiesta di offerta	3281	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Tubo	Attivo		Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK10A60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	TK10A60WS4X	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			600 V	9,7A(Ta)	10 V	380 mOhm a 4,9 A, 10 V	3,7 V a 500 µA	20 nC a 10 V	±30 V	720 pF a 300 V	-	30 W (Tc)
RN1308,LXHF	0,3900	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	RN1308		100 mW	SC-70	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																								50 V	100 mA			500nA		NPN - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	250 MHz	22 kOhm	47 kOhm
TK3R3A06PL,S4X	1.8000	Richiesta di offerta	8105	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	175°C	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK3R3A06	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			60 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,3 mOhm a 40 A, 10 V	2,5 V a 700 µA	71 nC a 10 V	±20 V	5000 pF a 30 V	-	42 W (Tc)
SSM3J118TU,LF	0,4800	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C	Montaggio superficiale	3-SMD, conduttori piatti		MOSFET (ossido di metallo)		UFM	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canale P			30 V	1,4A(Ta)	4 V, 10 V	240 mOhm a 650 mA, 10 V	2,6 V a 1 mA		±20 V	137 pF a 15 V	-	500mW (Ta)
TK10A55D(STA4,Q,M)	2.3000	Richiesta di offerta	5713	Toshiba Semiconduttori e storage	π-MOSVII	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK10A55	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			550 V	10A (Ta)	10 V	720 mOhm a 5 A, 10 V	4 V a 1 mA	24 nC a 10 V	±30 V	1200 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
TK62Z60X,S1F	17.4600	Richiesta di offerta	25	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	150°C	Foro passante	TO-247-4	TK62Z60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-4L(T)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	25		CanaleN			600 V	61,8 A (Ta)	10 V	40 mOhm a 21 A, 10 V	3,5 V a 3,1 mA	135 nC a 10 V	±30 V	6500 pF a 300 V	-	400 W(Tc)
RN1108ACT(TPL3)	-	Richiesta di offerta	7969	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	RN1108		100 mW	CST3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	10.000																								50 V	80 mA			500nA		NPN - Prepolarizzato	150 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V		22 kOhm	47 kOhm
CLS03(TE16L,SQC,Q)	-	Richiesta di offerta	9458	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto		Montaggio superficiale	L-FLAT™	CLS03	Schottky		L-FLAT™ (4x5,5)	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0080	1	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)															60 V		580 mV a 10 A		1 mA a 60 V	-40°C ~ 125°C	10A	345 pF a 10 V, 1 MHz
RN2910FE,LXHF(CT	0,3800	Richiesta di offerta	8	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	RN2910		100 mW	ES6	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	4.000																								50 V	100mA			100nA (ICBO)		2 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	120 a 1 mA, 5 V	200 MHz	4,7 kOhm	-
TRS3E65F,S1Q	1.9400	Richiesta di offerta	12	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo		Foro passante	TO-220-2	TRS3E65	SiC (carburo di silicio) Schottky		TO-220-2L	-				EAR99	8541.10.0080	50	Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)															650 V		1,6 V a 3 A	0 ns	20 µA a 650 V	175°C (massimo)	3A	12 pF a 650 V, 1 MHz
TDTA114E,LM	0,1800	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TDTA114		320 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																								50 V	100 mA			500nA		PNP - Prepolarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 5 mA, 5 V	250 MHz	10 kOhm